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電子產(chǎn)品制造商SigmaTron為削減成本和增加業(yè)務(wù)選擇安捷倫測試設(shè)備
近日,北京――總部設(shè)在美國的領(lǐng)先合同電子產(chǎn)品制造商SigmaTron表示,新的安捷倫解決方案幫助公司滿足寬范圍的測試要求,包括嚴(yán)格的成本、質(zhì)量和出貨目標(biāo)。從而使SigmaTron公司能夠擴展業(yè)務(wù)范圍,應(yīng)對不確定全球經(jīng)濟的挑戰(zhàn)。
2012-03-29
電信 半導(dǎo)體 安捷倫 測試設(shè)備
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電子產(chǎn)品制造商SigmaTron為削減成本和增加業(yè)務(wù)選擇安捷倫測試設(shè)備
近日,北京――總部設(shè)在美國的領(lǐng)先合同電子產(chǎn)品制造商SigmaTron表示,新的安捷倫解決方案幫助公司滿足寬范圍的測試要求,包括嚴(yán)格的成本、質(zhì)量和出貨目標(biāo)。從而使SigmaTron公司能夠擴展業(yè)務(wù)范圍,應(yīng)對不確定全球經(jīng)濟的挑戰(zhàn)。
2012-03-29
電信 半導(dǎo)體 安捷倫 測試設(shè)備
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2657A:吉時利發(fā)布為測試優(yōu)化的高電壓數(shù)字源表
近日,先進電氣測試儀器與系統(tǒng)的世界級領(lǐng)導(dǎo)者吉時利儀器公司今日發(fā)布2657A高功率數(shù)字源表。2657A為吉時利2600A系列高速、精密源測量單元數(shù)字源表系列產(chǎn)品增加了高電壓功能。此系列儀器能幫助吉時利客戶分析范圍更寬的功率半導(dǎo)體器件和材料。
2012-03-29
高功率 半導(dǎo)體 吉時利 模數(shù)轉(zhuǎn)換器
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2012年LED產(chǎn)業(yè)不確定因素令市場發(fā)展微妙
由于受到近些年來全球經(jīng)濟整體的不景氣,歐洲普遍爆發(fā)的債務(wù)危機,以及多晶硅價格持續(xù)下跌,只是LED產(chǎn)業(yè)遭遇重重困境,雖然中國市場與國際市場尚未完全接軌,但是中國LED產(chǎn)業(yè)也遭遇了寒冬,整體表現(xiàn)差強人意。
2012-03-29
旗艦店 燈飾 燈飾品牌 LED
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TD-LTE終端產(chǎn)品市場尚未完全打開
目前中國TD-LTE終端芯片還處于起步階段,整體市場行情還未完全打開,未來還有許多潛力可以去發(fā)掘。國內(nèi)外芯片廠商市場參與熱情有限,但鑒于中國龐大的潛在市場,眾多芯片廠商也積極布局TD-LTE終端芯片市場,加緊研發(fā)TD-LTE多模終端芯片技術(shù),擇機進入終端芯片市場。
2012-03-29
TD-LTE 終端產(chǎn)品 產(chǎn)業(yè)鏈 產(chǎn)品
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三大運營商“聚焦”移動互聯(lián)網(wǎng) 發(fā)展各有側(cè)重
中國移動近幾年運營成本持續(xù)增長,2011年運營成本3767億元,增長12.6%。其中折舊和銷售費用占比超過50%;中國電信運營成本增長較快,2011年運營成本2209.12億元,同比增長12.5%,主要是銷售、一般及管理費用的增長較快,其中移動終端銷售成本增長159.2%、移動手機補貼增長29.1%;中國聯(lián)通運營成本增...
2012-03-29
移動互聯(lián)網(wǎng) 三網(wǎng)融合
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慣性感測器“左右逢源”增長率將達18.6%
隨著消費市場對智慧型手機產(chǎn)品需求大幅提升,慣性感測器出貨量在2011~2016年的年復(fù)合成長率(CAGR)將達18.6%,但產(chǎn)品價格卻會持續(xù)下降,因此同期間的市場產(chǎn)值CAGR將達16.6%,約28億美元。愈來愈多業(yè)者開始朝整合矽感測器的功能發(fā)展,市場生態(tài)逐步改變。
2012-03-29
慣性 感測器 加速度計
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淺析MOS管擊穿的原因及解決方案
MOS管本身的輸入電阻很高,而柵-源極間電容又非常小,所以極易受外界電磁場或靜電的感應(yīng)而帶電,而少量電荷就可在極間電容上形成相當(dāng)高的電壓(U=Q/C),將管子損壞。雖然MOS輸入端有抗靜電的保護措施,但仍需小心對待,在存儲和運輸中最好用金屬容器或者導(dǎo)電材料包裝,不要放在易產(chǎn)生靜電高壓的化...
2012-03-29
MOS管 擊穿 原因 解決方案
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降壓式DC/DC轉(zhuǎn)換器的MOSFET選擇要點
同步整流降壓式DC/DC轉(zhuǎn)換器都采用控制器和外接功率MOSFET的結(jié)構(gòu)。控制器生產(chǎn)商會在數(shù)據(jù)資料中給出參數(shù)齊全的應(yīng)用電路,但用戶的使用條件經(jīng)常與典型應(yīng)用電路不同,要根據(jù)實際情況改變功率MOSFET的參數(shù)。
2012-03-29
DC/DC MOSFET 降壓式
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