- 具有提高電子和空穴之間重組率的作用
- 元件活性層部分的直徑約為3μm
- 可在室溫下，通過電流注入可以發出波長為1.2μm左右的光線
- 光開關
東京都市大學（原武蔵工業大學）宣布其制作出了采用鍺（Ge）量子點的硅發光元件，并在室溫下確認了基于電流激勵的發光現象。由于可在CMOS工藝中使用具有兼容性的制造工藝、還有望實現激光振蕩，距離硅光子的實現更近了一步。
元件的構造。基本為pin構造，i層上排列了鍺量子點。還確認到了作為二極管的整流特性。
開發此次發光元件的是東京都市大學綜合研究所硅納米科學研究中心。在基于硅的pin構造元件的i層中，嵌入了直徑為數十～100nm的鍺微小粒子（量子點），這種粒子“具有提高電子和空穴之間重組率的作用”（硅納米科學研究中心主任、東京都市大學工學部教授丸泉琢也）。丸泉表示，“量子點是通過MBE（分子束外延）法在約400℃溫度下形成的，因此元件的制造工藝與CMOS工藝具有兼容性”。元件活性層部分的直徑約為3μm。
電流注入時的發光波長和發光強度的變化
現已確認，該元件可在室溫（300K）下，通過電流注入可以發出波長為1.2μm左右的光線。發光的內部量子效率為10-2。丸泉表示，“除了量子效率較高外，該元件無論在熱力學上還是在化學性能上都很穩定，綜合來看比現有的硅類發光元件更有優勢”。
與其他硅類發光元件的比較
另外，該元件還呈現出如果增加注入電流、發光強度就會大幅提高的傾向，因此丸泉表示，“如果通過光子結晶形成共振器構造，就應該會產生激光振蕩。今后計劃將發光波長變更為可用于通信的1.5μm頻帶。將在2～3年后開發出作為光開關工作的元件，并實現實用化”。
