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FinFET先進(jìn)工藝引進(jìn)，布局和布線要經(jīng)受重大考驗
隨著高級工藝的演進(jìn)，電路設(shè)計團(tuán)隊在最先進(jìn)的晶片上系統(tǒng)內(nèi)加載更多功能和性能的能力日益增強(qiáng)。與此同時，他們同樣面臨許多新的設(shè)計挑戰(zhàn)。
2017-04-25
FinFET 布線 電路設(shè)計
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從22個方面分析：電源PCB設(shè)計與EMC的關(guān)聯(lián)
說起開關(guān)電源的難點問題，PCB布板問題不算很大難點，但若是要布出一個精良PCB板一定是開關(guān)電源的難點之一（PCB設(shè)計不好，可能會導(dǎo)致無論怎么調(diào)試參數(shù)都調(diào)試布出來的情況，這么說并非危言聳聽）原因是PCB布板時考慮的因素還是很多的，如：電氣性能，工藝路線，安規(guī)要求，EMC影響等等；考慮的因素之中...
2017-04-25
開關(guān)電源 PCB設(shè)計 EMC
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抑制模塊電源干擾的一些方法
如何抑制電磁干擾，一直都是開關(guān)電源模塊設(shè)計中不可忽視的問題，其不僅關(guān)系到電源模塊本身的可靠性，也關(guān)系到整個應(yīng)用系統(tǒng)的安全和穩(wěn)定性。全面抑制開關(guān)電源模塊的各種噪聲干擾才會使開關(guān)電源模塊得到更廣泛的應(yīng)用。
2017-04-25
抑制干擾 電源模塊 措施
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第三代半導(dǎo)體材料盛行，GaN與SiC如何撬動新型功率器件
功率管的發(fā)展微波功率器件近年來已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場效應(yīng)管以及在移動通信領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用的LDMOS 管向以碳化硅(SiC)、氮鎵(GaN) 為代表的寬禁帶功率管過渡。
2017-04-24
GaN SiC 半導(dǎo)體材料
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如何在電子設(shè)計中選一顆合適的電容？
電容器是由兩個電極及其間的介電材料構(gòu)成的。介電材料是一種電介質(zhì)，當(dāng)被置于兩塊帶有等量異性電荷的平行極板間的電場中時，由于極化而在介質(zhì)表面產(chǎn)生極化電荷，遂使束縛在極板上的電荷相應(yīng)增加，維持極板間的電位差不變。
2017-04-24
電容 電阻 電壓
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電磁兼容分層與綜合設(shè)計法
按照產(chǎn)品在電磁兼容設(shè)計時所采取的各項措施的重要性為先后，分為若干層次進(jìn)行設(shè)計，并加以綜合分析進(jìn)行適當(dāng)調(diào)整直到完善，這就是本文提出的” 電磁兼容分層與綜合設(shè)計法”。可以做到電磁兼容試驗一次成功。
2017-04-24
電磁兼容 分層與綜合設(shè)計 試驗
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珠三角的工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)轉(zhuǎn)型之謎
現(xiàn)在，擁有強(qiáng)大適應(yīng)能力的珠三角優(yōu)雅轉(zhuǎn)身，已成為中國制造向高端發(fā)展——中國智造產(chǎn)業(yè)升級樣本，同時粵港澳大灣區(qū)呼之欲出，建設(shè)瞄準(zhǔn)“世界級”格局。
2017-04-21
工業(yè)互聯(lián)網(wǎng) 珠三角
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電容種類繁多，快速識別有學(xué)問
兩個彼此絕緣、互相靠近的導(dǎo)體就構(gòu)成了一個電容器。兩個導(dǎo)體叫作電容器的兩個極，分別用導(dǎo)線引出。電容器的文字符號是C。它的大小用電容量來衡量。
2017-04-21
電容器 電路 識別
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去耦電容（decoupling capacitors）如何擺放設(shè)計？
去耦電容是電路中裝設(shè)在元件的電源端的電容，此電容可以提供較穩(wěn)定的電源，同時也可以降低元件耦合到電源端的噪聲，間接可以減少其他元件受此元件噪聲的影響。今天聊聊有意思的去耦電容的擺放設(shè)計。先來看看Bypass和decoupling充滿畫面感的區(qū)別。請看圖。
2017-04-21
去耦電容 decoupling capacitors 擺放設(shè)計
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