- 組合封裝的高邊和低邊MOSFET的空間和成本節省
- 同時保持低導通電阻和最大電流
日前， Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，為幫助客戶了解在一個小尺寸器件內組合封裝的高邊和低邊MOSFET如何節省DC-DC轉換器的空間和成本，該公司在其網站(http://www.vishay.com)上新增了一個流媒體視頻，展示SiZ700DT PowerPAIR®雙芯片不對稱功率MOSFET解決方案。
傳統上，設計者要在筆記本電腦、VRM、電源模塊、圖形卡、服務器和游戲機，以及工業系統的DC-DC轉換中實現系統電源、POL、低電流DC-DC和同步降壓轉換應用中所需的低導通電阻和高電流，就不得不使用兩片分立MOSFET。
新視頻展示了Vishay的SiZ700DT PowerPAIR方案如何通過將一個低邊和高邊MOSFET組合到小尺寸6mmx3.7mm的器件中，減少DC-DC轉換器中電源架構所需的空間，增加轉換器的功能，開發更小的終端產品，同時保持低導通電阻和最大電流。
SiZ700DT的低邊MOSFET在10V下的導通電阻為5.8mΩ，在+70℃下的最大電流為13.9A，高邊MOSFET在10V下的導通電阻為8.6mΩ，在+70℃下的最大電流為10.5A。這些指標使設計者能夠使用一個器件完成設計，節約方案的成本和空間，包括在兩個分立MOSFET之間的間隙和標注面積。
兩個MOSFET已經在PowerPAIR封裝內部進行連接，使得布局變得更加簡潔，同時減少PCB印制線的寄生電感，提高效率。此外，SiZ700DT的輸入引腳排列在一側，輸出引腳排列在另一側，可進一步簡化布局。
欲觀看此視頻，請訪問：
http://www.vishay.com/landingpage/videos/demo_powerpair.html。
