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威剛工控領先推出112層BiCS5 3D NAND固態硬盤
2021年7月22日 – 全球工業級嵌入式存儲領導品牌ADATA威剛科技(3260)，領先業界推出新一代112層堆棧BiCS5 3D NAND固態硬盤，以容量更高、效能更佳的優勢，強力助攻5G、物聯網、AI(人工智能)、網通、服務器等應用的發展！根據GSA報告顯示，截至2021年5月底，全球已有70國169家業者提供5G商用服務；隨著未來5G布建更加完整，與商用5G相關的智能物流、遠程醫療、自動駕駛、安防監控等應用也將更為蓬勃。
2021-07-22
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美光率先于業界推出 1α DRAM 制程技術
2021年 1 月 27 日，中國上海 — 內存與存儲解決方案領先供應商 Micron Technology Inc. (美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU) 今日宣布批量出貨基于 1α (1-alpha) 節點的 DRAM 產品。該制程是目前世界上最為先進的 DRAM 技術，在密度、功耗和性能等各方面均有重大突破。這是繼最近首推全球最快顯存和 176 層 NAND 產品后，美光實現的又一突破性里程碑，進一步加強了公司在業界的競爭力。
2021-01-27
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美光攜手聯想、聯寶科技成立聯合實驗室，加速開發下一代PC和筆記本電腦
2021年 1 月 25 日，中國上海 — 內存與存儲解決方案領先供應商 Micron Technology Inc. (美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU) 今日宣布攜手聯想及聯寶科技 (聯想旗下最大的制造和研發機構) 成立聯合實驗室。該實驗室是內存和存儲業界首家同時聯合原始設計制造商 (ODM) 及原始設備制造商 (OEM) 的聯合實驗室。這種獨特的三方合作模式將加快美光的 DRAM 和 NAND 前沿創新技術 (例如 GDDR6、LPDDR5、DDR5 和 PCIe 4.0 NVMe SSD) 在聯想產品設計中的應用，從而更好地滿足用戶的核心工作負載需求。
2021-01-27
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什么是鐵電存儲器？
隨著我們進入超智能和超互聯的第四次工業革命時代，高密度和高性能存儲器的重要性比以往任何時候都更大。目前應用最廣泛的NAND閃存由于依賴電荷陷阱效應存儲信息，存在功耗高、運行速度慢、易重復使用等問題。為此，POSTECH的一個研究小組最近展示了一種鐵電存儲器，它在運行速度、功耗和設備可靠性方面都超過了傳統閃存的性能。
2021-01-21
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為何eMMC芯片磨損導致MCU和車輛無法正常運作？
ODI最近對較舊的Teslas Model S和Model X車輛提出的信息要求突顯了工作負載疏忽，其中基于NVIDIA Tegra 3處理器和集成8GB eMMC NAND閃存的主控制單元（MCU）遇到了問題。
2021-01-13
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貿澤與兆易創新簽署全球分銷協議，備貨多款高性能存儲器產品
2020年2月27日 – 專注于引入新品的全球電子元器件授權分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與知名的非易失性存儲器解決方案供應商兆易創新 (GigaDevice) 簽署全球分銷協議并達成合作伙伴關系。簽署此項協議后，貿澤電子現已成為兆易創新SPI NOR、SPI NAND和Parallel NAND Flash產品的授權分銷商，這些器件適用于汽車、消費電子、物聯網 (IoT)、工業、移動設備、計算、網絡和通信等嵌入式應用。
2020-02-28
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慧榮科技將于2018中國閃存峰會上展出最新存儲主控芯片解決方案
全球NAND閃存主控芯片設計與營銷領導品牌慧榮科技，將于9月19日在深圳舉辦的“2018中國閃存市場峰會（China Flash Market Summit）〞展示全系列最新主控芯片解決方案來滿足全方位巿場需求，其包括專為數據中心、超高速Client SSD及適用于BGA SSD的PCIe SSD主控芯片為全方位存儲市場帶來最完整的解決方案，此外支持高速移動存儲方案，慧榮將展示UFS 2.1主控芯片為移動設備提供無與倫比的高性能、大容量的嵌入式存儲解決方案，將主流市場上的移動存儲提高到新檔次。
2018-09-20
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慧榮科技榮獲中國財經峰會“2017年度最具影響力企業大獎”
2017年11月30日，中國北京——在設計和推廣固態存儲設備專用NAND閃存控制器方面處于全球領導地位的慧榮科技公司（Silicon Motion Technology Corporation, 納斯達克交易代碼: SIMO）日前榮獲2017年中國財經峰會·冬季論壇組委會頒發的“2017年度最具影響力企業大獎”，以表彰其多年來在閃存控制芯片領域所做出的杰出貢獻。頒獎典禮于今日在北京舉行，慧榮科技市場營銷暨OEM事業資深副總段喜亭先生出席典禮。
2017-12-01
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DRAM與NAND差別這么大，存儲之爭在爭什么？
DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動態隨機存取存儲器，最為常見的系統內存。DRAM 只能將數據保持很短的時間。為了保持數據，DRAM使用電容存儲，所以必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失。
2017-03-22
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大象關冰箱？NAND FLASH控制器磨損管理算法芯片化硬實現
目前，存儲領域包括eMMC，SATA SSD ,PCIe SSD等控制器是一個非常熱門的領域。通常，由于NAND FLASH易于損壞的特性，因此需要控制器做額外的工作，才能滿足商用可靠存儲的需要。本文目的提出一種可以硬實現的均衡磨損，壞塊管理，以及邏輯地址映射的算法，（可芯片化）。用于替代處理器的軟件（FTL）實現，從總體上較CPU固件實現有較好的功耗比和高速性能的目標。
2016-02-25
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揭秘手機內存真相：實際少于16G為何要標稱有16G內存？
目前市面上的大容量存儲介質分別是NAND FLASH和eMMC這兩種，這就是各類移動終端及手機的主要存儲介質。這兩者有何區別，存儲芯片的實際大小與標稱值又有什么關系呢？為什么實際容量往往會比標示的少呢？
2016-01-19
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用圖來說話，解答Android設備處理器最大懸念：內核越多性能越強？
日前，來自Anandtech的多位極客進行了一場關于移動芯片核心性能的大規模測試，為Android智能手機是否核心越多性能就越強這一充滿爭議的話題蓋棺定論。
2015-09-07
- 強強聯手！貿澤電子攜手ATI，為自動化產線注入核心部件
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