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MOSFET技術(shù)解析：定義、原理與選型策略
MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種通過(guò)柵極電壓控制源漏電流的半導(dǎo)體器件，具備高輸入阻抗、低功耗、高頻特性等優(yōu)勢(shì)，廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、通信設(shè)備等領(lǐng)域。
2025-05-20
MOSFET
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線繞電阻與金屬膜電阻技術(shù)對(duì)比及選型指南
在電子電路設(shè)計(jì)中，電阻作為基礎(chǔ)元件，其性能直接影響電路的穩(wěn)定性與精度。線繞電阻與金屬膜電阻作為兩大主流類(lèi)型，在技術(shù)特性與應(yīng)用場(chǎng)景上存在顯著差異。線繞電阻以高精度、強(qiáng)過(guò)載能力著稱(chēng)，常用于工業(yè)控制、儀器儀表等對(duì)穩(wěn)定性要求嚴(yán)苛的領(lǐng)域；而金屬膜電阻則憑借小型化、低成本優(yōu)勢(shì)，廣泛應(yīng)用于...
2025-05-20
線繞電阻 金屬膜電阻
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中微公司在TechInsights 2025半導(dǎo)體供應(yīng)商獎(jiǎng)項(xiàng)調(diào)查中榮獲兩項(xiàng)第一
在全球技術(shù)分析和知識(shí)產(chǎn)權(quán)服務(wù)提供商TechInsights舉辦的2025年半導(dǎo)體供應(yīng)商獎(jiǎng)項(xiàng)調(diào)查(Semiconductor Supplier Awards Survey)中榮獲六大獎(jiǎng)項(xiàng)，其中在WFE基礎(chǔ)芯片制造商（WFE to Foundation Chip Makers）、薄膜沉積設(shè)備（Deposition Equipment）兩個(gè)榜單中位列第一。
2025-05-19
中微公司
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線繞電阻與碳膜電阻技術(shù)對(duì)比及選型指南
線繞電阻采用鎳鉻合金等高電阻率金屬絲繞制在陶瓷骨架上，表面覆蓋絕緣釉層。其電阻值由繞線長(zhǎng)度、線徑及合金成分決定，典型溫度系數(shù)可達(dá)±5ppm/℃，精度可達(dá)0.01%（E96系列）。碳膜電阻則通過(guò)真空沉積工藝在陶瓷基體形成碳基薄膜，電阻值由膜層厚度和碳濃度控制，溫度系數(shù)通常為±200ppm/℃，精度范圍0...
2025-05-18
線繞電阻 碳膜電阻
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從實(shí)驗(yàn)室到市場(chǎng)：碳化硅功率器件如何突破可靠性瓶頸
從 MOSFET 、二極管到功率模塊，功率半導(dǎo)體產(chǎn)品是我們生活中無(wú)數(shù)電子設(shè)備的核心。 從醫(yī)療設(shè)備和可再生能源基礎(chǔ)設(shè)施，到個(gè)人電子產(chǎn)品和電動(dòng)汽車(chē) (EV)，它們的性能和可靠性確保了各種設(shè)備的持續(xù)運(yùn)行。
2025-05-16
安森美 碳化硅
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厚膜電阻在通信基礎(chǔ)設(shè)施中的關(guān)鍵應(yīng)用與技術(shù)突破
隨著5G通信技術(shù)的商用化進(jìn)程加速，通信基礎(chǔ)設(shè)施對(duì)元器件的性能要求日益嚴(yán)苛。厚膜電阻憑借其優(yōu)異的高頻特性、精密控制能力和環(huán)境適應(yīng)性，在5G基站電源、光模塊驅(qū)動(dòng)等核心場(chǎng)景中扮演著不可替代的角色。本文以Yageo RC系列和BOURNS 3590S系列為例，深入剖析其在通信基礎(chǔ)設(shè)施中的技術(shù)實(shí)現(xiàn)與應(yīng)用價(jià)值。
2025-05-16
厚膜電阻 通信基礎(chǔ)設(shè)施
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貿(mào)澤電子聯(lián)合ADI與Samtec發(fā)布工業(yè)AI/ML電子書(shū)：探索工業(yè)自動(dòng)化未來(lái)
業(yè)界知名新品引入 (NPI) 代理商貿(mào)澤電子宣布與ADI和Samtec合作推出全新電子書(shū)《9 Experts Discuss Robotics, AI, and ML in Industrial Applications》（9位專(zhuān)家探討工業(yè)應(yīng)用中的機(jī)器人、AI和ML），探討機(jī)器人、人工智能 (AI) 和機(jī)器學(xué)習(xí) (ML) 如何改變制造業(yè)、物流業(yè)等領(lǐng)域的格局。通過(guò)精密運(yùn)動(dòng)控...
2025-05-16
貿(mào)澤電子 ADI Samtec 機(jī)器人 AI ML領(lǐng)域
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工程師必看！從驅(qū)動(dòng)到熱管理：MOSFET選型與應(yīng)用實(shí)戰(zhàn)手冊(cè)
MOSFET因其獨(dú)特的性能優(yōu)勢(shì)，已成為模擬電路與數(shù)字電路中不可或缺的元件，廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工業(yè)設(shè)備、智能手機(jī)及便攜式數(shù)碼產(chǎn)品中。其核心優(yōu)勢(shì)體現(xiàn)在三個(gè)方面：驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)簡(jiǎn)化，所需驅(qū)動(dòng)電流遠(yuǎn)低于BJT，可直接由CMOS或集電極開(kāi)路TTL電路驅(qū)動(dòng)；開(kāi)關(guān)速度優(yōu)異，無(wú)電荷存儲(chǔ)效應(yīng)，支持高速工作；熱...
2025-05-15
MOSFET 選型 應(yīng)用實(shí)戰(zhàn) 熱管理
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線繞電阻在精密儀器與醫(yī)療設(shè)備中的高精度應(yīng)用和技術(shù)實(shí)踐
線繞電阻憑借超低溫度系數(shù)（±5ppm/℃以下）、長(zhǎng)期穩(wěn)定性（年漂移率<0.005%）及無(wú)感繞制技術(shù)，成為精密測(cè)量與醫(yī)療設(shè)備中校準(zhǔn)、補(bǔ)償及能量控制的核心元件。本文以實(shí)驗(yàn)室基準(zhǔn)電阻、高精度傳感器補(bǔ)償、MRI梯度線圈驅(qū)動(dòng)及高頻電刀功率調(diào)節(jié)為切入點(diǎn)，解析其技術(shù)實(shí)現(xiàn)路徑與工程價(jià)值。
2025-05-15
線繞電阻 精密儀器 醫(yī)療設(shè)備
- 強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手！貿(mào)澤電子攜手ATI，為自動(dòng)化產(chǎn)線注入核心部件
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