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東芝推出利用背照式技術(shù)來改進敏感度和成像質(zhì)量的傳感器
東芝發(fā)布了2000萬像素的最強背照式CMOS圖像傳感器，采用了新的像素設(shè)計技術(shù)和生產(chǎn)工藝，對比東芝上一代1600萬像素傳感器（像素尺寸1.34微米）飽和電子接收能力提高了15％，可以帶來更清晰的成像效果。
2012-12-29
CMOS傳感器 2000萬像素 東芝
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300μA超低綠色模式工作電流的同步整流器
Fairchild公司開發(fā)出 FAN6224 次級端同步整流器控制器，該器件集成了內(nèi)部可調(diào)負(fù)載級綠色模式運行，可終止所有SR開關(guān)操作并提供更低的空載功耗。并且能夠幫助設(shè)計人員滿足嚴(yán)格的能源法規(guī)。
2012-12-29
整流器 飛兆半導(dǎo)體 反激式轉(zhuǎn)換器
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安捷倫推出可輕松建立3D模型的電磁仿真軟件
安捷倫推出最新版EMPro 3D電磁仿真軟件?？奢p松建立3D模型，以便分析封裝、連接器、天線以及其它射頻和高速組件的電氣性能。
2012-12-29
安捷倫 3D 電磁仿真軟件
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新型時鐘開關(guān)保護器件，讓PCIe免受ESD損傷
保護敏感高速數(shù)據(jù)線路免受靜電放電(ESD)損傷是PCIe應(yīng)用的重要考慮因素。安森美半導(dǎo)體推出新的時鐘及數(shù)據(jù)、開關(guān)及保護器件,支持PCI Express應(yīng)用,新的扇出緩沖器、差分開關(guān)及穿越型封裝ESD保護器件彰顯安森美半導(dǎo)體用于服務(wù)器、網(wǎng)絡(luò)及ATE應(yīng)用的PCIe 3.0技術(shù)。
2012-12-28
安森美 ESD PCIe應(yīng)用
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LED保護器件持久戰(zhàn)，如何抓住機遇
保護器件不是簡單具有保護功能就可以獲得認(rèn)可，而要不斷因應(yīng)市場需求，在保持性能不變的前提下，不斷縮小體積，朝著機器裝配的方向發(fā)展。市場需求總是不斷提升的，這也給我們電路保護行業(yè)帶來了機會，誰能不斷滿足新的市場需求，誰就能持續(xù)走在行業(yè)的前端。
2012-12-28
LED 保護器件 AEM
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Rolith授權(quán)密歇根大學(xué)技術(shù)轉(zhuǎn)移辦公室研究透明生產(chǎn)導(dǎo)電電極
Rolith將生產(chǎn)透明導(dǎo)電電極，廣泛用于高容量應(yīng)用設(shè)備中，出于成本、產(chǎn)量以及性能方面的目的，以滿足市場對用其他解決方案替代ITO需求的增長。
2012-12-28
Rolith 導(dǎo)電電極 應(yīng)用設(shè)備
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可降低成本，適合低壓高效轉(zhuǎn)換的開關(guān)穩(wěn)壓器
圣邦微電子推出的新一代同步升壓開關(guān)穩(wěn)壓器，輸入電壓范圍為2.7V ~ 5.5V，工作效率高達90%以上。SGM6605的工作開關(guān)頻率為1.2MHz，推薦電感值在2.2μH ~ 10μH范圍內(nèi)，開關(guān)管內(nèi)置，從而減少了外圍元件的數(shù)目，降低了成本，非常適合低壓高效轉(zhuǎn)換的應(yīng)用。
2012-12-28
降低成本 高效轉(zhuǎn)換 開關(guān)穩(wěn)壓器
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中科院研制出可提升中國國產(chǎn)IC的競爭力的MOSFET組件
中科院電子研究所在N型和P型 MOS 電容上取得了 EOT≦8.5 、漏電流降低3個數(shù)量級以及金屬閘主動功函數(shù)距硅晶能隙距離≦0.2eV的成果，成功研發(fā)出組件性能進一步提升的22nm MOSFET 組件。
2012-12-28
中科院 MOSFET組件 22奈米
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看似平常，卻不可或缺的片狀獨石陶瓷電容器
對于電阻器、電容器、電感器這些被公認(rèn)為較平常的無源部件，實際上卻是最尖端電子設(shè)備不可或缺的部分。尤其對最尖端的半導(dǎo)體器件而言，片狀獨石陶瓷電容器更是極為重要的?？梢哉f，沒有片狀獨石陶瓷電容器的話，就無法正常地運作。在電子行業(yè)曾一度有觀點認(rèn)為“電容器遲早會被半導(dǎo)體器件所取代”。而...
2012-12-28
陶瓷電容器 電阻器 無源 半導(dǎo)體
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