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超薄筆記本電腦電源適配器設(shè)計

發(fā)布時間:2009-07-13

中心議題:
  • 反激式轉(zhuǎn)換器的創(chuàng)新設(shè)計方法
  • TOPSwitch-HX控制器具體應(yīng)用
解決方案:
  • 使用TOPSwitch-HX控制器對電能轉(zhuǎn)換多模式控制
  • 以132kHz頻率進(jìn)行開關(guān)降低損耗
  • 調(diào)整MOSFET導(dǎo)通時間來控制輸出電壓
對于力求新穎別致的筆記本電腦而言,它應(yīng)該外形纖薄,且越薄越好,當(dāng)然,它的電源也應(yīng)如此。但要以合理的成本設(shè)計出能夠裝入厚度不足15毫米的機(jī)殼中的電源非常具有挑戰(zhàn)性。盡管筆記本電源必須滿足所有標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范,但在超薄型適配器中并沒有為體積較大的散熱片或散熱器預(yù)留空間。因此,為減少熱量產(chǎn)生,電源應(yīng)具有極高效率,且必須對其進(jìn)行有效的散熱設(shè)計。

本文介紹反激式轉(zhuǎn)換器的一種創(chuàng)新設(shè)計方法,它通過先進(jìn)的控制技術(shù)來提升所有功率水平的效率,并實現(xiàn)超低空載功耗。這種設(shè)計方法可使制造商以與標(biāo)準(zhǔn)“磚塊式”筆記本適配器相當(dāng)?shù)某杀旧a(chǎn)出超薄筆記本適配器,同時這些超薄筆記本適配器的性能還超出了能源之星EPSv2.0的功率效率要求和其它全球性能效標(biāo)準(zhǔn)。
                              
                                                         圖1:典型的反激式轉(zhuǎn)換器電路簡圖
TOPSwitch-HX在單個IC封裝中集成了一個700VMOSFET、MOSFET柵極驅(qū)動和一個用戶可選擇限流點的PWM控制器。在使能狀態(tài)下,控制器的振蕩器在每個時鐘周期開始時導(dǎo)通功率MOSFET。當(dāng)電流達(dá)到限流點或達(dá)到反饋信號設(shè)置的占空比(PWM控制)時,MOSFET才會關(guān)斷。PWM控制器關(guān)斷MOSFET后,變壓器繞組間的電壓開始反向,輸出二極管被正向偏置,電流開始流入次級繞組,從而補(bǔ)充輸出電容中的電荷并將電流供應(yīng)給負(fù)載。

PWM控制在高功率下可提供較高的效率,但當(dāng)功率下降到中低水平時,效率將會隨之降低。我們可以通過分析開關(guān)電源中損耗產(chǎn)生的原因來探究其中的緣由。電源中有兩種基本損耗:電流流動產(chǎn)生的阻性損耗,以及電路中電感和電容負(fù)載產(chǎn)生的開關(guān)損耗。

阻性損耗是電流均方根(RMS電流)的函數(shù),因此,當(dāng)功率水平較高時,阻性損耗就相當(dāng)大。開關(guān)損耗與開關(guān)頻率成比例。因此一般情況下,當(dāng)功率較低時,將會出現(xiàn)開關(guān)損耗(隨頻率變化而變化),從而嚴(yán)重限制電源的效率。

通過將開關(guān)頻率保持在較低水平,可以降低開關(guān)損耗,從而提高中低功率下的效率。不過,通過提高頻率可以減小某些元件(如變壓器、輸出電容和后級LC濾波器等)的尺寸,這一點對于設(shè)計薄型筆記本適配器很有利。

集成在TOPSwitch-HX器件中的700VMOSFET采用特殊制造技術(shù),能以132kHz頻率進(jìn)行開關(guān),其總體損耗比以更低頻率工作的其它同類MOSFET產(chǎn)品低得多。利用132kHz的開關(guān)能力,PI研發(fā)出一種名為SlimCore的薄型變壓器架構(gòu),這樣就可以在薄型筆記本適配器應(yīng)用中采用低成本的線繞變壓器。

為克服PWM控制常見的效率限制問題,PI在TOPSwitch中采用了包含四種工作模式的多模式PWM引擎,以優(yōu)化所有功率水平下的開關(guān)頻率和均方根(RMS)電流(圖2)。[page]
                             
                                                     圖2:TOPSwitch多模式控制
在高負(fù)載條件下,TOPSwitch-HX控制器工作于全頻PWM模式,此時用戶既可使用尺寸較小的元件,又可實現(xiàn)高效率。隨著負(fù)載的降低,控制器也降低頻率,從而降低開關(guān)損耗。它先切換到變頻模式,然后切換到頻率較低的固定頻率PWM模式。當(dāng)負(fù)載極輕時,控制方式從PWM控制模式開始切換,并采用多周期調(diào)制控制算法。TOPSwitch-HX能根據(jù)經(jīng)由光耦器饋入到控制引腳的反饋電流(圖1),自動在各控制模式間切換。

在高負(fù)載條件下,全頻PWM模式可實現(xiàn)高效率開關(guān)。開關(guān)頻率選定為132kHz,這樣能減小變壓器尺寸,同時能使開關(guān)頻率保持在150kHz步降開關(guān)以下,從而符合傳導(dǎo)EMI標(biāo)準(zhǔn)。占空比與反饋到控制引腳的控制電流呈線性函數(shù)關(guān)系并隨之減小。

隨著輸出負(fù)載的降低,TOPSwitch-HX控制將切換至變頻模式(VFM)。在此模式下,功率MOSFET峰值漏極電流將保持不變,同時開關(guān)頻率會從132kHz的初始全頻(或66kHz,取決于用戶的選擇)下降到30kHz。占空比隨著負(fù)載的降低而減小,這一過程通過延長開關(guān)脈沖之間的關(guān)斷時間來完成。開關(guān)頻率的降低導(dǎo)致開關(guān)損耗下降,并可在負(fù)載降低時維持電源效率恒定不變。

隨著電源負(fù)載進(jìn)一步降低和開關(guān)頻率達(dá)到30kHz,TOPSwitch-HX將切換至固定低頻PWM模式。在此模式下,通過調(diào)整MOSFET導(dǎo)通時間,可使開關(guān)頻率保持在音頻波段以上并維持輸出穩(wěn)壓。開關(guān)頻率保持恒定不變且占空比減小,工作方式與全頻PWM模式相同,都通過縮短MOSFET導(dǎo)通時間來實現(xiàn)。峰值漏極電流從初始的最大值下降到最小值,即設(shè)定流限值的25%,這樣可以在低功率時保持高效率,避免音頻噪聲問題。

TOPSwitch-HX進(jìn)入其最后的工作模式,即多周期調(diào)制模式,以支持超低負(fù)載要求。當(dāng)峰值漏極電流降到設(shè)定流限值的25%時,控制器便會切換到多周期調(diào)制模式。在此模式下,每當(dāng)根據(jù)回路要求傳導(dǎo)能量時,功率MOSFET將以30kHz的開關(guān)頻率開關(guān),且至少持續(xù)135μs。這將產(chǎn)生一組至少四到五個的開關(guān)脈沖,這些脈沖的峰值初級電流固定為設(shè)定流限值的25%,且不受控制環(huán)路的影響。

135μs的強(qiáng)制性最小開關(guān)時間過后,控制器將以逐周期的方式對來自環(huán)路的反饋信號作出反應(yīng)。隨后MOSFET關(guān)斷,直至控制引腳電流降到預(yù)設(shè)值以下。這種工作模式可使與峰值漏極電流成比例的變壓器磁通密度減小,繼而將變壓器發(fā)出的音頻噪音降至最低,同時還可以避免6kHz到15kHz之間的開關(guān)頻率。常采用的反激式轉(zhuǎn)換器磁芯尺寸的自諧振頻率通常介于此頻率范圍內(nèi)。
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多周期調(diào)制功能可有效地將每個平均開關(guān)頻率控制在所需的音頻范圍內(nèi),保持輸出穩(wěn)壓,同時避免出現(xiàn)前面提到的磁芯自諧振頻率。因此,與更為傳統(tǒng)的突發(fā)工作模式不同的是,多周期調(diào)制能確保音頻噪音得到有效抑制,同時還可提高工作效率。

上述控制模式為電源設(shè)計師提供了內(nèi)置的設(shè)計方法。該方法可在整個功率范圍內(nèi)實現(xiàn)高效率,但對設(shè)計師而言,仍還有許多工作要做。電源設(shè)計必須要安全地解決所有故障情況和最差情況下的元件容差問題。在以非連續(xù)導(dǎo)通模式(DCM)工作的反激式轉(zhuǎn)換器中,輸出到負(fù)載的功率與開關(guān)頻率、變壓器初級電感量以及峰值電流平方均成比例。

因此,這三個參數(shù)的微小變化便可導(dǎo)致過載電流遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出故障條件下的額定輸出值。為構(gòu)建能經(jīng)受此類故障的電源,就必須采用較大的元件,但這卻會給薄型筆記本適配器設(shè)計帶來空間和散熱兩大難題。

TOPSwitch-HX已解決了上述難題。TOPSwitch-HX引入額外的電路,并在最終測試中采用參數(shù)調(diào)整技術(shù),以控制開關(guān)頻率與流限值平方的乘積的最大值和最小值,這在數(shù)據(jù)手冊中用一個新的參數(shù)來表征,即功率因數(shù)(I2f)。

在圖3中,對TOPSwitch-HX與上一代的TOPSwitch-GX(無I2f調(diào)整)的工作區(qū)域進(jìn)行了比較。去除特性曲線的左下方區(qū)域(I2f=0.81),TOPSwitch-HX可確保在最差情況下提高通過變壓器傳導(dǎo)的最小能量。這樣,使用一個初級繞組電感低于先前要求的大約9%的變壓器,即足以在最差情況下提供指定的輸出電流。

去除右上方區(qū)域(I2f=1.21)可降低最大過載功率,同樣,使用一個初級繞組電感低于先前要求的大約9%的變壓器也可以實現(xiàn)這一點,從而降低電路中許多元件的最大功率要求。在TOPSwitch-HX中引入I2f調(diào)整技術(shù),是設(shè)計薄型筆記本適配器的關(guān)鍵促成因素。該技術(shù)可在給定設(shè)計中使給定的變壓器磁芯尺寸提供更多功率輸出,使過載功率與額定功率的比率大幅降低,并使導(dǎo)通損耗更小。
                         
                                                              圖3:功率因數(shù)的影響
集成多模式控制及I2f調(diào)整功能的TOPSwitch-HX器件,13.5mm的凈空高度可容納整個電源,而制造成本卻與雙倍尺寸的適配器相當(dāng)。該設(shè)計的平均功率效率大于87%,超出了能源之星EPSv2.0的要求。當(dāng)采用交流230V輸入時,電路空載功耗可降到300mW以下,遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于能源之星所允許的500mW空載功耗。

綜上所述,采用TOPSwitch-HX的超薄型筆記本適配器不再昂貴。所有筆記本適配器都可以采用這種方式進(jìn)行設(shè)計和制造,既節(jié)省材料又節(jié)約能耗。超薄型筆記本適配器可節(jié)省功率和成本。
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