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補(bǔ)償 EMI 濾波器 X 電容對有源 PFC 功率因數(shù)的影響

現(xiàn)代開關(guān)模式電源使用 X 電容器和 Y 電容器與電感器的組合來過濾共模和差模 EMI。濾波器元件位于任何有源（或無源）功率因數(shù)校正 (PFC) 電路的前面（圖 1），因此 EMI 濾波器的電抗對功率因數(shù) (PF) 造成的任何失真都會改變甚至完美的功率因數(shù)校正 (PFC) 電路。修正了電壓-電流關(guān)系。

2023-07-06

EMI 濾波器  X 電容  PFC 功率

利用MAXQ3210進(jìn)行環(huán)境監(jiān)視

在MAXQ系列以及其他嵌入式微控制器中，MAXQ3210獨(dú)具特色。它把基于EEPROM的代碼和 數(shù)據(jù)存儲、壓電喇叭驅(qū)動(dòng)器、9V穩(wěn)壓器集成在低引腳數(shù)封裝內(nèi)。高性能的16位RISC核使其運(yùn)行 速度快，并且省電。由于是基于MAXQ10核， MAXQ3210不同于其他的MAXQ微控制器，它采 用的是8位累加器，而不是16位累加器。MAXQ...

2023-07-06

MAXQ3210  環(huán)境監(jiān)視

PCB 布局來減少二次諧波失真

值得一提的是，實(shí)際上，變壓器輸出不是理想的差分信號——兩個(gè)輸出之間可能存在相位和/或幅度不平衡。這些不平衡會增加二次諧波失真。可以看出，二次諧波幅度受相位不平衡的影響比幅度不平衡的影響更嚴(yán)重。

2023-07-06

PCB  諧波失真

了解壓電傳感器：壓電效應(yīng)

壓電加速度計(jì)的個(gè)關(guān)鍵方面是壓電效應(yīng)。一般來說，壓電材料在受到機(jī)械應(yīng)力時(shí)可以產(chǎn)生電力。相反，對壓電材料施加電場可以使其變形并產(chǎn)生小的機(jī)械力。盡管大多數(shù)電子工程師都熟悉壓電效應(yīng)，但有時(shí)并沒有完全理解這種有趣現(xiàn)象的細(xì)節(jié)。

2023-07-06

壓電傳感器  壓電效應(yīng)

DC/DC開關(guān)電源電感下方到底是否鋪銅？

電感有交變電流，電感底部鋪銅會在地平面上產(chǎn)生渦流，渦流效應(yīng)會影響功率電感的電感量，渦流也會增加系統(tǒng)的損耗，同時(shí)交變電流產(chǎn)生的噪聲會增加地平面的噪聲，會影響其他信號的穩(wěn)定性。

2023-07-04

DC/DC開關(guān)電源  電感  鋪銅

耗盡型功率MOSFET：被忽略的MOS產(chǎn)品

功率MOSFET最常用于開關(guān)型應(yīng)用中，發(fā)揮著開關(guān)的作用。然而，在諸如SMPS的啟動(dòng)電路、浪涌和高壓保護(hù)、防反接保護(hù)或固態(tài)繼電器等應(yīng)用中，當(dāng)柵極到源極的電壓VGS為零時(shí)，功率MOSFET需要作為常“開”開關(guān)運(yùn)行。在VGS=0V時(shí)作為常 "開 "開關(guān)的功率MOSFET，稱為耗盡型(depletion-mode ) MOSFET。

2023-07-04

功率MOSFET  浪涌保護(hù)  高壓保護(hù)

典型 RC 波形

然后，通過改變RC時(shí)間常數(shù)或輸入波形的頻率，我們可以改變電容器兩端的電壓，從而產(chǎn)生Vc和時(shí)間t之間的關(guān)系。這種關(guān)系可用于改變各種波形的形狀，以便電容器兩端的輸出波形幾乎與輸入波形相似。

2023-07-04

RC 波形

精密低功耗信號鏈：具有可配置性的獨(dú)特交流耦合解決方案

在上一博客文章中，我們討論了在存在大得多的直流偏移和低頻干擾的情況下測量小信號時(shí)，交流和直流耦合信號鏈之間的權(quán)衡。我們還表明，高通濾波器在交流耦合信號鏈中的位置很重要，會影響CMRR、輸入阻抗和前端可應(yīng)用的增益量等性能指標(biāo)。實(shí)現(xiàn)高通濾波器功能的另一種有趣方法如下圖1所示。積分器電路...

2023-07-03

低功耗信號鏈`  交流耦合

測量三種不同類型的放大器增益

放大器增益的介紹可以說是輸出端測得的信號與輸入端測得的信號之間存在的關(guān)系。可以測量三種不同類型的放大器增益，它們是：電壓增益( Av )、電流增益( Ai ) 和功率增益( Ap )，具體取決于測量的量，下面給出了這些不同類型增益的示例。

2023-07-03