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高性能電解電容器是LED長壽命的保障
LED是一種壽命極長的電光源，其使用壽命可以達到10萬小時。但是，在實際應用中，LED的壽命并不能達到理想的長度，有的甚至使用不到一年就已經損壞。究其原因，鋁電解電容器是導致LED驅動電路壽命達不到要求的關鍵元素。如果能做出長壽命電解電容器，使電解電容器的壽命與LED壽命基本相同。那么，電...
2013-05-16
電解電容
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安森美推出降低30%開關損耗的截止型IGBT器件
近日，安森美半導體推出新的第二代場截止型(FSII)IGBT器件，降低開關損耗達30%，因而提供更高能效，并轉化為更低的外殼溫度，為設計人員增強系統總體性能及可靠性的選擇。這些新器件針對目標應用進行了優化，相比現有器件能降低外殼溫度達20%。
2013-05-16
安森美 IGBT 開關損耗
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今年Q2起多數半導體元件價格將會上升
半導體元件價格連續兩年放緩之后，半導體元件的長期前景有望好轉，未來四年的復合年度增長率(CAGR)預計達到5.7%。其增長將來自無線市場的消費支出增加，以及醫療、能源和公共基礎設施等領域對于新產品的需求。
2013-05-16
半導體 市場 平板電腦
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新型帶擴展功能功率因數控制器 參數可視化存儲及處理
TDK新推出兩款BR7000系列新型功率因數控制器。其中BR7000-T控制器專為應用于快速投切操作的EPCOS動態晶閘管模塊而設計，而TDK新產品BR7000-I控制器配置了RS485接口，通過RS485接口與PC機連接，實現嵌入網絡、控制器耦合以及數據讀取。
2013-05-16
控制器 BR7000 功率因數 TDK
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電源轉換新時代的來臨：IR開始商業裝運GaN器件
IR在業內率先商業付運可大幅提高現有電源轉換系統效率的GaN功率器件，預示著電源效率革命性改善新時代的到來。相比當今最先進的硅功率器件技術，氮化鎵技術平臺能夠將客戶的電源應用的性能指數(FOM)提升10倍。
2013-05-15
IR GaN 電源轉換
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IGBT在太陽能應用中的高能效設計
對于太陽能逆變器來說，絕緣柵雙極晶體管(IGBT)能比其他功率元件提供更多的效益，其中包括高載流能力、以電壓而非電流進行控制，并能使逆并聯二極管與IGBT配合。本文將介紹如果利用全橋逆變器拓撲及選用合適的IGBT，使太陽能應用的功耗降至最低。
2013-05-14
IGBT 太陽能 逆變器 高能效
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EMC領軍企業揮師西部 大舉搶占軍工、航天、通信市場 ——直面中國制造業向西部的戰略轉移，先入為主，占領中國西部市場！
“ 中國(西部)EMC應用技術展”是電磁兼容技術面向航天、軍工、通信領域的國際盛會。 成都，中國西部大開發的龍頭城市，中國重要的基礎電子裝備基地、航天、軍品電子中心。
2013-05-13
EMC
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微波射頻電路及系統設計研討會 助力西部核心產業發展 為西部RF、微波和高頻電路及系統行業策劃的新技術交流會
“2013成都高頻電路及系統技術研討會”（6月21日 成都世紀城新國際會展中心）如火如荼進行中，此次會議與“2013中國成都電子展”同期舉辦。是由專注于微波、射頻、無線技術的行業門戶網站微波射頻網（MWRF.NET）和中國歷史最悠久、最權威的中國電子展組委會聯合主辦的，已開通官方網站：http://www.mwrf...
2013-05-13
微波射頻電路
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中國電子展助力西部——中國電子展6月亮相成都 全面展示工業和軍工電子技術解決方案
電子信息是成都第一支柱產業之一。四川電子信息產業是一極一基地四帶多園區，其中“一極”即是成都。在這里，電子信息產業產值在全省占50%左右，軟件占90%以上。始于英特爾來蓉、富士康、仁寶、緯創、德州儀器等世界IT巨頭紛至沓來……眼下，世界500強企業中超過40家電子類企業來蓉布局，全球軟件20強中...
2013-05-13
中國電子展
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