- 最先進(jìn)的硅技術(shù)
- 采用5x6mm PQFN封裝
- 實(shí)現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先的RDS(on）
- 具有低熱阻
- 柵極電荷 (Qg) 僅52nC
- 專(zhuān)為DC開(kāi)關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)
國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出一系列新型HEXFET® 功率MOSFET，其中包括能夠提供業(yè)界最低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 的IRFH6200TRPbF。
這些新的功率MOSFET采用IR最先進(jìn)的硅技術(shù)，是該公司首批采用5x6mm PQFN封裝、優(yōu)化銅片和焊接片芯的器件。IRFH6200TRPbF 20V器件可實(shí)現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先的RDS(on)，在4.5V Vgs下，最高僅為1.2m?，顯著降低了手工工具等直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的傳導(dǎo)損耗。
IR亞洲區(qū)銷(xiāo)售副總裁潘大偉表示：“憑借在基準(zhǔn)MOSFET技術(shù)方面的豐富經(jīng)驗(yàn)和不斷努力，IR推出了結(jié)合我們最新一代芯片與PQFN封裝技術(shù)的MOSFET系列，實(shí)現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的RDS(on) ，繼續(xù)開(kāi)創(chuàng)卓越性能的先河。此外，在未來(lái)幾個(gè)月，我們將按照產(chǎn)品路線圖推出寬泛組合的PQFN基準(zhǔn)MOSFET產(chǎn)品，以滿足客戶的需求。”
25V IRFH5250TRPbF和30V IRFH53xxTRPbF器件都是專(zhuān)為DC開(kāi)關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)的，例如需要高電流承載能力和高效率的有源ORing和直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。IRFH5250TRPbF具有極低的RDS(on)，最高只有1.15m?，且柵極電荷 (Qg) 僅為52nC。而 IRFH5300TRPbF的最高RDS(on) 只有1.4m?，Qg 達(dá)到了 50nC。
如果采用 IRFH6200TRPbF、IRFH5250TRPbF 和 IRFH53xxTRPbF 器件，不僅能夠?qū)崿F(xiàn)卓越的熱性能，還可以根據(jù)給定的功率損耗要求，比現(xiàn)有解決方案使用更少的元件，節(jié)省電路板空間及成本。
所有這些新器件均具有低熱阻 (<0.5°C/W)，并達(dá)到一級(jí)濕敏 (MSL1) 工業(yè)合格水平，也不含鉛、溴化物和鹵素，且符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS) 。
