產(chǎn)品特性：
- 面積為1.87平方毫米
- 最大結(jié)溫額定值提高至150℃
- 柵極電壓為5V 時(shí)的RDS(ON)最大值是16mΩ
- 環(huán)保、無(wú)鉛、無(wú)鹵化物、符合RoHS
應(yīng)用范圍：
- 高速DC/DC電源、負(fù)載點(diǎn)轉(zhuǎn)換器
- D類音頻放大器、硬開(kāi)關(guān)和高頻電路
宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布推出第二代增強(qiáng)性能氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（eGaN FET）系列中的最新成員——EPC2014。EPC2014具有環(huán)保特性、無(wú)鉛、無(wú)鹵化物以及符合RoHS(有害物質(zhì)限制)條例要求。
EPC2014 FET是一款面積為1.87平方毫米的40VDS及10V器件，當(dāng)柵極電壓為5V 時(shí)，RDS(ON)最大值是16mΩ。與前代EPC1014器件相比，新一代EPC2014器件具有明顯更高的性能優(yōu)勢(shì)，其最大結(jié)溫額定值提高至150℃，其性能在更低柵極電壓時(shí)也得到全面增強(qiáng)。
與具有相同導(dǎo)通電阻的先進(jìn)硅功率MOSFET相比，EPC2014體積小很多，而開(kāi)關(guān)性能卻高出許多倍。受益于eGaN FET性能的應(yīng)用包括高速DC/DC電源、負(fù)載點(diǎn)轉(zhuǎn)換器、D類音頻放大器、硬開(kāi)關(guān)和高頻電路。
“除了性能方面增強(qiáng)了，新一代增強(qiáng)型氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管-EPC2014是不含鉛、無(wú)鹵化物及符合RoHS(有害物質(zhì)限制)條例的要求。”共同創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官Alex Lidow表示。
