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IR上市導通電阻僅0.95mΩ的25V耐壓功率MOSFET
據稱，該功率MOSFET的導通電阻與全部柵極電荷量的乘積FOM（figure of merit，優值）為“業界最高”。全部柵極電荷量為標準50nC。最大柵源間電壓為±20V，最大漏電流為37A。批量購買1萬個時的單價為1.50美元。
2010-04-19
IR 導通電阻 耐壓 功率MOSFET
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節能技術研討會閉幕 低碳經濟催熱新型節能技術
節能技術研討會閉幕 低碳經濟催熱新型節能技術
2010-04-16
節能技術研討會閉幕 低碳經濟催熱新型節能技術
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新一代低VCEsat雙極晶體管
近年來，中功率雙極晶體管在飽和電阻和功率范圍上的重大突破，極大地拓寬了此類器件的應用領域。恩智浦最新推出的SMD封裝中功率晶體管(BISS 4)再次顯現出雙極晶體管的技術優勢，在為開關應用帶來了開關損耗更小，效率更高的同時，也贏得了更多的市場空間。
2010-04-16
雙極晶體管 SMD BISS 4
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2011年電路保護市場將持續增長
2011年，市場預測預測表明：表面貼裝式壓敏電阻將在手機和汽車電子市場持續成長；聚合物PTC熱敏電阻在傳統過流保護如筆記本電腦和上網本的USB防護和電池的二次防護方面得到發展；NTC熱敏電阻的市場重心將偏向汽車和大型家庭用空調系統（其價值在于組件的生產，而不是熱敏電阻本身）；氣體放電管由于...
2010-04-16
過流保護 過壓保護 電路保護
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亞洲表面貼裝盛會下周上海舉行
有力推動我國電子生產行業制造水平亞洲表面貼裝盛會下周上海舉行
2010-04-16
亞洲表面貼裝盛會下周上海舉行
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不斷挑戰小型化，大河晶振以新的靈感創造最先進的產品
世間的流水滋潤著人們的生活，雖然江河日復一日的在流淌，然而每天流著不同的水。大河晶振也猶如匯入江河的源頭活水，不斷以新的靈感創造著最先進的產品。2010年4月9日，電子元件技術網記者在深圳會展中心第75界中國電子展（CEF）大河晶振（RIVER ELETEC）的展位上現場采訪了西安大河晶振科技有限公...
2010-04-16
挑戰小型化 大河晶振 先進的產品 SZ2010
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全球半導體設備資本支出衰退潮有望扭轉
國際研究暨顧問機構Gartner發布最終統計結果，2009年全球半導體設備資本設備支出為166億美元，較2008年衰退45.8%。在主要設備部門中，受到削減資本支出的沖擊，晶圓廠設備支出大幅下滑47%，后端設備(BEE)支出亦減少40%。
2010-04-16
半導體設備 資本支出 衰退潮 扭轉
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