【導讀】東芝將量產SiC制肖特基勢壘二極管，可將元件損失降低50%以上。新產品可用于服務器電源、光伏發電用功率調節器等用途，新產品的反向重復峰值電壓VRRM為650V，平均正向電流IFM為12A，正向電壓VF為1.7V，反向重復峰值電流IRRM為90μA。
東芝于2013年3月19日宣布，將從2013年3月底開始在該公司的姬路半導體工廠量產SiC功率半導體產品。最初量產的是SiC肖特基勢壘二極管TRS12E65C。
圖1：肖特基勢壘二極管
新產品可用于服務器電源、光伏發電用功率調節器等用途，與以往的Si二極管相比，在電源用途可將元件損失降低50%以上（與該公司產品的比較）。新產品的反向重復峰值電壓VRRM為650V，平均正向電流IFM為12A，正向電壓VF為1.7V（正向電流為12A時的最大值），反向重復峰值電流IRRM為90μA（反向重復峰值電壓為650V時的最大值）。
TRS12E65C的量產規模預定為100萬個/月。東芝預測，采用SiC的功率半導體市場到2020年將增長至目前的約10倍，今后該公司將繼續通過增加符合市場需求的新產品來強化業務，爭取在2020年使市場份額達到30%。
