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如何實(shí)現(xiàn)IGBT/MOSFET隔離柵極驅(qū)動(dòng)電路?

發(fā)布時(shí)間:2020-03-26 責(zé)任編輯:lina

【導(dǎo)讀】IGBT 和功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件,可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)元件,柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET 的另外兩端是源極和漏極,而對(duì)于 IGBT,它們被稱(chēng)為集電極和發(fā)射極。為了操作 MOSFET/IGBT,通常須將一個(gè)電壓施加于柵極。
   
IGBT 和功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件,可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)元件,柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET 的另外兩端是源極和漏極,而對(duì)于 IGBT,它們被稱(chēng)為集電極和發(fā)射極。為了操作 MOSFET/IGBT,通常須將一個(gè)電壓施加于柵極。
 
IGBT 和功率 MOSFET 的結(jié)構(gòu)使得柵極形成一個(gè)非線性電容。給柵極電容充電會(huì)使功率器件導(dǎo)通,并允許電流在其漏極和源極引腳之間流動(dòng),而放電則會(huì)使器件關(guān)斷,漏極和源極引腳上就可以阻斷大電壓。當(dāng)柵極電容充電且器件剛好可以導(dǎo)通時(shí)的最小電壓就是閾值電壓(VTH)。為將 IGBT/ 功率 MOSFET 用作開(kāi)關(guān),應(yīng)在柵極和源極 / 發(fā)射極引腳之間施加一個(gè)充分大于 VTH 的電壓。
 
如何實(shí)現(xiàn)IGBT/MOSFET隔離柵極驅(qū)動(dòng)電路?
用反相邏輯驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET
 
通過(guò)柵極驅(qū)動(dòng)器提供適當(dāng)柵極電壓
提供適當(dāng)柵極電壓的問(wèn)題通過(guò)柵極驅(qū)動(dòng)器來(lái)解決,柵極驅(qū)動(dòng)器執(zhí)行電平轉(zhuǎn)換任務(wù)。不過(guò),柵極電容無(wú)法瞬間改變其電壓。因此,功率 FET 或 IGBT 具有非零的有限切換間隔時(shí)間。在切換期間,器件可能處于高電流和高電壓狀態(tài),這會(huì)產(chǎn)生功耗并轉(zhuǎn)化為熱量。因此,從一個(gè)狀態(tài)到另一個(gè)狀態(tài)的轉(zhuǎn)換需要很快,以盡可能縮短切換時(shí)間。為了實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn),需要高瞬變電流來(lái)使柵極電容快速充電和放電。
 
能夠在更長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)提供 / 吸收更高柵極電流的驅(qū)動(dòng)器,切換時(shí)間會(huì)更短,因而其驅(qū)動(dòng)的晶體管內(nèi)的開(kāi)關(guān)功耗也更低。
 
微控制器 I/O 引腳的拉電流和灌電流額定值通常可達(dá)數(shù)十毫安,而柵極驅(qū)動(dòng)器可以提供高得多的電流。當(dāng)功率 MOSFET 由微控制器 I/O 引腳以最大額定拉電流驅(qū)動(dòng)時(shí),觀察到切換時(shí)間間隔較長(zhǎng)。采用例如 ADI 公司的 ADuM4121 隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器時(shí),轉(zhuǎn)換時(shí)間大大縮短。當(dāng)驅(qū)動(dòng)同一功率 MOSFET 時(shí),該驅(qū)動(dòng)器相比微控制器 I/O 引腳能夠提供高得多的驅(qū)動(dòng)電流。
 
此外,很多情況下由于數(shù)字電路可能會(huì)透支電流,直接用微控制器驅(qū)動(dòng)較大功率 MOSFET/IGBT 可能會(huì)使控制器過(guò)熱進(jìn)而受損。柵極驅(qū)動(dòng)器具有更高驅(qū)動(dòng)能力,支持快速切換,上升和下降時(shí)間只有幾納秒。這可以減少開(kāi)關(guān)功率損耗,提高系統(tǒng)效率。因此,驅(qū)動(dòng)電流通常被認(rèn)為是選擇柵極驅(qū)動(dòng)器的重要指標(biāo)。
 
光耦合隔離與數(shù)字隔離,隔離柵極驅(qū)動(dòng)器如何選?
對(duì)于采用柵極驅(qū)動(dòng)器的系統(tǒng),隔離對(duì)功能的執(zhí)行可能是必要的,并且也可能是安全要求的。特別是如果控制側(cè)涉及到人的活動(dòng),那么高功率側(cè)和低電壓控制電路之間需要電流隔離。它能防范高壓側(cè)的任何故障,因?yàn)楸M管有元件損壞或失效,隔離柵仍會(huì)阻止電力到達(dá)用戶(hù)。隔離是指系統(tǒng)中各種功能電路之間的電氣分離,使得它們之間不存在直接導(dǎo)通路徑。這樣,不同電路可以擁有不同的地電位。利用電感、電容或光學(xué)方法,仍可讓信號(hào)和 / 或電源在隔離電路之間通過(guò)。
 
設(shè)計(jì)中工程師選擇隔離柵驅(qū)動(dòng)器可以有多種方案可選,例如光耦合器柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案、高壓柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案,以及基于 iCoupler 技術(shù)的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器。
 
 如何實(shí)現(xiàn)IGBT/MOSFET隔離柵極驅(qū)動(dòng)電路?
雙光耦合器半橋柵極驅(qū)動(dòng)器
 
傳統(tǒng)應(yīng)用中光耦合器柵極驅(qū)動(dòng)器和高壓柵極驅(qū)動(dòng)器是工程師熟悉和常用的選擇,但有經(jīng)驗(yàn)的工程師也非常了解兩者的特性和不足。對(duì)光耦合器柵極驅(qū)動(dòng)器而言,光耦合器的一些缺點(diǎn)是關(guān)鍵短板:光耦合器的響應(yīng)速度受到原邊發(fā)光二極管(LED)電容的限制,而且將輸出驅(qū)動(dòng)至高達(dá) 1 MHz 的速度也會(huì)受到其傳播延遲(500 ns~350ns)以及較慢的上升和下降時(shí)間(最大值為 100 ns)的限制。要使光耦合器接近最高速度,需要將 LED 電流增加至 10 mA 以上,這會(huì)消耗更多功率,縮短光耦合器的壽命并降低其可靠性,尤其是在太陽(yáng)能逆變器和電源應(yīng)用中常見(jiàn)的高溫環(huán)境下(而且大部分額定工作溫度為最高 85°C)。
 
此外,柵極驅(qū)動(dòng)器電路往往置于與光耦合器相同的封裝中,因而一般需要兩個(gè)獨(dú)立的光耦合器柵極驅(qū)動(dòng)器 IC 來(lái)構(gòu)成完整的隔離式半橋,結(jié)果使解決方案的物理尺寸變大。另需注意的是,兩個(gè)光耦合器即使封裝在一起,也是是獨(dú)立制造的,從而限制了匹配兩個(gè)通道的能力。這種失配會(huì)增加關(guān)閉一個(gè)通道與打開(kāi)另一個(gè)通道之間的停滯時(shí)間,從而導(dǎo)致效率下降。
 
 如何實(shí)現(xiàn)IGBT/MOSFET隔離柵極驅(qū)動(dòng)電路?
高壓半橋柵極驅(qū)動(dòng)器
 
對(duì)于高壓柵極驅(qū)動(dòng)器 IC 這種電路的一個(gè)潛在不足,就是單隔離輸入通道依賴(lài)高壓驅(qū)動(dòng)器電路來(lái)實(shí)現(xiàn)所需要的通道間時(shí)序匹配和停滯時(shí)間。另一問(wèn)題是,高壓柵極驅(qū)動(dòng)器并無(wú)電流隔離,而是依賴(lài) IC 的結(jié)隔離來(lái)分離高端驅(qū)動(dòng)電壓和低端驅(qū)動(dòng)電壓。在低端開(kāi)關(guān)事件中,電路中的寄生電感可能導(dǎo)致輸出電壓 VS 降至地電壓以下。發(fā)生這種情況時(shí),高端驅(qū)動(dòng)器可能發(fā)生閂鎖,并永久性損壞。
 
隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器具有電氣隔離和較強(qiáng)的柵極驅(qū)動(dòng)能力,很多系統(tǒng)架構(gòu)的安全性和魯棒性都需要這些性能。而傳統(tǒng)的光耦合柵極驅(qū)動(dòng)器上述局限性促使人們尋找其它替代方案,基于 AD 數(shù)字隔離技術(shù) iCoupler 的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品系列提供 50 ns 最大傳播延遲、小于 5 ns 通道間匹配、400 V rms 工作電壓下的 50 年工作壽命和單封裝電氣隔離優(yōu)勢(shì),獲得需要高性能隔離的柵極驅(qū)動(dòng)器電路青睞,特別是在 AC/DC 轉(zhuǎn)換器、DC/DC 轉(zhuǎn)換器、反相器、電機(jī)控制中,實(shí)現(xiàn)更快的開(kāi)關(guān)速度并滿足更高的功率密度和更佳的效率要求。此外,標(biāo)準(zhǔn)的 CMOS 工藝支持低成本、高可靠性,平衡的推挽輸出級(jí)還能進(jìn)一步簡(jiǎn)化柵極驅(qū)動(dòng),輸出間真正的電氣隔離將高端和低端分隔,使交叉導(dǎo)通電位降至最低。
 
如何實(shí)現(xiàn)IGBT/MOSFET隔離柵極驅(qū)動(dòng)電路?
電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中常用的半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)(采用 ADuM4121 隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器)
 
結(jié)語(yǔ)
對(duì)于隔離式半橋柵極驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用,事實(shí)表明相對(duì)于基于光耦合器和脈沖變壓器的設(shè)計(jì),集成變壓器的數(shù)字隔離器具有眾多優(yōu)勢(shì)。通過(guò)集成大幅降低了尺寸和設(shè)計(jì)復(fù)雜性,從而極大地提高了時(shí)序特性。輸出驅(qū)動(dòng)器采用的電流隔離技術(shù)則改進(jìn)了魯棒性,變壓器耦合技術(shù)則顯著提高了模瞬變抗擾度 (CMTI)。

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