-
分析MOSFET功耗產生機制，提高同步整流效率
隔離式電源轉換器的次級整流產生的嚴重的二極管正向損耗是主要的損耗。因此，只有利用同步整流（SR），才可能將開關電源（SMPS）的系統總體能效提高至90%。要實現理想的開關性能，必須充分理解SR MOSFET的功耗產生機制。本文分析了SR MOSFET的關斷過程，并且提出了一個用于計算功耗以優化系統能效的...
2011-10-31
MOSFET 開關電源 同步整流 SR
-
分析系統優化小電流測量
許多關鍵應用都需要能夠測量小電流的能力——比如pA級或更小。這些應用包括確定FET的柵極漏流、測試敏感的納米電子器件，以及測量絕緣體或電容的漏流。
2011-10-31
小電流測量 半導體特性 分析系統 系統優化
-
電容電感測試儀的設計
采用LC振蕩器的振蕩原理，LC振蕩器選擇L或是C參數為固定值。通過LC的組合，振蕩器起振，當測量電容時電感固定，測量電感時電容固定。
2011-10-31
電容電感 測試儀 LC振蕩器 電感
-
太陽能熱利用行業市場將迎來新拐點
2011年，對太陽能熱利用行業來說正面臨著“拐點”。一方面，2011年太陽能熱利用行業在全球低碳經濟大潮下持續成長，整體市場將不斷增大；另一方面，行業增速放緩，市場洗牌，中小企業面臨巨大的競爭壓力。由進城到下鄉，又到今天再次進城，整個太陽能熱利用行業的發展進入到新的大轉折時期。
2011-10-31
太陽能 電池板 光伏電池 薄膜太陽能
-
SiT912x系列：SiTime新推高性能差分振蕩器
近日消息，據外媒報道，SiTime CorporatiON推出全新的最高性能MEMS差分振蕩器系列SiT912x，其頻率穩定度達10PPM、相位抖動僅500飛秒(femtosecond)。SiT9121和SiT9122系列MEMS振蕩器定位于高性能電信、儲存和網絡應用，如核心和邊緣路由器 ，SATA 、 SAS 、光纖通道主機總線配接器、云端儲存、服務器...
2011-10-31
壓控振蕩器 射頻 通信電路 高頻模擬系統
-
臺達蟬聯中國低壓變頻器“十大國際品牌”
近日，喜訊傳來——臺達蟬聯中國低壓變頻器“十大國際品牌”殊榮。由《變頻器世界》聯合多家行業組織主辦的第八屆變頻器行業企業家論壇暨第九屆電力電子論壇在北京翠宮飯店隆重舉行，在同期舉行的“2010~2011年度變頻器行業評選活動”中，授予臺達品牌為中國低壓變頻器“十大國際品牌”。
2011-10-29
低壓變頻器 變頻器
-
為同步整流選擇最優化的MOSFET
隔離式電源轉換器的次級整流產生的嚴重的二極管正向損耗是主要的損耗，因此，只有利用同步整流（SR）才可能達到這些標準要求的能效水平。用MOSFET替代二極管引發了新的挑戰——優化系統能效和控制電壓過沖。本文介紹了通過確定優化MOSFET的負載電流及借助四象限SR器件優化表，幫助選擇最佳MOSFET的方法。
2011-10-28
同步整流 電源轉換器 MOSFET SR
-
意法半導體公布2011年第三季度及前九個月的財報
意法半導體（STMicroelectronics)公布了截至2011年10月1日的第三季度及前九個月的財務結果。
2011-10-28
半導體廠 半導體 晶片 半導體市場
-
2011年第四季度液晶面板供貨：問題在于開工率而非供貨量
液晶面板業界，對市場遇冷的擔心非常多。為此，我們——臺灣Isaiah Research就2011年第四季度液晶面板市場形勢會有多嚴峻進行了調查。結果發現，供貨量的跌幅并不大。但由于工廠開工率較低，估計各大公司改善收益的時期尚很遙遠。
2011-10-28
液晶面板 液晶 顯示 面板供貨
- 機構預警：DRAM價格壓力恐持續至2027年，存儲原廠加速擴產供應HBM
- IDC發出預警：存儲芯片暴漲，明年DIY電腦成本恐大幅攀升
- 2025年全球智能手表市場觸底反彈，出貨量將增長7%
- 從集成到獨立！三星首款2nm芯片Exynos 2600將不集成5G基帶
- AI熱潮的連鎖反應：三星、SK海力士上調HBM3E合約價
- ESIS 2026第五屆中國電子半導體數智峰會強勢來襲！報名通道已開啟~
- 100/1000BASE-T1驗證新路徑！泰克-安立協同方案加速車載網絡智能化升級
- 從“天-地”協同到效率躍升：PoE賦能AMR落地全解析
- IGBT基礎知識：器件結構、損耗計算、并聯設計、可靠性
- 無負擔佩戴,輕便舒適體驗:讓智能穿戴設備升級你的生活方式
- 車規與基于V2X的車輛協同主動避撞技術展望
- 數字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰
- 汽車模塊拋負載的解決方案
- 車用連接器的安全創新應用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
