- 具有更低的傳導(dǎo)損耗
- 采用超薄Thin PowerPAK SC-70封裝
- 手持式電子設(shè)備
SiA444DJT在2mmx2mm占位面積內(nèi)具有N溝道MOSFET當(dāng)中最低的外形；SiA429DJT是具有最低導(dǎo)通電阻且高度只有0.8mm的P溝道器件
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用0.6mm超低外形的熱增強(qiáng)Thin PowerPAK® SC-70封裝的新款30V N溝道---SiA444DJT和20V P溝道TrenchFET®功率MOSFET---SiA429DJT。在2mm x 2mm的占位面積內(nèi)，新的SiA444DJT實(shí)現(xiàn)了N溝道MOSFET當(dāng)中業(yè)內(nèi)最低的外形，而高度不到0.8mm的SiA429DJT具有P溝道器件中最低的導(dǎo)通電阻。
如果手持設(shè)備需要比標(biāo)準(zhǔn)0.8mm更薄的N溝道MOSFET，高度為0.6mm的SiA444DJT可以滿(mǎn)足要求，其高度比次薄的2mm x 2mm器件小13%，比標(biāo)準(zhǔn)的0.8mm高度小19%。此外，該MOSFET在10V和4.5V下具有17mΩ和22mΩ的低導(dǎo)通電阻，最大導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積是衡量MOSFET在DC/DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中的優(yōu)值系數(shù)(FOM)，該器件在10V和4.5V下具有170mΩ-nC和110mΩ-nC的業(yè)內(nèi)最低FOM。
SiA429DJT在4.5V、2.5V、1.8V和1.5V下具有20.5mΩ、27mΩ、36mΩ和60mΩ的業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻，足以勝任應(yīng)用對(duì)更薄P溝道器件的要求。該器件在1.8V下的導(dǎo)通電阻比最接近的競(jìng)爭(zhēng)器件小12%，包括標(biāo)準(zhǔn)0.8mm外形的MOSFET和所有 2mm x 2mm的P溝道MOSFET。對(duì)于手持式電子設(shè)備，SiA429DJT和SiA444DJT更低的導(dǎo)通電阻意味著更低的傳導(dǎo)損耗，從而延長(zhǎng)在充電周期之間的電池壽命。
SiA444DJT和SiA429DJT所采用的超薄Thin PowerPAK SC-70封裝針對(duì)手機(jī)、智能手機(jī)、MP3播放器、數(shù)碼相機(jī)、電子書(shū)和平板電腦等小型手持式電子設(shè)備進(jìn)行了優(yōu)化。在這些設(shè)備中，SiA444DJT可用于高頻DC/DC轉(zhuǎn)換器，而SiA429DJT是負(fù)載開(kāi)關(guān)或充電開(kāi)關(guān)的理想之選，還可以在DC/DC降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中用作高邊開(kāi)關(guān)。
這些MOSFET經(jīng)過(guò)了100%的Rg測(cè)試，符合IEC 61249-2-21的無(wú)鹵素規(guī)定及RoHS指令2002/95/EC。
新款SiA444DJT和SiA429DJT TrenchFET功率MOSFET現(xiàn)可提供樣品，并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十二周到十四周。
