【導讀】SPHBM4在沿用標準HBM4 DRAM核心層、保障容量擴展能力的基礎上，通過接口基礎裸片的創新性設計實現了關鍵突破——I/O數據引腳數量銳減至標準HBM4的四分之一。依托有機基板替代硅基板、更高工作頻率及4:1串行化技術的協同作用，這款新型內存不僅適配更低凸點間距密度的材料特性，更為提升單一封裝內存堆棧數量、拓展系統總容量開辟了新路徑，將對高性能計算存儲領域產生深遠影響。
12 月 12 日消息，JEDEC 固態技術協會美國加州當地時間 11 日宣布，其已接近完成 SPHBM4 內存規范。這里的 "SP" 是 "Standard Package"（標準封裝）的首字母簡寫。
JEDEC 接近完成 SPHBM4 規范：I/O 引腳數量僅有標準 HBM4 內存的 1/4
SPHBM4 使用與標準 HBM4 相同的 DRAM 核心層，兩者在容量擴展上沒有差異。區別在于，SPHBM4 在接口基礎裸片 (Interface Base Die) 部分采用了不同的設計，可安裝在標準有機基板而不是硅基板上。
此外，標準 HBM4 內存擁有 2048 個 I/O 數據引腳，而在 SPHBM4 上這一數量將降低到 512 個。為實現相當的總數據傳輸速率，SPHBM4 將具有更高的工作頻率并采用 4:1 串行化技術。這也是為了配合有機基板支持的凸點間距密度更低的材料特性。
SPHBM4 使用有機基板布線的一大好處是在 SoC 和 HBM 內存堆棧間允許更長的線徑，這有利于提升單一封裝中集成的堆棧數量，從而進一步提高系統內存總容量。
SPHBM4內存規范的臨近完成，無疑是HBM技術發展歷程中的一次重要革新。它并非對標準HBM4的顛覆，而是通過封裝與接口層面的優化，在保持核心性能與容量潛力的同時，有效降低了技術應用門檻與硬件適配難度。有機基板的采用與引腳數量的精簡，不僅解決了傳統硅基板帶來的限制，更以靈活的布線特性為內存容量的進一步突破提供了可能。
