中心論題：
- 電子鼻傳感器的工作原理。
- 電子鼻的典型工作方式。
- 幾類電子鼻傳感器的介紹。
- 導(dǎo)電型電子鼻傳感器。
- 壓電型電子鼻傳感器。
- ＭＯＳＦＥＴ型電子鼻傳感器。
- 光纖傳感器形電子鼻傳感器。
電子鼻主要由氣味取樣操作器、氣體傳感器陣列和信號(hào)處理系統(tǒng)三種功能器件組成。電子鼻識(shí)別氣味的主要機(jī)理是在陣列中的每個(gè)傳感器對(duì)被測(cè)氣體都有不同的靈敏度，例如，一號(hào)氣體可在某個(gè)傳感器上產(chǎn)生高響應(yīng)，而對(duì)其他傳感器則是低響應(yīng)，同樣，二號(hào)氣體產(chǎn)生高響應(yīng)的傳感器對(duì)一號(hào)氣體則不敏感，歸根結(jié)底，整個(gè)傳感器陣列對(duì)不同氣體的響應(yīng)圖案是不同的，正是這種區(qū)別，才使系統(tǒng)能根據(jù)傳感器的響應(yīng)圖案來識(shí)別氣味。
電子鼻的類型很多，其典型的工作程式是：首先，利用真空泵把空氣取樣吸取至裝有電子傳感器陣列的小容器室中。接著，取樣操作單元把已初始化的傳感器陣列暴露到氣味體中，當(dāng)揮發(fā)性化合物（ＶＯＣ）與傳感器活性材料表面相接觸時(shí)，就產(chǎn)生瞬時(shí)響應(yīng)。這種響應(yīng)被記錄并傳送到信號(hào)處理單元進(jìn)行分析，與數(shù)據(jù)庫中存儲(chǔ)的大量ＶＯＣ圖案進(jìn)行比較、鑒別，以確定氣味類型。最后，要用酒精蒸氣“沖洗”傳感器活性材料表面以去除測(cè)畢的氣味混合物。在進(jìn)入下一輪新的測(cè)量之前，傳感器仍要再次實(shí)行初始化（即工作之間，每個(gè)傳感器都需用干燥氣或某些其它參考?xì)怏w進(jìn)行清洗，以達(dá)到基準(zhǔn)狀態(tài)）。被測(cè)氣味作用的時(shí)間稱為傳感器陣列的“響應(yīng)時(shí)間”，清除過程和參考?xì)怏w作用的初始化過程所花的時(shí)間稱為“恢復(fù)時(shí)間”。
在電子鼻系統(tǒng)中，氣體傳感器陣列是關(guān)鍵因素。除基本的氣相色譜（ＧＣ）分析法以外，電子鼻傳感器的主要類型還有導(dǎo)電型傳感器、壓電類傳感器、場(chǎng)效應(yīng)傳感器、光纖傳感器等?！ ?dǎo)電性傳感器的基本特點(diǎn)是，其置于揮發(fā)性化合物（ＶＯＣ）時(shí)的響應(yīng)形式是電阻值發(fā)生變化。導(dǎo)電性傳感器又分為金屬氧化物傳感器和聚合物傳感器兩大類。金屬氧化物傳感器在電子鼻系統(tǒng)中應(yīng)用更廣泛，其結(jié)構(gòu)如圖１所示。此類傳感器中與ＶＯＣ相接觸的活性材料是錫、鋅、鈦、鎢或銥的氧化物，襯底材料一般是硅、玻璃、塑料，發(fā)生接觸反應(yīng)需滿足２００～４００℃的溫度條件，因此在底部設(shè)置了加熱器。氧化物材料中用鉑、鈀等貴重金屬攙雜形成兩條金屬接觸電極。與ＶＯＣ的相互作用改變了活性材料的導(dǎo)電性，使兩電極之間的電阻發(fā)生變化，這種電阻變化可用單臂電橋或其它電路來測(cè)量。事實(shí)上，一個(gè)傳感器的活性材料總是設(shè)計(jì)得對(duì)某些特定氣味響應(yīng)最靈敏．
該傳感器的靈敏度范圍為５～５０ｐｐｍ。金屬氧化物傳感器的缺點(diǎn)是：（１）工作溫度較高；（２）經(jīng)長時(shí)間工作之后，響應(yīng)基準(zhǔn)值易發(fā)生漂移，需要利用信號(hào)處理運(yùn)算來克服；（３）對(duì)氣體混合物中出現(xiàn)的硫化物呈“中毒”反應(yīng)。但是，它有很寬的適用范圍和相對(duì)低的成本，故依然成為當(dāng)今廣泛應(yīng)用的氣體傳感器。
導(dǎo)電聚合物傳感器中，與ＶＯＣ接觸的活性材料一般是用噻吩、吲哚、呋喃等成分構(gòu)成的導(dǎo)電聚合物，當(dāng)氣體分子與上述聚合物材料接觸時(shí)會(huì)發(fā)生電離或共價(jià)作用，這種相互作用影響了電子沿聚合物鏈的傳輸，即改變了導(dǎo)電性。在聚合物材料中，利用顯微組構(gòu)技術(shù)形成兩條間隔１０～２０μｍ的電極，通過在兩電極之間施加交變電壓來使聚合物電聚合化，改變電壓掃描速率，并應(yīng)用一系列聚合物前體就可產(chǎn)生各種各樣的活性材料，使不同的材料分別對(duì)不同的氣體呈特定響應(yīng)。導(dǎo)電聚合物傳感器在一般環(huán)境溫度下工作而無需加熱，因此更容易制造，其電子界面更為直接，從而在便攜式儀器應(yīng)用中有更大優(yōu)勢(shì)。這種傳感器探測(cè)氣味的靈敏度可達(dá)到０．１ｐｐｍ，比金屬氧化物傳感器更高，但一般在１０～１００ｐｐｍ范圍之內(nèi)。目前導(dǎo)電聚合物傳感器的主要缺陷是：（１）活性材料電聚合過程較為困難和費(fèi)時(shí)；（２）與ＶＯＣ接觸響應(yīng)存在隨時(shí)間發(fā)生飄移的現(xiàn)象；（３）對(duì)濕度極為敏感，這種敏感性易掩蓋和干擾對(duì)ＶＯＣ的正常響應(yīng)。另外，某些氣體會(huì)穿透聚合物材料整體，從而減慢了將ＶＯＣ從聚合物中去除的過程，即延緩了傳感器的恢復(fù)時(shí)間。
壓電類傳感器的基本特點(diǎn)是，與ＶＯＣ的接觸響應(yīng)形式體現(xiàn)為頻率的變化。它又分為石英晶體微量天平（ＱＣＭ）傳感器和聲表面波（ＳＡＷ）傳感器兩種。壓電類傳感器既可以測(cè)量溫度和質(zhì)量的變化，又可測(cè)量壓力、力和加速度等參數(shù)，但在電子鼻系統(tǒng)中，它們一般只作為質(zhì)變量傳感探測(cè)器使用。ＱＣＭ傳感器是一個(gè)幾毫米直徑的諧振盤，盤面敷有聚合物材料，每面有一個(gè)與導(dǎo)線相連的金屬電極，結(jié)構(gòu)如圖２所示。當(dāng)該傳感器受振蕩信號(hào)激勵(lì)時(shí)，便諧振于特征頻率（１０Ｈｚ～３０ＭＨｚ），而一旦氣體分子被吸收到聚合物涂層表面，就增加了該盤的質(zhì)量，因此降低了諧振頻率，諧振頻率的高低與所吸收的氣體分子質(zhì)量成反比。ＱＣＭ傳感器對(duì)不同氣體的響應(yīng)、選擇性可通過調(diào)整諧振盤聚合物涂層來改變，而減小石英晶體的尺寸和質(zhì)量，并減小聚合物涂層的厚度，則可進(jìn)一步縮短傳感器的響應(yīng)時(shí)間和恢復(fù)時(shí)間。
聲表面波（ＳＡＷ）傳感器與ＱＣＭ傳感器的主要區(qū)別為：（１）瑞利波是經(jīng)ＳＡＷ的表面運(yùn)行，不是像ＱＣＭ一樣通過其體內(nèi)；（２）ＳＡＷ傳感器工作頻率更高，因此可產(chǎn)生更大的頻率變化。ＱＣＭ的典型工作頻率僅是１０ＭＨｚ，而ＳＡＷ器件則在幾百ＭＨｚ；（４）由于ＳＡＷ是平面器件，所以可用微電子工業(yè)普遍采用的光刻技術(shù)來制造，而不像ＱＣＭ那樣需要微電子機(jī)械系統(tǒng)（ＭＥＭＳ）進(jìn)行三維處理，因此批量生產(chǎn)的成本更低。但是，ＳＡＷ傳感器的信噪比遜于ＱＣＭ傳感器，因此在許多情況下，前者的靈敏度要低于后者。
電子鼻傳感器的第三大類是金屬氧化硅場(chǎng)效應(yīng)管傳感器（ＭＯＳＦＥＴ）。其工作原理是：ＶＯＣ與催化金屬材料相接觸所生成的反應(yīng)產(chǎn)物（如氫）會(huì)擴(kuò)散通過ＭＯＳＦＥＴ的控制極來改變器件的導(dǎo)電特性。如圖３所示，典型的ＭＯＳＦＥＴ結(jié)構(gòu)有一個(gè)Ｐ型襯底和在襯底上擴(kuò)散的兩個(gè)摻雜濃度很高的Ｎ型區(qū)，兩個(gè)Ｎ區(qū)的金屬觸點(diǎn)分別稱為源極和漏極。器件的靈敏度和選擇性可通過改變金屬接觸劑的類型和厚度以及改變工作溫度來改變。ＭＯＳＦＥＴ的優(yōu)點(diǎn)之一是可依托ＩＣ制造工藝，批量生產(chǎn)、質(zhì)量穩(wěn)定，主要問題是接觸反應(yīng)產(chǎn)物（如氫）必須滲入催化金屬涂層來影響溝道中的電荷，這就對(duì)芯片的密閉封裝方式提出了更苛刻的要求。ＭＯＳＦＥＴ與導(dǎo)電性傳感器一樣，也存在基準(zhǔn)值漂移問題。
第四類實(shí)用的氣味傳感器是光纖傳感器。它對(duì)氣體化合物的響應(yīng)形式是光譜色彩發(fā)生變化。如圖４所示，這種傳感器的主干部分是玻璃纖維，在玻璃纖維的各面敷有很薄的化學(xué)活性材料涂層。化學(xué)活性材料涂層是固定在有機(jī)聚合物矩陣中的熒光染料，當(dāng)與ＶＯＣ接觸時(shí)，來自外部光源的單頻或窄頻帶光脈沖沿光纖傳播并激勵(lì)活性材料，使其與ＶＯＣ相互作用反應(yīng)。這種反應(yīng)改變了染料的極性，從而改變了熒光發(fā)射光譜。只要對(duì)許多敷有不同染料混合物的光纖器件構(gòu)成的傳感器陣列產(chǎn)生的光譜變化進(jìn)行檢測(cè)分析，就可以確定對(duì)應(yīng)的氣體化合物成分。光纖傳感器有很強(qiáng)的抗噪能力和極高的靈敏度，其靈敏度單位以ｐｐｂ（十億分率）計(jì)，這是其它電子鼻傳感器類型所遠(yuǎn)不及的。目前光纖傳感器的主要缺點(diǎn)是：（１）其設(shè)備控制系統(tǒng)較復(fù)雜，成本較高，（２）熒光染料受白光化作用影響，使用壽命有限。
