【導(dǎo)讀】光刻技術(shù)作為支撐集成電路芯片工藝持續(xù)微縮的關(guān)鍵基礎(chǔ)，近日迎來重要研究進(jìn)展。北京大學(xué)化學(xué)與分子工程學(xué)院彭海琳教授團(tuán)隊聯(lián)合合作者在《自然-通訊》上發(fā)表了創(chuàng)新研究成果，通過采用冷凍電子斷層掃描技術(shù)，首次揭示了光刻膠在液態(tài)環(huán)境中的三維微觀結(jié)構(gòu)及其動態(tài)行為，為芯片制程的進(jìn)一步微縮與良率提升開辟了新路徑。該成果已于《自然-通訊》發(fā)布。
據(jù)彭海琳教授介紹，光刻是芯片制造中至關(guān)重要的環(huán)節(jié)，可類比為在半導(dǎo)體晶圓（如硅片）上“印刷電路”，其核心在于利用高精度光學(xué)系統(tǒng)將設(shè)計好的電路圖案微縮并轉(zhuǎn)印至晶圓表面的光刻膠薄膜，再經(jīng)顯影、刻蝕等步驟完成圖形化。光刻不僅被視為芯片制造的核心技術(shù)，更被譽(yù)為微納加工領(lǐng)域“皇冠上的明珠”。
在光刻過程中，顯影液對電路圖案的形成起著關(guān)鍵作用。顯影階段，光刻膠的曝光區(qū)域會選擇性溶解于顯影液液膜中。液膜內(nèi)光刻膠分子的吸附狀態(tài)與纏結(jié)行為，直接關(guān)系到晶圓表面圖案缺陷的產(chǎn)生，進(jìn)而影響芯片的性能與制造良率。
《自然-通訊》的論文簡介指出，盡管光刻膠研究已有數(shù)十年歷史，其在液膜及界面處的微觀行為仍不明確，導(dǎo)致工業(yè)界在圖案缺陷控制方面長期依賴試錯方法。本研究創(chuàng)新性地運用冷凍電子斷層掃描技術(shù)，揭示了光刻膠聚合物在液膜和氣液界面處的納米結(jié)構(gòu)及動態(tài)變化。與傳統(tǒng)表征手段相比，cryo-ET 能夠以更高分辨率重建光刻膠在近自然狀態(tài)下的三維結(jié)構(gòu)，清晰呈現(xiàn)聚合物鏈在氣液界面上的空間分布及其內(nèi)聚纏結(jié)行為。
通過抑制聚合物纏結(jié)并調(diào)控光刻膠在氣液界面的吸附，研究團(tuán)隊在12英寸晶圓工業(yè)制程條件下成功消除了因殘留物導(dǎo)致的圖案污染，使與晶圓產(chǎn)線兼容的光刻圖案缺陷減少超過99%。
【圖示說明】
該研究通過cryo-ET三維重構(gòu)獲得多項新發(fā)現(xiàn)。論文共同通訊作者、北京大學(xué)化學(xué)與分子工程學(xué)院高毅勤教授指出，傳統(tǒng)觀點認(rèn)為溶解的光刻膠聚合物主要分布于液體內(nèi)部，但三維圖像清晰顯示其更多吸附于氣液界面。研究團(tuán)隊首次直接觀測到光刻膠聚合物通過較弱作用力或疏水相互作用形成的“凝聚纏結(jié)”，并發(fā)現(xiàn)氣液界面處的聚合物更易纏結(jié)成尺寸約30納米的團(tuán)聚顆粒，這些顆粒成為光刻圖案缺陷的重要來源。
基于上述發(fā)現(xiàn)，團(tuán)隊提出兩項簡潔高效且與現(xiàn)有半導(dǎo)體產(chǎn)線完全兼容的解決方案：抑制纏結(jié)與界面捕獲。實驗證明，結(jié)合這兩種策略可有效消除12英寸晶圓表面因光刻膠殘留引起的圖案缺陷，缺陷數(shù)量降低超過99%，且方案具備優(yōu)異的可靠性與重復(fù)性。
彭海琳教授強(qiáng)調(diào)，該研究不僅展示了冷凍電子斷層掃描技術(shù)在解析液相界面反應(yīng)中的強(qiáng)大能力，也為理解高分子材料、增材制造及生命科學(xué)中普遍存在的“纏結(jié)”現(xiàn)象提供了新視角。所提出的技術(shù)方案有望為提升光刻精度與良率開辟全新途徑。
這項由中國科學(xué)家主導(dǎo)的突破性研究，是基礎(chǔ)科學(xué)研究與產(chǎn)業(yè)應(yīng)用深度融合的典范。正如作者在文中所指出，該工作為理解水界面化學(xué)反應(yīng)的結(jié)構(gòu)與動力學(xué)奠定了基礎(chǔ)，而這一領(lǐng)域的理論體系仍處于發(fā)展初期。冷凍電子斷層掃描技術(shù)在解析聚合物科學(xué)、增材制造及生命科學(xué)中的纏結(jié)問題上展現(xiàn)出廣闊潛力。在半導(dǎo)體工業(yè)中，對液膜內(nèi)聚合物納米結(jié)構(gòu)與動態(tài)行為的深入理解，將有助于光刻、刻蝕及濕法工藝等關(guān)鍵環(huán)節(jié)的缺陷控制，對制造下一代電子器件具有重要意義。
