機(jī)遇與挑戰(zhàn)：
- 半導(dǎo)體庫(kù)存修正和晶圓設(shè)備制造供過(guò)于求
- 2011年半導(dǎo)體資本設(shè)備市場(chǎng)所有領(lǐng)域呈增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)
市場(chǎng)數(shù)據(jù)：
- 2011年全球半導(dǎo)體資本設(shè)備支出將增長(zhǎng)10.2%
Gartner指出，2011年全球半導(dǎo)體資本設(shè)備支出將達(dá)到448億美元，與2010年406億美元的支出相比，增長(zhǎng)10.2%。 然而，Gartner分析師也指出，半導(dǎo)體庫(kù)存出現(xiàn)修正，再加上晶圓設(shè)備制造供過(guò)于求，將導(dǎo)致2012年半導(dǎo)體資本設(shè)備支出略有下滑。
Gartner執(zhí)行副總裁Klaus Rinnen表示：“盡管日本的災(zāi)難性地震威脅將破壞電子產(chǎn)品供應(yīng)鏈，但自我們?cè)?011年第一季度的預(yù)測(cè)以來(lái)，資本支出和設(shè)備格局變化不大。由于日本廠商艱巨的努力，此次地震的影響已降低到最小程度。”
半導(dǎo)體資本設(shè)備市場(chǎng)的所有領(lǐng)域預(yù)計(jì)都將在2011年呈現(xiàn)增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)（見(jiàn)表一）。 Gartner分析師表示，2011年的支出是由積極的晶圓設(shè)備制造支出，處于領(lǐng)先的集成設(shè)備制造商（IDM）邏輯能力的加速生產(chǎn)，以及內(nèi)存公司加速雙重曝光等因素推動(dòng)的。2012年，半導(dǎo)體資本設(shè)備支出將下滑2.6%，隨后將在2013年增長(zhǎng)8.9%。隨著內(nèi)存供過(guò)于求的影響，周期性的下跌應(yīng)該在 2013年底出現(xiàn)。
隨著半導(dǎo)體的持續(xù)增長(zhǎng)，2011年全球晶圓制造設(shè)備（WFE）收入預(yù)計(jì)將增長(zhǎng)11.7%。英特爾、晶圓和NAND支出將推動(dòng)先進(jìn)設(shè)備的需求，從而沉浸式光刻（immersion lithography）、蝕刻（etch）、雙重曝光中涉及的某些領(lǐng)域以及關(guān)鍵領(lǐng)先的邏輯制程將會(huì)受益。
2011年全球封裝設(shè)備（PAE）收入的增長(zhǎng)預(yù)計(jì)最低，為3.6%。后端制造商在 2010年實(shí)現(xiàn)了可觀的增長(zhǎng)，但市場(chǎng)于去年第四季度開(kāi)始放緩。隨著供需趨向平衡，訂單也已經(jīng)放緩。從后端工藝提供商的資本支出的角度來(lái)說(shuō)，適用于低成本解決方案的3D包裝和銅線綁定是目前主要的側(cè)重點(diǎn)。絕大多數(shù)主要工具領(lǐng)域?qū)⒃?011年出現(xiàn)增長(zhǎng)，但先進(jìn)的模具表現(xiàn)應(yīng)在今年超越總體市場(chǎng)。
2011年，全球自動(dòng)測(cè)試設(shè)備（ATE）預(yù)計(jì)增長(zhǎng)6.9%。Gartner2011 年的增長(zhǎng)預(yù)期是由片上系統(tǒng)和先進(jìn)的射頻等細(xì)分領(lǐng)域的持續(xù)需求所推動(dòng)的。隨著DRAM的資本支出軟著陸，自動(dòng)測(cè)試設(shè)備內(nèi)存收入很有可能在2011年回落。然而，NAND測(cè)試平臺(tái)在今年仍舊保持強(qiáng)勁增長(zhǎng)。
