【導讀】中國，2020年3月6日——橫跨多重電子應用領域的全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST; 紐約證券交易所代碼:STM) 宣布，已經簽署收購法國氮化鎵（GaN）創新企業Exagan公司的多數股權的并購協議。Exagan的外延工藝、產品開發和應用經驗將拓寬并推進意法半導體的汽車、工業和消費用功率GaN的開發規劃和業務。Exagan將繼續執行現有產品開發規劃，意法半導體將為其部署產品提供支持。
雙方的交易條款沒有對外公布，等法國政府按照慣例成交法規批準后即可完成交易。現已簽署的并購協議還規定，在多數股權收購交易完成24個月后，意法半導體有權收購剩余的Exagan少數股權。本交易將采用可用現金支付。
意法半導體公司總裁兼首席執行官Jean-Marc Chery表示：“意法半導體的碳化硅發展勢頭強勁，現在我們正在擴大對另一種前景很好的復合材料--氮化鎵的投入，以促進汽車、工業和消費市場客戶采用GaN功率產品。收購Exagan的多數股權是我們加強公司在全球功率半導體市場的領先地位以及我們的GaN長遠規劃、生態系統和業務的又一項新舉措，是對我們目前與CEA-Leti在法國圖爾的開發項目以及最近宣布的與臺積電的合作項目的補充。”
氮化鎵(GaN)屬于寬帶隙(WBG)材料家族，其中包括碳化硅。GaN基器件是高頻電力電子器件行業取得的一大進步，其能效和功率密度高于硅基晶體管， GaN基器件節能省電，縮減系統整體尺寸。GaN器件適合各種應用，例如，服務器、電信和工業用功率因數校正和DC/DC轉換器；電動汽車車載充電器和車規DC-DC轉換器，以及電源適配器等個人電子應用。
Exagan成立于2014年，總部位于法國格勒諾布爾。該公司致力于推進電力電子行業從硅基技術向GaN-on-silicon技術轉變，研發體積更小、能效更高的功率轉換器。Exagan的GaN功率開關是為標準200毫米晶圓設計。
前瞻性陳述風險提示
1995年私人證券訴訟改革法案安全港聲明：上文所述的任何非歷史事實的陳述均為前瞻性陳述，包括有關我們未來經營業績和財務狀況、商業策略、未來經營計劃和目標的任何陳述，涉及可能導致實際結果與前瞻性陳述之間出現重大差異的風險和不確定性因素。這些陳述僅是預測，反映了我們在當前對未來事件的看法和預測，并且是以假設為前提，受風險和不確定性因素的影響，隨時可能發生變化。潛在風險和不確定性因素包括但不限于以下因素：交易未完成的可能性，包括任何先決條件導致的交易失敗；可能無法實現收購預期收益的風險；收購后難以留住Exagan員工；設施擴建、制造工藝和專門知識轉讓困難；迫使管理層無法集中精力管理企業的風險；以及我們會不時在提交給美國證交會的文件中詳細說明的與我們的行業和業務相關的競爭影響和其它風險因素。
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