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連接SPI接口器件 - 第二部分
單個時鐘域SPI實現的思路與兩個時鐘域非常相似。這里為了便于演示沒有使用PLL。同時，也不需要sync_stage模塊。由于是單個時鐘，需要clock_generator來生成dac_sck所需的時鐘下降沿條件，dac_sck則用作狀態機dac_fsm的觸發條件。
2021-11-29
SPI接口器件
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連接SPI接口器件 - 第一部分
LEC2 Workbench系列技術博文主要關注萊迪思產品的應用開發問題。這些文章由萊迪思教育能力中心（LEC2）的FPGA設計專家撰寫。LEC2是專門針對萊迪思屢獲殊榮的低功耗FPGA和解決方案集合的全球官方培訓服務供應商。
2021-11-29
SPI接口器件
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MOSFET性能改進：RDS(ON)的決定因素
許多中高壓MOSFET（250V及以上）具有平面MOS（π-MOS）結構，而小于200V的產品大多具有溝槽MOS（U-MOS）結構。因此，當耐受電壓VDSS＝600V時，Rdrift成為主導因素，當耐受電壓是30V時，因素Rch的比例較高。
2021-11-29
MOSFET RDS
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移動設備的 ESD 設計戰略：您的 SEED 工具
我們在第 1 部分介紹了 ESD 的基本概念以及系統高效 ESD 設計 (SEED)。本博客將為您介紹 SEED 工具箱中所有必要的部分。第 3 部分將介紹如何將 SEED 方法及建模和模擬一起用于優化系統級手機設計。
2021-11-29
移動設備 ESD 設計戰略
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做好準備：關于 ESD 和 RF 設備您需要了解什么
靜電放電 (ESD) 現象從一開始就存在。我們第一次接觸 ESD 往往是在孩童時代，在干燥的冬日觸碰金屬門把手時，會有種觸電的感覺——這就是靜電放電。這種短暫的不適感通常對人類來說不是問題，但是即使是少量的 ESD 也有可能會損毀敏感電路。
2021-11-29
ESD RF設備
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重負載時中開關元件工作相關的注意事項
在重負載時，如果MOSFET的體二極管的反向恢復時間trr較長，且有電流殘留，則在超前臂的MOSFET關斷時，寄生雙極晶體管可能會誤導通，從而損壞MOSFET。這種問題發生在由關斷時產生的對漏源電容CDS的充電電流而使寄生雙極晶體管自發地導通（誤導通）、瞬間流過大電流時。
2021-11-29
重負載 開關元件 注意事項
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IGBT的電流是如何定義的
IGBT的電流是器件基本參數之一，顯而易見FS450R12KE4就是450A 1200V IGBT模塊。這樣的理解對于日常工作交流來說是足夠了，但對于一位設計工程師是遠遠不夠的，而且業內充滿著誤解和流言。
2021-11-29
IGBT 輸出電流 定義
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