【導(dǎo)讀】在電力系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，提供電氣隔離通常是必要的。保持高低壓域電隔離，防止電流在它們之間流動(dòng)，否則可能導(dǎo)致嚴(yán)重的安全問(wèn)題。當(dāng)然，隔離的域仍需要進(jìn)行交互，讓數(shù)據(jù)在它們之間傳輸。
盡管隔離很普遍，但是有效地實(shí)現(xiàn)隔離仍然存在問(wèn)題，尤其是當(dāng)我們向更高的系統(tǒng)集成度發(fā)展。它的主要目的是安全，但它也可以通過(guò)最大化共模瞬變抗擾度(CMTI)來(lái)提高性能，這是在汽車(chē)行業(yè)中使用隔離的主要原因之一。另一個(gè)原因，尤其是在電動(dòng)汽車(chē)中，是支持電壓域之間的電源轉(zhuǎn)換和電平轉(zhuǎn)換。
電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)通常使用功率MOSFET或IGBT。這些器件需要使用低壓信號(hào)由門(mén)極驅(qū)動(dòng)器來(lái)開(kāi)關(guān)。為保持不同的電壓域獨(dú)立但相互連接，需要隔離，這就是個(gè)典型的示例。隔離通常使用光耦合器來(lái)實(shí)現(xiàn)，這至少需要兩個(gè)分立器件。發(fā)射器是一個(gè)LED，接收器包括一個(gè)光電二極管。
盡管光耦合器可易于實(shí)現(xiàn)極高的5 kVrms或更高的隔離，但它們體積大且易老化。在沒(méi)有光的情況下實(shí)現(xiàn)跨越隔離柵的通信，同時(shí)仍保留所需的隔離水平，這是可能的。光耦合器在許多應(yīng)用中可能是理想的選擇，但替代技術(shù)的趨勢(shì)越來(lái)越明顯，集成的隔離器件提供更多便利。一個(gè)示例是安森美半導(dǎo)體的NCD57001。它使用通過(guò)無(wú)芯變壓器的磁耦合在微型電感器之間創(chuàng)建數(shù)據(jù)路徑，從而提供5 kVrms的電氣隔離和至少100 kV / us的CMTI。
圖1：安森美半導(dǎo)體的先進(jìn)的NCD57001門(mén)極驅(qū)動(dòng)器IC
NCD57001的另一個(gè)顯著特點(diǎn)是它的輸出級(jí)，專(zhuān)為解決一個(gè)常見(jiàn)問(wèn)題而開(kāi)發(fā)。它具有一個(gè)內(nèi)部緩沖級(jí)，為克服米勒平臺(tái)而設(shè)計(jì)。這是傳遞曲線區(qū)域，證明了許多門(mén)極驅(qū)動(dòng)器的消亡。在此期間，寄生米勒電容生效，從而降低了開(kāi)/關(guān)轉(zhuǎn)換速度。
為了補(bǔ)償米勒電容的遲滯效應(yīng)，輸出緩沖器的作用是通過(guò)米勒平臺(tái)(Miller Plateau)來(lái)增加驅(qū)動(dòng)電流。柵極端子上的米勒電容是開(kāi)關(guān)損耗的主要原因。當(dāng)門(mén)極電壓開(kāi)始上升且驅(qū)動(dòng)器輸出電壓與門(mén)極電壓之差減小時(shí)，提供大電流輸出驅(qū)動(dòng)，IGBT或MOSFET可以更快地通過(guò)米勒平臺(tái)。這是利用輸出級(jí)的升壓效應(yīng)來(lái)減少為寄生/米勒門(mén)極電容充電所需的時(shí)間來(lái)實(shí)現(xiàn)的。
NCD57001的無(wú)芯變壓器技術(shù)，在芯片級(jí)門(mén)極驅(qū)動(dòng)器中提供了有效的隔離。這些全集成的隔離式門(mén)極驅(qū)動(dòng)器具有真正的工程優(yōu)勢(shì)，并且在需要以小尺寸實(shí)現(xiàn)高隔離度的應(yīng)用中是光隔離驅(qū)動(dòng)器的絕佳替代品。其為克服米勒平臺(tái)而設(shè)計(jì)的輸出升壓級(jí)還提高了開(kāi)關(guān)效率。隨著越來(lái)越多的應(yīng)用采用高直流電壓，對(duì)高效和安全隔離的需求也在增長(zhǎng)。因此，創(chuàng)新方案如NCD57001可真正為您的下一個(gè)功率開(kāi)關(guān)應(yīng)用帶來(lái)積極的改變。
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