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隔離型驅動的新勢力：英飛凌無磁芯變壓器隔離型驅動
一提到隔離型驅動，不少硬件研發工程師就會先入為主想到光耦。可光耦真的是唯一選擇嗎？伴隨著全球電氣化和數字化的趨勢，電力電子技術的發展也日新月異：功率器件開關頻率進一步提高，寬禁帶器件使用方興未艾，終端應用環境更加復雜惡劣，這些都對隔離型驅動的性能和可靠性提出了全新的挑戰。
2022-04-20
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從硅過渡到碳化硅，MOSFET的結構及性能優劣勢對比
近年來，因為新能源汽車、光伏及儲能、各種電源應用等下游市場的驅動，碳化硅功率器件取得了長足發展。更快的開關速度，更好的溫度特性使得系統損耗大幅降低，效率提升，體積減小，從而實現變換器的高效高功率密度化。但是，像碳化硅這樣的寬帶隙（WBG）器件也給應用研發帶來了設計挑戰，因而業界對于碳化硅MOSFET浪涌電流、短路能力、柵極可靠性等仍心存疑慮，對于平面柵和溝槽柵的選擇和權衡也往往迷惑不清。
2022-03-20
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基于CoolSiC的高速高性能燃料電池空壓機設計
燃料電池用空壓機開關頻率高，空間有限，集成度高，采用單管設計的主要挑戰是如何提高散熱效率。本設計中功率器件和散熱器采用DBC+焊接工藝，提高了SiC MOSFET的輸出電流能力，從而有效降低了系統成本的，并且簡化安裝方式。
2022-03-03
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英飛凌650V混合SiC IGBT單管助力戶用光伏逆變器提頻增效
戶用光伏每年裝機都在高速增長，單相光伏逆變器功率范圍基本在3~10kW，系統電路示意框圖如圖1所示，從光伏電池板經過逆變器中DC/DC，DC/AC電路實現綠電的能量轉換，英飛凌能提供一站式半導體解決方案包括650V功率器件、無核變壓器CT技術驅動IC、主控制MCU和電源管理芯片等。
2022-03-01
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派恩杰SiC驅動設計新探索：如何避免誤開通？
隨著SiC 工藝逐漸成熟和成本不斷下降，SiC MOSFET憑借整體性能優于硅基器件一個數量級的優勢正逐漸普及，獲得越來越多的工程應用。相較于傳統的Si功率器件，SiC MOSFET具有更小的導通電阻，更快的開關速度，使得系統損耗大幅降低，效率提升，體積減小，從而實現變換器的高效高功率密度化，因此廣泛適用于5G數據中心通信電源，新能源汽車車載充電機，電機驅動器，工業電源，直流充電樁，光伏，UPS等各類能源變換系統中。
2022-02-10
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SiC功率器件使用過程中的常見問題集（上）
由于SiC 材料具有更高的擊穿場強、更好的熱穩定性、更高的電子飽和速度及禁帶寬度，因此能夠大大提高功率器件的性能表現。相較于傳統的Si功率器件，SiC 器件具有更快的開關速度，更好的溫度特性使得系統損耗大幅降低，效率提升，體積減小，從而實現變換器的高效高功率密度化。當前碳化硅功率器件主要在新能源汽車的車載充電機、充電樁、計算機電源、風電逆變器、光伏逆變器、大型服務器電源、空調變頻器等領域，根據Yole估計，未來市場將有每年30% 左右的高速增長。為此，派恩杰推出1700V,1200V,650V各種電壓等級SiC MOSFET以應對市場需求。在從硅器件到碳化硅器件使用轉變過程中，客戶常常會遇到一些疑問或者使用問題，為此，派恩杰針對客戶的問題進行歸納總結并分享一些解決辦法。
2022-02-09
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基本半導體第三代碳化硅肖特基二極管性能詳解
追求更低損耗、更高可靠性、更高性價比是碳化硅功率器件行業的共同目標。為不斷提升產品核心競爭力，基本半導體成功研發第三代碳化硅肖特基二極管，這是基本半導體系列標準封裝碳化硅肖特基二極管家族中的新成員。相較于前兩代二極管，基本半導體第三代碳化硅肖特基二極管在沿用6英寸晶圓工藝基礎上，實現了更高的電流密度、更小的元胞尺寸、更低的正向導通壓降。
2022-02-08
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在當今高壓半導體器件上執行擊穿電壓和漏流測量
在經過多年研究和設計之后，碳化硅(SiC)和氮化鎵 (GaN)功率器件正變得越來越實用。這些器件盡管性能很高，但它們也帶來了許多挑戰，包括柵極驅動要求。SiC要求的柵極電壓(Vgs)要高得多，在負偏置電壓時會關閉。GaN的閾值電壓(Vth)則低得多，要求嚴格的柵極驅動設計。寬帶隙(WBG)器件由于物理特點，機身二極管壓降較高，因此對空轉時間和打開/關閉跳變的控制要求要更嚴格。
2022-01-27
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IGBT和MOSFET該用誰？你選對了嗎？
半導體功率器件主要包括功率二極管、功率三極管、晶閘管、MOSFET、IGBT等。其中MOSFET和IGBT屬于電壓控制型開關器件，具有開關速度快、易于驅動、損耗低等優勢。IGBT全稱是絕緣柵極型功率管，是由雙極型三極管（BJT）和MOSFET組成的復合全控型電壓驅動式半導體功率器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和BJT的低導通壓降兩方面的優點。隨著新能源汽車、智能家電、5G、軌道交通等行業的興起，MOSFET和IGBT也迎來了發展的春天。
2022-01-26
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IGBT集電極電壓超過額定電壓會發生什么？
我們常常被告誡：實際應用中，IGBT集電極電壓絕對不能超過額定值，否則器件有可能被擊穿。然后有的同學并不死心：如果我只超了一點點呢，1210V就會擊穿嗎？如果只是一個非常短非常短，比如只有1us的脈沖呢？功率器件也沒那么脆弱啊對不對？
2022-01-25
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SiC MOSFET替代Si MOSFET，自舉電路是否適用？
自舉式懸浮驅動電路可以極大的簡化驅動電源的設計，只需要一路電源就可以驅動上下橋臂兩個開關管的驅動，可以節省Si MOSFET功率器件方案的成本。隨著新能源受到全球政府的推動與支持，與新能源相關的半導體芯片需求激増，導致產能緊缺。綠色低碳技術創新應用是實現碳中和目標的重要一環，碳化硅是應用于綠色低碳領域的共用性技術，SiC MOSFET替代Si MOSEFET成為了許多廠商的新選擇。不過，SiC MOSFET的驅動與Si MOSFET到底有什么區別，替代時電路設計如何調整，是工程師非常關心的。我們《SiC MOSFET替代Si MOSFET,只有單電源正電壓時如何實現負壓？》一文中已經分享了負壓自舉的小技巧。本文SiC MOSFET驅動常規自舉電路的注意事項。
2022-01-17
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如何將CoolMOS應用于連續導通模式的圖騰柱功率因數校正電路
功率因素校正為將電源的輸入電流塑形為正弦波并與電源電壓同步，最大化地從電源汲取實際功率。 在完美的 PFC 電路中，輸入電壓與電流之間為純電阻關系，無任何輸入電流諧波。 目前，升壓拓撲是 PFC 最常見的拓撲。在效率和功率密度的表現上，必須要走向無橋型，才能進一步減少器件使用，減少功率器件數量與導通路徑上的損耗。 在其中，圖騰柱功率因素校正電路（totem-pole PFC）已證明為成功的拓撲結構，其控制法亦趨于成熟。
2021-11-25
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