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SiC MOSFET的橋式結構
在探討“SiC MOSFET：橋式結構中Gate-Source電壓的動作”時，本文先對SiC MOSFET的橋式結構和工作進行介紹，這也是這個主題的前提。
2022-01-17
SiC MOSFET 橋式結構
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SiC MOSFET替代Si MOSFET，自舉電路是否適用？
自舉式懸浮驅動電路可以極大的簡化驅動電源的設計，只需要一路電源就可以驅動上下橋臂兩個開關管的驅動，可以節省Si MOSFET功率器件方案的成本。隨著新能源受到全球政府的推動與支持，與新能源相關的半導體芯片需求激増，導致產能緊缺。綠色低碳技術創新應用是實現碳中和目標的重要一環，碳化硅是應...
2022-01-17
SiC MOSFET Si MOSFET 自舉電路
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如何才能更易于實施安全性？擴展工業控制系統中的安全終端！
工業控制系統(ICS)中的網絡安全問題勢必延緩工業4.0的采用。許多企業領導者發現ICS網絡安全挑戰非常難以理解，因為眾多因素導致其非常復雜。此外，開發工業控制系統解決方案的工程師可能尚未看到在設備層面的重大網絡安全要求。
2022-01-16
工業控制系統 安全終端
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如何運用升降壓芯片CS5517實現鋰電池穩定輸出3.3V/3.6V（1.2-5V）的電壓？
隨著包括無線耳機、健身設備、智能手表、水表與燃氣表、便攜式醫療設備以及各種電池供電的智能物聯網設備的爆炸式增長，以鋰電池為電源的應用越來越普及。大多數移動設備正常工作都需要一定的恒壓電源，以保證系統正常運行。
2022-01-13
升降壓芯片CS5517 鋰電池
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狀態監控(CbM)技術如何以更高能效實現海水淡化
如果我們可以飲用海水，會怎么樣？這將對農業、可持續發展和全球生活質量產生巨大影響，但對能源的需求同樣也很大。海水淡化技術非常耗電，且實施起來往往需要花費大量的時間和資源。 這項技術在效率上的任何提升，都相當引入注目。現在，隨著ADI開發的OtoSense?平臺，我們突然覺得，提高效率似乎...
2022-01-12
狀態監控 技術 ADI
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高深寬比刻蝕和納米級圖形化推進存儲器的路線圖
隨著市場需求推動存儲器技術向更高密度、更優性能、新材料、3D堆棧、高深寬比 (HAR) 刻蝕和極紫外 (EUV) 光刻發展，泛林集團正在探索未來三到五年生產可能面臨的挑戰，以經濟的成本為晶圓廠提供解決方案。
2022-01-10
高深寬比刻蝕 納米級圖形 存儲器
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雙極結型晶體管——MOSFET的挑戰者
數字開關通常使用MOSFET來創建，但是對于低飽和電壓的開關模型，雙極結型晶體管已成為不容忽視的替代方案。對于低電壓和低電流的應用，它們不僅可以提供出色的電流放大效果，還具有成本優勢。
2022-01-07
雙極結型晶體管 MOSFET
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高壓放大器在頻閃成像技術MEMS離面運動中的應用
MEMS是以微電子技術為基礎，采用硅微加工技術、光刻鑄造成型(LIGA)和精密機械加工等多種微加工技術制作的，關鍵尺寸在亞微米至亞毫米范圍內的微傳感器、微執行器和微系統的總稱
2021-12-28
高壓放大器 頻閃成像技術 MEMS 離面運動
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PLBUS PLC模組助力打造新一代教室智能光照環境
近年來，近視在青少年人群中的發病率居高不下。有統計表明，小學生近視發病率基本保持在20%-40%之間，初中生近視發病率基本維持在50%-60%左右，高中生近視的發病率則可達到70%。造成這一現象的罪魁禍首之一就是青少年長期處于不健康的照明環境中。
2021-12-28
PLBUS PLC模組 教室智能光照
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