產(chǎn)品特性：
- 采用引線(xiàn)帶楔焊鍵合與表面貼裝技術(shù)
- 電阻率：1.5毫歐，低損耗
- 開(kāi)關(guān)損耗低，抗雪崩性能強(qiáng)
- 功率高，額定功率為300W
- 工作溫度可達(dá)175℃，可用于55V設(shè)備
- 有額定連續(xù)電流250A、200A的兩款產(chǎn)品
應(yīng)用范圍：
- 強(qiáng)電流電力牽引設(shè)備
- 叉車(chē)、高爾夫球用車(chē)和電動(dòng)托盤(pán)裝卸車(chē)
- 電動(dòng)托盤(pán)裝卸車(chē)
- 割草機(jī)、電動(dòng)輪椅和電動(dòng)自行車(chē)等
意法半導(dǎo)體（紐約證券交易所代碼：STM）推出一款250A表面貼裝的功率MOSFET晶體管，新產(chǎn)品擁有市場(chǎng)上最低的導(dǎo)通電阻，可以把功率轉(zhuǎn)換損耗降至最低，并提高系統(tǒng)性能。
新產(chǎn)品STV250N55F3是市場(chǎng)上首款整合ST PowerSO-10封裝和引線(xiàn)帶楔焊鍵合技術(shù)的功率MOSFET，無(wú)裸晶片封裝的電阻率極低。新產(chǎn)品采用ST的高密度STripFET III制程，典型導(dǎo)通電阻僅為1.5毫歐。STripFET III更多優(yōu)點(diǎn)包括：開(kāi)關(guān)損耗低，抗雪崩性能強(qiáng)。除提高散熱效率外，九線(xiàn)源極連接配置還有助于降低電阻。在25℃時(shí)，封裝的額定功率為300W。
新產(chǎn)品的高額定電流讓工程師可以設(shè)計(jì)多個(gè)并聯(lián)的MOSFET，達(dá)到節(jié)省電路板空間和材料成本的目的。標(biāo)準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)閾壓還有助于簡(jiǎn)化驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)。STV250N55F3適用于高達(dá)55V的電力設(shè)備。
高達(dá)175℃的工作溫度使STV250N55F3適用于強(qiáng)電流電力牽引設(shè)備，如叉車(chē)、高爾夫球用車(chē)和電動(dòng)托盤(pán)裝卸車(chē)以及割草機(jī)、電動(dòng)輪椅和電動(dòng)自行車(chē)。新產(chǎn)品在晶圓和成品階段都經(jīng)過(guò)100%的雪崩測(cè)試，為可靠性和抗擊穿性提供了有力的保障。新產(chǎn)品將很快達(dá)到汽車(chē)級(jí)產(chǎn)品質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)。
在同一個(gè)產(chǎn)品系列，ST還有一款型號(hào)為55V STV200N55F3的產(chǎn)品，該產(chǎn)品的額定漏極連續(xù)電流為200A，源極連線(xiàn)配置為4線(xiàn)。
STV250N55F3樣片即刻上市銷(xiāo)售，預(yù)計(jì)2008年第三季度開(kāi)始量產(chǎn)。
