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不斷改進(jìn) OBC 設(shè)計(jì)，適應(yīng)更高的功率等級(jí)和電壓
消費(fèi)者需求不斷攀升，電動(dòng)汽車 (EV) 必須延長(zhǎng)續(xù)航里程，方可與傳統(tǒng)的內(nèi)燃機(jī) (ICE) 汽車相媲美。解決這個(gè)問(wèn)題主要有兩種方法：在不顯著增加電池尺寸或重量的情況下提升電池容量，或提高主驅(qū)逆變器等關(guān)鍵高功率器件的運(yùn)行能效。
2024-08-08
電動(dòng)汽車 功率等級(jí) 電壓 OBC 設(shè)計(jì)
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探索電能計(jì)量芯片的跨行業(yè)多元應(yīng)用
隨著物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的蓬勃發(fā)展，電能計(jì)量芯片已不再局限于傳統(tǒng)電表領(lǐng)域，而是擴(kuò)展到各類智能產(chǎn)品領(lǐng)域，涵蓋WIFI插座、電動(dòng)汽車充電樁、光伏儲(chǔ)能系統(tǒng)、智能交通信號(hào)燈以及火災(zāi)報(bào)警系統(tǒng)等。這些智能設(shè)備通過(guò)集成電能計(jì)量芯片，實(shí)現(xiàn)了對(duì)電能參數(shù)的精確監(jiān)控，從而提升了能源管理的效率和準(zhǔn)確性。
2024-08-08
電能計(jì)量芯片 智能設(shè)備 能源管理
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【測(cè)試案例分享】電源紋波和噪聲
電源是芯片的能量來(lái)源，也是邏輯狀態(tài)的參考基準(zhǔn)。如果電源的紋波和噪聲過(guò)大，會(huì)在高速變化的邏輯信號(hào)上產(chǎn)生大量抖動(dòng)，進(jìn)而產(chǎn)生誤碼(注:誤碼即錯(cuò)誤的碼元，將邏輯1當(dāng)成邏輯0,或者將0當(dāng)成1)，影響芯片的性能，甚至導(dǎo)致芯片無(wú)法正常工作。高速信號(hào)驗(yàn)證中非常重要的隨機(jī)抖動(dòng)和低頻的周期性抖動(dòng)，就是由...
2024-08-07
電源紋波 噪聲
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ADAS和汽車自動(dòng)化：他山之石，可以攻玉
ADAS和AD加上用戶對(duì)信息娛樂(lè)和個(gè)性化的期望不斷提高，意味著汽車正在逐漸演變成為移動(dòng)數(shù)據(jù)中心。因此，軟件定義汽車（SDV）所需的關(guān)鍵硬件元素（IC、電路板或模塊）之間的通信對(duì)于成功運(yùn)營(yíng)至關(guān)重要。事實(shí)上，現(xiàn)在有些汽車已經(jīng)包含超過(guò)1億行代碼，而Straits Research預(yù)計(jì)到2030年汽車軟件市場(chǎng)的規(guī)模...
2024-08-07
ADAS 汽車自動(dòng)化
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做3D感測(cè)系統(tǒng)設(shè)計(jì)難？試試3D 霍爾效應(yīng)傳感器！
本文將回顧 3D 霍爾效應(yīng)位置傳感器的基本原理，介紹這種傳感器在機(jī)器人、篡改檢測(cè)、人機(jī)接口控制和萬(wàn)向電機(jī)系統(tǒng)中的應(yīng)用。然后以 Texas Instruments 的高精度、線性 3D 霍爾效應(yīng)位置傳感器為例，介紹相關(guān)的評(píng)估板及其應(yīng)用指導(dǎo)，從而加快開(kāi)發(fā)進(jìn)程。如果您對(duì)3D霍爾效應(yīng)傳感器感興趣，歡迎閱讀，相信這...
2024-08-07
3D感測(cè)系統(tǒng) 3D 霍爾效應(yīng)傳感器
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利用UWB進(jìn)行電動(dòng)汽車充電的四種方法
在電動(dòng)汽車(EV)充電領(lǐng)域，超寬帶(UWB)有望為汽車制造商帶來(lái)巨大的好處，而這僅僅只是開(kāi)始。閱讀全文，了解集成通用的UWB技術(shù)如何提供當(dāng)下和未來(lái)的創(chuàng)新功能。
2024-08-07
UWB 電動(dòng)汽車 充電
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要降本增效還要更可靠！能源基礎(chǔ)設(shè)施升級(jí)靠它們了！
本文簡(jiǎn)要回顧了與經(jīng)典的硅 (Si) 方案相比，SiC技術(shù)是如何提高效率和可靠性并降低成本的。然后在介紹 onsemi 的幾個(gè)實(shí)際案例之前，先探討了 SiC 的封裝和系統(tǒng)集成選項(xiàng)，并展示了設(shè)計(jì)人員該如何最好地應(yīng)用它們來(lái)優(yōu)化 SiC 功率 MOSFET 和柵極驅(qū)動(dòng)器性能，以應(yīng)對(duì)能源基礎(chǔ)設(shè)施的挑戰(zhàn)。
2024-08-07
能源基礎(chǔ)設(shè)施 硅 SiC技術(shù)
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