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瞄準(zhǔn)200mm GaN晶圓:安森美與英諾賽科簽署戰(zhàn)略協(xié)議,GaN市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局生變

發(fā)布時(shí)間:2025-12-04 責(zé)任編輯:lina

【導(dǎo)讀】為加速氮化鎵功率半導(dǎo)體在全球主要市場(chǎng)的普及,安森美與英諾賽科正式確立戰(zhàn)略合作關(guān)系。雙方簽署諒解備忘錄,計(jì)劃聚焦40V至200V中低壓GaN功率器件,通過深度融合安森美在系統(tǒng)集成與先進(jìn)封裝方面的專長(zhǎng),以及英諾賽科成熟的制造工藝與量產(chǎn)能力,共同開發(fā)更具成本效益與能效優(yōu)勢(shì)的解決方案。此舉旨在快速響應(yīng)工業(yè)自動(dòng)化、電動(dòng)汽車、AI數(shù)據(jù)中心及5G通信等領(lǐng)域?qū)Ω咝Чβ势骷找嬖鲩L(zhǎng)的需求,推動(dòng)GaN技術(shù)的大規(guī)模商用進(jìn)程。


安森美(onsemi) 與國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的GaN IDM企業(yè) 英諾賽科(Innoscience) 正式宣布達(dá)成戰(zhàn)略合作。雙方已簽署諒解備忘錄,將重點(diǎn)探索利用英諾賽科成熟的200毫米GaN-on-Si晶圓制造平臺(tái),結(jié)合安森美在系統(tǒng)級(jí)解決方案、驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)與先進(jìn)封裝方面的深厚積累,共同擴(kuò)大高性能、高性價(jià)比GaN功率器件的產(chǎn)能與市場(chǎng)供給,旨在快速響應(yīng)日益增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求,合力推動(dòng)GaN技術(shù)在全球范圍的規(guī)模化應(yīng)用與產(chǎn)業(yè)生態(tài)繁榮。


新聞概要:


· 此次合作將擴(kuò)展安森美的中低壓GaN功率產(chǎn)品組合,并在全球范圍內(nèi)擴(kuò)大GaN制造規(guī)模,從而加快產(chǎn)品上市速度并推動(dòng)更廣泛的應(yīng)用。

· 該非約束性諒解備忘錄概述了雙方的合作,涵蓋晶圓采購(gòu)及擴(kuò)展合作領(lǐng)域。雙方將依托安森美的GaN功率解決方案與英諾賽科的領(lǐng)先晶圓制造技術(shù),共同瞄準(zhǔn)GaN功率器件市場(chǎng)——該市場(chǎng)預(yù)計(jì)到2030年將達(dá)到29億美元總體市場(chǎng)規(guī)模1,為雙方帶來數(shù)億美元的潛在價(jià)值。

· 該合作通過整合安森美在封裝、驅(qū)動(dòng)器及系統(tǒng)集成上的專業(yè)能力,以及英諾賽科成熟先進(jìn)的氮化鎵制造能力,助力安森美與英諾賽科提升客戶價(jià)值。

·兩家公司的技術(shù)結(jié)合有望為工業(yè)、汽車、電信基礎(chǔ)設(shè)施、消費(fèi)電子和AI數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)提供更小巧、更高效的GaN解決方案。


2025年12月4日,為加速氮化鎵功率半導(dǎo)體在全球主要市場(chǎng)的普及,安森美與英諾賽科正式確立戰(zhàn)略合作關(guān)系。雙方簽署諒解備忘錄,計(jì)劃聚焦40V至200V中低壓GaN功率器件,通過深度融合安森美在系統(tǒng)集成與先進(jìn)封裝方面的專長(zhǎng),以及英諾賽科成熟的制造工藝與量產(chǎn)能力,共同開發(fā)更具成本效益與能效優(yōu)勢(shì)的解決方案。此舉旨在快速響應(yīng)工業(yè)自動(dòng)化、電動(dòng)汽車、AI數(shù)據(jù)中心及5G通信等領(lǐng)域?qū)Ω咝Чβ势骷找嬖鲩L(zhǎng)的需求,推動(dòng)GaN技術(shù)的大規(guī)模商用進(jìn)程。


GaN 半導(dǎo)體器件憑借更高的開關(guān)速度、更小的尺寸和更低的能耗,能夠在更小的空間內(nèi)提供更大的功率。迄今為止,有限的產(chǎn)品供應(yīng)和產(chǎn)能不足制約了GaN 在低壓和中壓領(lǐng)域的應(yīng)用。通過此次合作,安森美和英諾賽科將攜手突破這些阻礙,加速實(shí)現(xiàn)更優(yōu)化的GaN 解決方案在全球主流市場(chǎng)的大規(guī)模部署。


?工業(yè)領(lǐng)域:機(jī)器人電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、太陽(yáng)能微型逆變器及優(yōu)化器

?汽車領(lǐng)域:DC-DC轉(zhuǎn)換器、同步整流

?電信基礎(chǔ)設(shè)施:DC-DC轉(zhuǎn)換器與負(fù)載點(diǎn)轉(zhuǎn)換器

?消費(fèi)及大眾市場(chǎng):電源、適配器、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、音頻設(shè)備、輕型電動(dòng)汽車、電動(dòng)工具、機(jī)器人等

?AI數(shù)據(jù)中心:中間總線轉(zhuǎn)換器、DC-DC轉(zhuǎn)換器、備用電池


對(duì)于安森美的客戶而言,與英諾賽科的合作將帶來如下優(yōu)勢(shì):

?加快產(chǎn)品上市速度:憑借安森美的系統(tǒng)專業(yè)知識(shí)以及英諾賽科成熟的 GaN 技術(shù)和制造工藝,實(shí)現(xiàn)快速原型制作、加速設(shè)計(jì)導(dǎo)入,并迅速進(jìn)入主流市場(chǎng)。

?可擴(kuò)展制造:依托安森美全球集成與封裝經(jīng)驗(yàn)及英諾賽科成熟的 GaN 產(chǎn)能,實(shí)現(xiàn)真正面向大眾市場(chǎng)的規(guī)模化生產(chǎn),滿足大批量產(chǎn)能爬坡需求。

?更低的系統(tǒng)成本:優(yōu)化封裝、減少元器件數(shù)量和簡(jiǎn)化熱管理,實(shí)現(xiàn)更緊湊的設(shè)計(jì)并降低整體系統(tǒng)成本。


“隨著各行各業(yè)電力需求的增長(zhǎng),GaN 相比其他材料具有更高的效率、更小的尺寸和更低的能耗。迄今為止,在低壓和中壓領(lǐng)域,成本和供應(yīng)限制了其廣泛應(yīng)用。通過與英諾賽科的合作,我們有望利用業(yè)界最大的GaN生產(chǎn)基地,迅速擴(kuò)大我們面向全球客戶的GaN產(chǎn)品交付,推動(dòng)在主流電力應(yīng)用中的普及。”安森美企業(yè)戰(zhàn)略副總裁 Antoine Jalabert表示。


“GaN技術(shù)對(duì)于改進(jìn)電子產(chǎn)品、打造更小、更高效的電源系統(tǒng),節(jié)約電力以及減少二氧化碳排放至關(guān)重要。英諾賽科很高興能與安森美探索戰(zhàn)略合作機(jī)遇,在全球范圍內(nèi)擴(kuò)大和加速GaN 電源技術(shù)的應(yīng)用,并依托安森美豐富的產(chǎn)品組合構(gòu)建系統(tǒng)集成平臺(tái)。”英諾賽科產(chǎn)品與工程高級(jí)副總裁孫毅表示。


完整的智能電源產(chǎn)品組合


預(yù)計(jì)到2030年,GaN將在全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)占據(jù)約29億美元(11%)的份額,2024-2030年期間復(fù)合年增長(zhǎng)率預(yù)計(jì)達(dá)42%1。此次與英諾賽科的合作將進(jìn)一步拓展安森美智能電源產(chǎn)品組合,該產(chǎn)品組合現(xiàn)已涵蓋硅、碳化硅(SiC)和氮化鎵技術(shù)。這些技術(shù)的結(jié)合使安森美能夠?yàn)锳I數(shù)據(jù)中心、汽車、工業(yè)和消費(fèi)類應(yīng)用提供最佳電源系統(tǒng)。這一完整的低壓和中壓產(chǎn)品組合鞏固了安森美作為領(lǐng)先的全集成電源系統(tǒng)供應(yīng)商的地位,助力客戶在全球電氣化和人工智能能源需求持續(xù)激增的背景下,最大限度地提高性能和能效。


時(shí)間安排與供貨情況


安森美預(yù)計(jì)將于2026年上半年開始提供樣品。


關(guān)于安森美(onsemi)


安森美(onsemi, 納斯達(dá)克股票代號(hào):ON)致力推動(dòng)顛覆性創(chuàng)新,打造更美好的未來。公司關(guān)注汽車和工業(yè)終端市場(chǎng)的大趨勢(shì),加速推動(dòng)汽車功能電子化和汽車安全、可持續(xù)電網(wǎng)、工業(yè)自動(dòng)化以及5G和云基礎(chǔ)設(shè)施等細(xì)分領(lǐng)域的變革創(chuàng)新。安森美提供高度差異化的創(chuàng)新產(chǎn)品組合以及智能電源和智能感知技術(shù),以解決全球最復(fù)雜的挑戰(zhàn),引領(lǐng)創(chuàng)造更安全、更清潔、更智能的世界。安森美被納入納斯達(dá)克100指數(shù)和標(biāo)普500指數(shù)。

 

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