產品特性：
- PowerPAK SO-8 封裝
- 4.5V 柵極電壓時有2.25 毫歐最大導通電阻
- 導通電阻與柵極電荷乘積為 98
應用范圍：
- 穩壓器模塊、服務器
- 使用負載點功率轉換的眾多系統
日前，Vishay推出新型第三代 TrenchFET功率 MOSFET 系列中的首款器件，該器件具有破紀錄的導通電阻規格及導通電阻與柵極電荷乘積。
新型 TrenchFET第三代 Si7192DP是一款采用 PowerPAK SO-8 封裝的 n 通道器件，在 4.5V 柵極驅動電壓時具有 2.25 毫歐的最大導通電阻。導通電阻與柵極電荷乘積是直流到直流轉換器應用中針對 MOSFET 的關鍵優值 (FOM)，該值為 98，是任何采用 SO-8 封裝的 VDS= 30V、VGS= 20 V 器件的新業界標準。與分別為實現低導通損失及低開關損失而優化的最接近競爭器件相比，這些代表了市場上最佳的現有規格。更低的導通電阻及更低的柵極電荷分別可轉變成更低的傳導損失及更低的開關損失。
Vishay Siliconix Si7192DP 將在同步降壓轉換器以及二級同步整流及 OR-ing 應用中作為低端 MOSFET。其低導通及開關損失將使穩壓器模塊 (VRM)、服務器及使用負載點 (POL) 功率轉換的眾多系統實現功效更高且更節省空間的設計。
目前，Si7192DP 控制器的樣品和量產批量已可提供，大宗訂單的供貨周期為 10～12 周。
