- 具有不足1秒的幾乎瞬時(shí)的熱穩(wěn)定時(shí)間
- 0°C～+60°范圍內(nèi)±0.05 ppm/°C的低典型TCR
- 在額定功率時(shí)提供了±5 ppm 的出色PCR，低至±0.01% 的容差
- 在±70°C、額定功率時(shí)具有2000 小時(shí)的0.005% (50 ppm) 負(fù)載壽命穩(wěn)定性，以及低于0.1% 的報(bào)廢容差
- 消費(fèi)電子
- 通信設(shè)備
這些器件在 0°C～+60°（參考值為 +25°C）范圍內(nèi)提供了±0.05 ppm/°C的低典型 TCR，在 ?55°C～+125°C（參考值為 +25°C）范圍內(nèi)提供了±0.2 ppm/°C的TCR，在額定功率時(shí)提供了±5 ppm 的出色 PCR（?R，由于自加熱），低至±0.01% 的容差，在±70°C、額定功率時(shí)具有2000 小時(shí)的0.005% (50 ppm) 負(fù)載壽命穩(wěn)定性，以及低于0.1% 的報(bào)廢容差。這種出色的性能內(nèi)置于每個(gè)設(shè)備中，并且不依賴(lài)剔除或其他人工方式便可實(shí)現(xiàn)統(tǒng)一的卓越性。
SMRxDZ 系列基于由Vishay 提出的新電阻理念，即利用該公司創(chuàng)建的專(zhuān)有 Bulk Metal 箔及最新的細(xì)光刻技術(shù)，這樣可將導(dǎo)體視為扁平線(xiàn)。由于使用的金屬在生產(chǎn)過(guò)程中不能以任何方式拉伸、纏繞或其它錯(cuò)誤處理，因此 SMRxDZ 系列保留了其所有設(shè)計(jì)、物理及電氣特性。在生產(chǎn)之前、過(guò)程中及之后，這些因素都是可測(cè)量和可預(yù)測(cè)的。
SMR1DZ 與SMR3DZ 提供了符合MIL-PRF-55182 的屏蔽選擇。增強(qiáng)的電阻具有靈活的接頭，可確保最大程度地減小因熱膨脹系數(shù) (CTE) 差異導(dǎo)致的 PCB 應(yīng)力轉(zhuǎn)移。這些器件提供了5Ω～80kΩ 的廣泛電阻范圍，如同所有 Vishay 箔電阻一樣，它們不受限于標(biāo)準(zhǔn)值。Vishay 可 “按照需求”的值（例如 7kΩ 及 7.5678kΩ）提供器件，且無(wú)額外費(fèi)用或交貨時(shí)間。
憑借Vishay Bulk Metal 箔電阻，在其整個(gè)生命周期內(nèi)只會(huì)出現(xiàn)最小的電阻值改變。這種改變大部分是在最初幾百小時(shí)的運(yùn)行過(guò)程中發(fā)生的，此后幾乎沒(méi)有明顯改變。SMR1DZ 在 +70°C 時(shí)額定功率為 250mW，而 SMR3DZ 在 +70°C 時(shí)額定功率為 600mW。這兩個(gè)器件均具有 ±0.005% 的負(fù)載壽命穩(wěn)定性（+70°C 時(shí)使用壽命為 2000 小時(shí)）；不足 0.1 ppm/V 的低電壓系數(shù)；低于 -40dB 的電流噪聲；0.1 µv/ºC 的低熱 EMF。它們均具有 1.0ns 的快速上升時(shí)間，高效且無(wú)振鈴，并且采用了無(wú)電感 (<0.08 μH)、無(wú)熱點(diǎn)的設(shè)計(jì)。
電子放電 (ESD) 中產(chǎn)生的電壓電平以及靜電取決于眾多因素（例如兩個(gè)主體之間的相似性及空氣濕度），并且可達(dá)到 25 kV 以上的電壓。SMR1DZ 與 SMR3DZ 電阻具有極高的ESD抗擾性，可經(jīng)受住高達(dá)25 kV的靜電放電，因此具有更高的可靠性。
與模擬電路相關(guān)的穩(wěn)定性問(wèn)題非常普遍，但在關(guān)鍵位置明智地選擇一些高質(zhì)量電阻、網(wǎng)絡(luò)或微調(diào)電位器可極大提高電路性能和與應(yīng)用相關(guān)的長(zhǎng)期性能，并且可使設(shè)計(jì)人員高枕無(wú)憂(yōu)。此外，當(dāng)明智的設(shè)計(jì)人員將成本集中于一些極其穩(wěn)定的元件時(shí)通常可降低整體系統(tǒng)成本，而憑借這些元件業(yè)經(jīng)驗(yàn)證的最小偏移負(fù)載及環(huán)境穩(wěn)定性，通常無(wú)需使用額外補(bǔ)償電路或溫控系統(tǒng)。采用 Z 箔技術(shù)的 SMRxDZ 系列是這一原則的良好典范。
目前，這些新型 Z 箔電阻的樣品及量產(chǎn)批量已可提供，大宗訂單的供貨周期為 5 周。
