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應(yīng)用

MOS管是金屬(Metal)—氧化物(Oxide)—半導(dǎo)體(Semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(Insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的Source和Drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型Backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱的。

自制基于MOS管的免繞制逆變電源

電源行業(yè)如此發(fā)達(dá)的今天，對(duì)電源的質(zhì)量和效率都有了新的要求，而逆變電源也正因此被重視起來(lái)。本文就介紹了一種基于MOS管的自制免繞制逆變電源。詳細(xì)閱讀>>

淺析功率MOS管的鋰電池保護(hù)電路

由于磷酸鐵鋰電池的特性，在應(yīng)用過(guò)程中需要對(duì)其充放電過(guò)程進(jìn)行保護(hù)，避免因過(guò)充過(guò)放或過(guò)熱造成電池的損壞，保證電池安全的工作。放電過(guò)程中極端惡劣的工作條件是短路保護(hù)，本文將介紹在這種工作狀態(tài)下功率MOS管的特點(diǎn)，以及如何選取功率MOS管型號(hào)和設(shè)計(jì)合適的驅(qū)動(dòng)電路。詳細(xì)閱讀>>

怎么避免上拉電阻成為MOS管過(guò)熱的殺手？

工程師要想保證設(shè)計(jì)可靠，必須要在NMOS柵極和PMOS柵極添加上拉電阻，同時(shí)系統(tǒng)也要安全防護(hù)。但是如果忽略電阻開(kāi)路的問(wèn)題，就會(huì)使原本作為保護(hù)者的上拉電阻變成MOS管過(guò)熱的殺手。詳細(xì)閱讀>>

四大法則教你如何正確選取MOS管

在一些電路的設(shè)計(jì)中，不光是開(kāi)關(guān)電源電路中，經(jīng)常會(huì)使用MOS管，正確選擇MOS管是硬件工程師經(jīng)常遇到的問(wèn)題，更是很重要的一個(gè)環(huán)節(jié)，MOS管選擇不好，有可能影響到整個(gè)電路的效率和成本，本文通過(guò)整理網(wǎng)友觀點(diǎn)，總結(jié)出如何正確選取MOS管的四大法則。詳細(xì)閱讀>>

深剖：寄生參數(shù)與驅(qū)動(dòng)電路如何影響MOS管？

本文主要為大家講解的是我們?cè)趹?yīng)用MOS管和設(shè)計(jì)MOS管驅(qū)動(dòng)的時(shí)候，寄生參數(shù)是如何影響MOS管的？還有深度剖析下MOS管驅(qū)動(dòng)電路有哪些要點(diǎn)的？詳細(xì)閱讀>>

淺析MOS管擊穿的原因及解決方案

MOS管一個(gè)ESD敏感器件，它本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場(chǎng)或靜電的感應(yīng)而帶電，又因在靜電較強(qiáng)的場(chǎng)合難于泄放電荷，容易引起靜電擊穿。靜電擊穿有兩種方式：一是電壓型，即柵極的薄氧化層發(fā)生擊穿，形成針孔，使柵極和源極間短路，或者使柵極和漏極間短路；二是功率型，即金屬化薄膜鋁條被熔斷，造成柵極開(kāi)路或者是源極開(kāi)路。JFET管和MOS管一樣，有很高的輸入電阻，只是MOS管的輸入電阻更高。詳細(xì)閱讀>>

基礎(chǔ)知識(shí)

MOS管驅(qū)動(dòng)電路基礎(chǔ)知識(shí)總結(jié)

在使用MOS管設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路時(shí)，大部分人都會(huì)考慮MOS的導(dǎo)通電阻，最大電壓，最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是優(yōu)秀的，作為正式的產(chǎn)品設(shè)計(jì)也是不允許的。詳細(xì)閱讀>>

如何解決MOS管發(fā)熱問(wèn)題

在設(shè)計(jì)電源電路，或者設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)方面的電路時(shí)，會(huì)經(jīng)常用到 MOS 管，然而 MOS 管發(fā)熱嚴(yán)重的問(wèn)題，經(jīng)常困擾著廣大設(shè)計(jì)者與工程師。針對(duì)這一問(wèn)題，本文探討了 MOS 管發(fā)熱問(wèn)題的原因及解決方法。詳細(xì)閱讀>>

技術(shù)突破：MOS管封裝能效限制解除法門(mén)

本篇文章主要對(duì)目前MOS封裝當(dāng)中存在的一些限制進(jìn)行了介紹，并提出了改善的必要性。在最后，還給出了提高總體能效的方法。希望大家在閱讀過(guò)本篇文章之后，能對(duì)MOS管的封裝有進(jìn)一步的了解。詳細(xì)閱讀>>

MOS管是電場(chǎng)效應(yīng)控制電流大小的單極型半導(dǎo)體器件。在其輸入端基本不取電流或電流極小，具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好、制造工藝簡(jiǎn)單等特點(diǎn)，在大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路中被應(yīng)用。場(chǎng)效應(yīng)器件憑借其低功耗、性能穩(wěn)定、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)，在集成電路中已經(jīng)有逐漸取代三極管的趨勢(shì)。但它還是非常嬌貴的，雖然多數(shù)已經(jīng)內(nèi)置了保護(hù)二極管，但稍不注意，也會(huì)損壞。所以在應(yīng)用中還是小心為妙。