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優化變換器的FET開關以改善能量效率
現在越來越多的設計師在關注DC/DC功率系統的效率問題，功率MOSFET是DC/DC功率電路中功率損耗的罪魁禍首，而通過采用先進的器件，可以將這一損耗大幅降低。MOSFET廠商主要通過兩種方式來優化工藝的發展。首先，為了改善產品的開關特性（開關速度），他們實施了先進的柵極結構設計，降低了柵極電荷（Q...
2008-09-18
MOSFET 開關和傳導損耗 系統級效率 開關特性 單元密度
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電子變壓器發展方向 微型化發展
電子變壓器行業為適應市場經濟和配套的需求，近幾年，經營機制有了較大的轉變。行業協會統計的數據顯示，民營企業已占電子變壓器行業的50%左右。目前我國電子變壓器市場基本處于穩定狀態，由于電子變壓器屬于勞動密集型產品，我國勞動力成本比較低廉，行業沒有受到較大沖擊，出口方面反而有了進一步...
2008-09-17
電子變壓器 壓電陶瓷變壓器
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電子變壓器發展方向 微型化發展
電子變壓器行業為適應市場經濟和配套的需求，近幾年，經營機制有了較大的轉變。行業協會統計的數據顯示，民營企業已占電子變壓器行業的50%左右。目前我國電子變壓器市場基本處于穩定狀態，由于電子變壓器屬于勞動密集型產品，我國勞動力成本比較低廉，行業沒有受到較大沖擊，出口方面反而有了進一步...
2008-09-17
電子變壓器 壓電陶瓷變壓器
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電子變壓器發展方向 微型化發展
電子變壓器行業為適應市場經濟和配套的需求，近幾年，經營機制有了較大的轉變。行業協會統計的數據顯示，民營企業已占電子變壓器行業的50%左右。目前我國電子變壓器市場基本處于穩定狀態，由于電子變壓器屬于勞動密集型產品，我國勞動力成本比較低廉，行業沒有受到較大沖擊，出口方面反而有了進一步...
2008-09-17
電子變壓器 壓電陶瓷變壓器
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SuperMESH3系列： ST照明和開關電源應用功率MOSFET
意法半導體（ST）進一步提高照明鎮流器功率MOSFET晶體管的耐受能力、開關性能和能效，功率MOSFET被用于鎮流器的功率因數校正器和半橋電路以及開關電源內。SuperMESH3的創新技術，配合優異的dv/dt性能及更高的擊穿電壓裕度，將大幅度提高可靠性和安全性。
2008-09-17
MOSFET STx6N62K3 STx3N62K3 STx7N52K3 STx6N52K3 SuperMESH3
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SuperMESH3系列： ST照明和開關電源應用功率MOSFET
意法半導體（ST）進一步提高照明鎮流器功率MOSFET晶體管的耐受能力、開關性能和能效，功率MOSFET被用于鎮流器的功率因數校正器和半橋電路以及開關電源內。SuperMESH3的創新技術，配合優異的dv/dt性能及更高的擊穿電壓裕度，將大幅度提高可靠性和安全性。
2008-09-17
MOSFET STx6N62K3 STx3N62K3 STx7N52K3 STx6N52K3 SuperMESH3
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VPR221Z/SZ ：Vishay 新型超高精度Z箔電阻
Vishay宣布推出新型 VPR221Z超高精度 Z 箔電阻。此新器件可提供 ±0.05ppm/°C及 ±0.2 ppm/°C的工業級別絕對 TCR、在 +25°C 時最多 8W 的額定功率、±4ppm/W （典型值）的優越功率系數（“自身散熱產生的 ?R”）及 ±0.01% 的容差。
2008-09-17
電阻 VPR221Z VPR221SZ
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VPR221Z/SZ ：Vishay 新型超高精度Z箔電阻
Vishay宣布推出新型 VPR221Z超高精度 Z 箔電阻。此新器件可提供 ±0.05ppm/°C及 ±0.2 ppm/°C的工業級別絕對 TCR、在 +25°C 時最多 8W 的額定功率、±4ppm/W （典型值）的優越功率系數（“自身散熱產生的 ?R”）及 ±0.01% 的容差。
2008-09-17
電阻 VPR221Z VPR221SZ
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我國遭美"337調查" LED企業上升至10家
2008年8月30日，我國又有6家LED企業即半導體照明企業，被控涉嫌專利侵權而將面臨美國國際貿易委員會(U.S.ITC)的“337調查”。加上此前已有6家中國大陸LED企業被起訴且其中4家被列入ITC“337調查”名單，今年以來，我國已有12家LED企業遭遇海外知識產權糾紛(不包括我國臺灣地區企業)。
2008-09-16
知識產權 LED Rothschild 337調查
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