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一種全新的新型的多門3D晶體管技術

發布時間:2013-03-19 責任編輯:easonxu

【導讀】FinFET技術面臨的挑戰與發展前景。和傳統的平面型晶體管相比,FinFET器件可以提供更顯著的功耗和性能上的優勢。FinFET器件是場效應晶體管(FET),名字的由來是因為晶體管的柵極環繞著晶體管的高架通道。


FinFET技術是電子行業的下一代前沿技術,是一種全新的新型的多門3D晶體管。和傳統的平面型晶體管相比,FinFET器件可以提供更顯著的功耗和性能上的優勢。英特爾已經在22nm上使用了稱為“三柵”的FinFET技術,同時許多晶圓廠也正在準備16納米或14納米的FinFET工藝。雖然該技術具有巨大的優勢,但也帶來了一些新的設計挑戰,它的成功,將需要大量的研發和整個半導體設計生態系統的深層次合作。

圖1:FinFET技術
圖1:FinFET技術

FinFET器件是場效應晶體管(FET),名字的由來是因為晶體管的柵極環繞著晶體管的高架通道,這稱之為“鰭”。比起平面晶體管,這種方法提供了更多的控制電流,并且同時降低漏電和動態功耗。 比起28納米工藝,16納米/14納米FinFET器件的進程可以提高40-50%性能,或減少50%的功耗。一些晶圓廠會直接在16納米/14納米上采用FinFET技術,而一些晶圓廠為了更容易地整合FinFET技術,會在高層金屬上保持在20nm的工藝。

那么20納米的平面型晶體管還有市場價值么?這是一個很好的問題,就在此時,在2013年初,20nm的平面型晶體管技術將會全面投入生產而16納米/14納米FinFET器件的量產還需要一到兩年,并且還有許多關于FinFET器件的成本和收益的未知變數。但是隨著時間的推移,特別是伴隨著下一代移動消費電子設備發展,我們有理由更加期待FinFET技術。

和其他新技術一樣,FinFET器件設計也提出了一些挑戰,特別是對于定制/模擬設計。一個挑戰被稱為“寬度量化”,它是因為FinFET元件最好是作為常規結構放置在一個網格。標準單元設計人員可以更改的平面晶體管的寬度,但不能改變鰭的高度或寬度的,所以最好的方式來提高驅動器的強度是增加鰭的個數。增加的個數必須為整數, 你不能添加四分之三的鰭。

另一個挑戰來自三維技術本身,因為三維預示著更多的電阻的數目(R)和電容(C)的寄生效應,所以提取和建模也相應困難很多。設計者不能再只是為晶體管的長度和寬度建模,晶體管內的Rs和Cs,包括本地互連,鰭和柵級,對晶體管的行為建模都是至關重要的。還有一個問題是層上的電阻。20納米的工藝在金屬1層下增加了一個局部互連,其電阻率分布是不均勻的,并且依賴于通孔被放置的位置。另外,上層金屬層和下層金屬層的電阻率差異可能會達到百倍數量級。

還有一些挑戰,不是來自于FinFET自身,而是來至于16nm及14nm上更小的幾何尺寸。一個是雙重圖形,這個是20nm及以下工藝上為了正確光蝕/刻蝕必須要有的技術。比起單次掩模,它需要額外的mask,并且需要把圖形分解,標上不同的顏色,并且實現在不同的mask上。布局依賴效應(LDE)的發生是因為當器件放置在靠近其他單元或者器件時,其時序和功耗將會受影響。還有一個挑戰就是電遷移變得更加的顯著,當隨著幾何尺寸的縮小。

如前所述,上述問題將影響影響定制/模擬設計。如果數字設計工程師能夠利用自動化的,支持FinFET器件的工具和支持FinFET的單元庫,他或她將發現,其工作上最大的變化將是單元庫:更好的功耗和性能特性!但是,數字設計工程師也會發現新的和更復雜的設計規則,雙圖形著色的要求,和更加嚴格的單元和pin位置的限制。最后,有些SoC設計人員還會被要求來設計和驗證上百萬門級別的芯片。設計師將需要在更高的抽象層次上工作和大量重復使用一些硅IP。

EDA產業在研發上花費了大量的錢,以解決高級節點上設計的挑戰。事實上,我們預期,EDA行業為了20納米,16納米和14納米的總研發費用可能會達到十二億美金到十六億美金。從FinFET器件的角度來看,例如,提取工具必須得到提高,以便能處理Rs和Cs從而更好預測晶體管的性能。這些Rs和Cs不能等待芯片成型后分析,他們需要在設計周期的早期進行,所以電路工程師和版圖工程師不得不工作得更加緊密,這也是方法學上很大的一個變化。

每個物理設計工具都必須能夠處理幾百條為了16nm/14nm FinFET技術而帶來的新的設計規則。這包括布局,布線,優化,提取和物理驗證。單元庫也需要利用這些工具進行優化。所以一個整合了的先進節點的解決方案,將會使包括定制/模擬和數字設計的任務變得更加容易。

EDA供應商也是包括晶圓代工廠和IP供應商在內的垂直合作其中的一部分。從EDA和IP開發人員的反饋會影響進程的發展,這反過來又提出了新的要求的工具和IP。例如,在2012年,Cadence公司,ARM和IBM之間三方合作就產生了第一個14NM的FinFET器件的測試芯片。

16nm/14nm的FinFET技術將是一個小眾技術,或進入IC設計的主流?歷史證明,當新的創新出現,人們弄清楚如何使用它們來創新,往往會帶來意想不到的價值。FinFET技術將啟用下一個大的飛躍,為計算機,通信和所有類型的消費電子設備帶來裨益。這就是為什么Cadence公司堅信FinFET技術將為電子行業開創一個新紀元,這也是為什么我們致力于為整個行業推進這項技術。

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