- 超低VCEsat
- 高速開(kāi)關(guān)
- 電壓范圍為20 V - 60 V
- 低功率損耗
- 大批量消費(fèi)者應(yīng)用、通信應(yīng)用、計(jì)算應(yīng)用和汽車(chē)應(yīng)用
恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors）近日宣布推出新第四代低VCEsat (BISS)晶體管的前8種產(chǎn)品。該產(chǎn)品家族分成兩種優(yōu)化的分支：超低VCEsat 晶體管以及高速開(kāi)關(guān)晶體管。其電壓范圍為20 V - 60 V，采用小型SMD封裝SOT23 (2.9 x 1.3 x 1 mm)和SOT457 (2.9 x 1.5 x 1 mm)。
這些晶體管稱(chēng)為突破性小信號(hào)(BISS)晶體管，正如其名，它們?yōu)闇p少打開(kāi)導(dǎo)通電阻確立了新的基準(zhǔn)，使開(kāi)關(guān)時(shí)間減到絕對(duì)最小值。超低VCEsat 分支的晶體管在1 A時(shí)實(shí)現(xiàn)了50 mV的超低飽和電壓。4種新的高速開(kāi)關(guān)晶體管使開(kāi)關(guān)和存儲(chǔ)時(shí)間降低到125 ns。新型BISS-4產(chǎn)品表明，雙極晶體管技術(shù)為要求更高性能和降低開(kāi)關(guān)損耗的應(yīng)用提供了理想選擇。
恩智浦半導(dǎo)體小信號(hào)晶體管產(chǎn)品市場(chǎng)經(jīng)理Frank Thiele說(shuō)，“通過(guò)推出采用杰出的低電阻基底技術(shù)的第四代BISS晶體管，恩智浦為采用小型SMD封裝的低VCEsat 晶體管確立了行業(yè)發(fā)展方向，為雙極晶體管技術(shù)打開(kāi)了新的應(yīng)用。”
新的BISS-4晶體管提供了高電路效率、低功率損耗，產(chǎn)生的熱量要小于相同封裝的標(biāo)準(zhǔn)晶體管。這些新產(chǎn)品的DC集電極電流為4.3 A (峰值 ICM 8 A)，采用小型SOT23封裝，其性能是采用SOT23的上一代低VCEsat 晶體管的兩倍。新的BISS-4晶體管是為大批量消費(fèi)者應(yīng)用、通信應(yīng)用、計(jì)算應(yīng)用和汽車(chē)應(yīng)用中的負(fù)荷開(kāi)關(guān)、開(kāi)關(guān)式電源(SMPS)和電源管理功能設(shè)計(jì)的。
所有8種新型晶體管都滿(mǎn)足AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)，其封裝不含鹵化物和氧化銻，滿(mǎn)足UL 94V-0阻燃標(biāo)準(zhǔn)和RoHS標(biāo)準(zhǔn)。在2010年第一季度末即將推出的SMD封裝的其它類(lèi)型SOT89、SOT223和SO-8，將擴(kuò)大新的低VCEsat (BISS)晶體管系列。恩智浦半導(dǎo)體在10年前推出了BISS晶體管家族，目前是這些產(chǎn)品的領(lǐng)導(dǎo)供應(yīng)商。
