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【干貨分享】6種延時電路原理
眾所周知，說到延時，很多人都會想到用軟件件來實現(xiàn)，比如定時器之類的。今天就來說說用硬件來實現(xiàn)定時的方式，雖說沒有那么準，但是有些場合還是用得到的。今天我們來介紹一下6種延時電路工作原理。
2021-11-24
延時電路
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4個MOS管驅(qū)動的全橋電路原理
電路首先，單片機能夠輸出直流信號，但是它的驅(qū)動才能也是有限的，所以單片機普通做驅(qū)動信號，驅(qū)動大的功率管如MOS管，來產(chǎn)生大電流從而驅(qū)動電機，且占空比大小能夠經(jīng)過驅(qū)動芯片控制加在電機上的均勻電壓到達轉(zhuǎn)速調(diào)理的目的。
2021-11-24
MOS管驅(qū)動 全橋電路
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小信號放大電路故障的檢測
模擬信號是指用連續(xù)變化的物理量表示的信息，其信號的幅度，或頻率，或相位均隨時間作連續(xù)變化，如廣播電視中的聲音信號，或圖像信號等。處理模擬信號的電子電路稱為模擬電路。模擬電路主要包括放大電路、振蕩電路和電源電路等。
2021-11-19
小信號 放大電路
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怎樣正確選擇同步降壓 MOSFET 電阻比？
反激式轉(zhuǎn)換器在連續(xù)導(dǎo)通模式 (CCM) 和非連續(xù)導(dǎo)通模式 (DCM)下都可以工作。但對許多低功耗和低電流應(yīng)用而言，DCM反激式轉(zhuǎn)換器更加緊湊而且成本更低。本文將詳細介紹此類轉(zhuǎn)換器的設(shè)計步驟
2021-11-19
同步降壓 MOSFET 電阻比
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如何選擇電源系統(tǒng)開關(guān)控制器的 MOSFET？
DC/DC 開關(guān)控制器的 MOSFET 選擇是一個復(fù)雜的過程。僅僅考慮 MOSFET 的額定電壓和電流并不足以選擇到合適的 MOSFET。要想讓 MOSFET 維持在規(guī)定范圍以內(nèi)，必須在低柵極電荷和低導(dǎo)通電阻之間取得平衡。在多負載電源系統(tǒng)中，這種情況會變得更加復(fù)雜。
2021-11-19
電源系統(tǒng) 開關(guān)控制器 MOSFET
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如何在48V系統(tǒng)中輕松應(yīng)用GaN FET？
GaN FET可以應(yīng)用在48V電源系統(tǒng)中，但由于缺乏配合GaN FET工作的合適控制器，工程師們常利用DSP數(shù)字解決方案來實現(xiàn)其高頻和高效率設(shè)計。然而，DSP解決方案因為需要額外的IC而增加了復(fù)雜性和難度。本文介紹了一種兼容GaN FET的模擬控制器，它只需很少的器件，就可以讓設(shè)計人員像使用硅FET一樣簡單地設(shè)...
2021-11-17
48V系統(tǒng) GaN FET
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保護器件過電應(yīng)力失效機理和失效現(xiàn)象淺析
半導(dǎo)體元器件在整機應(yīng)用端的失效主要為各種過應(yīng)力導(dǎo)致的失效，器件的過應(yīng)力主要包括工作環(huán)境的緩變或者突變引起的過應(yīng)力，當(dāng)半導(dǎo)體元器件的工作環(huán)境發(fā)生變化并產(chǎn)生超出器件最大可承受的應(yīng)力時，元器件發(fā)生失效。應(yīng)力的種類繁多，如表1，其中過電應(yīng)力導(dǎo)致的失效相對其它應(yīng)力更為常見。
2021-11-16
保護器件 過電應(yīng)力失效
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USB Type-C接口EMC設(shè)計及過壓防護方案
依托巨大的市場發(fā)展，智能手機在原有的通訊功能基礎(chǔ)上，正體現(xiàn)出其強大的功能擴展性。同時其高功耗也對智能手機的續(xù)航能力提出越來越高的要求。2014 年，Type-C 伴隨著最新的USB3.1 標準橫空出世，這類全新的接口形式，憑借其便捷的正反面拔插，大功率的供電，快速的傳輸速率等功能得到廣泛認可。但...
2021-11-15
USB Type-C EMC 過壓防護
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能否讓低壓放大器自舉來獲得高壓緩沖器？
當(dāng)然是可以的！您可以采用具有出色輸入特性的運算放大器，并進一步提高其性能，使其電壓范圍、增益精度、壓擺率和失真性能均優(yōu)于原來的運算放大器。
2021-11-10
低壓放大器 高壓緩沖器
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