【導(dǎo)讀】本應(yīng)用筆記介紹了 MLX10803 降壓拓?fù)渲衅骄?LED 電流的依賴性來源。由于其設(shè)計(jì)工作在低于 150 kHz 的開關(guān)頻率，因此本文檔將介紹如何使用前饋補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)解決相關(guān)性。
本應(yīng)用筆記介紹了 MLX10803 降壓拓?fù)渲衅骄?LED 電流的依賴性來源。由于其設(shè)計(jì)工作在低于 150 kHz 的開關(guān)頻率，因此本文檔將介紹如何使用前饋補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)解決相關(guān)性。
理論：開關(guān)延遲
由于內(nèi)部傳播延遲而導(dǎo)致的延遲
在上圖中（圖 1），線圈電流的 IREF/VREF 引腳上定義的閾值達(dá)到 1。但是，MLX10803 在檢測(cè)到RSense 上的閾值（為 1），DRVOUT 上的 FET 實(shí)際開關(guān)為 2。
備注：該延遲與去抖時(shí)間 (Tdeb ~ 30 ns) 無關(guān)。Tdeb 旨在消除由于 RSense 引腳上的振鈴而導(dǎo)致的任何問題。
由于驅(qū)動(dòng)器 FET 的下降斜率導(dǎo)致的延遲
關(guān)閉 FET 所需的時(shí)間會(huì)產(chǎn)生額外的延遲：T_FEToff_delay
例如：
使用 EVB10803_1 降壓評(píng)估板時(shí)，其中 SOT223 BSP318 由 R2 = 100 Ω 驅(qū)動(dòng)，F(xiàn)ET 關(guān)閉延遲約為 30 ns。
相比之下，SOT23 PMV213SN 具有較小的柵極電容，與 100 Ω 驅(qū)動(dòng)電阻相結(jié)合會(huì)增加約 120 ns 的延遲（參見圖 2）。
由于開關(guān)延遲而導(dǎo)致 ILED 的電源依賴性
平均 LED 電流的誤差取決于電源。
[tex] I _ {error}=frac{V_ {sup}-V_ {LED}}{L}times T_ {totalhspace{1mm}offhspace{1mm}delay} [/tex]
和：
[tex] T_ {totalhspace{1mm}offhspace{1mm}delay}=T_ {內(nèi)部
延遲}+T_ {FEToffDelay} [/tex]
評(píng)論：
FET 的下降沿通常是主要因素。減少 T_FETToffDelay 將增加 FM 無線電頻段的 EMC 噪聲。FM 無線電頻段中的這種噪聲可以通過在 FET 源路徑中添加鐵氧體磁珠來改善。
增大電感值 L 也會(huì)減小 Ierror。
通過在 Rsense (R7) 上的電壓之上添加一個(gè)依賴于電源的電壓來實(shí)現(xiàn)補(bǔ)償。當(dāng)電源電壓上升時(shí)，RSENSE 輸入引腳上的電壓會(huì)增加。當(dāng)電源電壓上升時(shí)，這會(huì)降低峰值電流閾值，從而穩(wěn)定 LED 電流。
實(shí)際實(shí)現(xiàn)是通過添加 2 個(gè)電阻器 R1 和 R6 來完成的。這會(huì)產(chǎn)生補(bǔ)償電流，近似為：
[tex] I_ {VCMP}=-[frac{R_ {6}/(R_ {6}+R_ {1})× V_ {S}}{R_ {7}}] [/tex]
電流補(bǔ)償斜率由 –R6/(R6+R1) 確定，可用于補(bǔ)償由于非零關(guān)斷延遲而導(dǎo)致的 ILED 上升。需要進(jìn)行一些實(shí)驗(yàn)才能找到正確的值。
下面的應(yīng)用示意圖中的補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)已將電源依賴性降低至 ±1% 以下。
* R1 = 引腳 8 和引腳 5 之間的 47 kΩ MLX10803
* R6 = R3 和引腳 5 MLX10803 之間的 200 Ω 電阻
免責(zé)聲明：本文為轉(zhuǎn)載文章，轉(zhuǎn)載此文目的在于傳遞更多信息，版權(quán)歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權(quán)問題，請(qǐng)聯(lián)系小編進(jìn)行處理。
推薦閱讀：
SiC優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用及加速向脫碳方向發(fā)展
硅基氮化鎵在射頻市場(chǎng)的應(yīng)用日益廣泛
