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2010年中國電子產(chǎn)業(yè)走勢(shì)分析
在過去的全球性經(jīng)濟(jì)危機(jī)和半導(dǎo)體周期的雙重影響下，電子產(chǎn)業(yè)的企業(yè)生存與發(fā)展受到極大考驗(yàn)。不過在中國、印度等新興市場(chǎng)的帶動(dòng)下，這一局面正在慢慢扭轉(zhuǎn)，2010年中國電子產(chǎn)業(yè)看好。
2010-06-01
電子產(chǎn)業(yè) 半導(dǎo)體 LED 3G 太陽能
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Littelfuse 連續(xù)兩年授予Mouser目錄分銷商獎(jiǎng)
Mouser Electronics，以其新產(chǎn)品快速導(dǎo)入知名。今日宣布，Mouser被Littelfuse授予2009年目錄分銷商獎(jiǎng)。 Littelfuse是電路保護(hù)設(shè)備的領(lǐng)先制造商，提供行業(yè)內(nèi)范圍最廣最深入的電路保護(hù)產(chǎn)品和解決方案。
2010-06-01
Littelfuse Mouser
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安森美半導(dǎo)體推出IPD2工藝技術(shù)
應(yīng)用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能效硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN)推出新的集成無源元件(IPD)工藝技術(shù)——IPD2。這新工藝是公司增強(qiáng)既有的HighQ?硅銅(copper on silicon) IPD技術(shù)，第二層的銅層厚度僅為5微米(μm)，增強(qiáng)了電感性能，提高了靈活性，配合...
2010-06-01
IPD2 集成無源元件(IPD)工藝
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飛兆半導(dǎo)體USB技術(shù)實(shí)現(xiàn)移動(dòng)產(chǎn)品設(shè)計(jì)差異化
USB業(yè)已成為移動(dòng)應(yīng)用設(shè)備的通用接口，USB端口從單純的數(shù)據(jù)接口已經(jīng)演變?yōu)橐环N文件傳輸、電池充電、收聽音樂和設(shè)備工廠編程的方法。為了更好地支持單一連接器上的功能融合，飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)提供全新的USB收發(fā)器和USB附件檢測(cè)開關(guān)，可以實(shí)現(xiàn)更豐富功能，且不會(huì)增加設(shè)計(jì)復(fù)雜性...
2010-06-01
micro-USB開關(guān)(FSA9280A) USB收發(fā)器(FUSB2500)
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PS9505/PS9305：CEL推出柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器
CEL推出大電流快速轉(zhuǎn)換時(shí)間的柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器PS9505和PS9305，PS9505和PS9305系列隔離的柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器具有高的共模瞬態(tài)免疫、高輸出電流和快速轉(zhuǎn)換時(shí)間，用來驅(qū)動(dòng)功率晶體管，感應(yīng)加熱和工業(yè)逆變器。
2010-05-31
PS9505 PS9305 CEL 光耦合器
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世界最小晶體管問世：僅由7個(gè)原子構(gòu)成
據(jù)物理學(xué)家組織網(wǎng)報(bào)道，美國與澳大利亞科學(xué)家成功制造出世界上最小的晶體管——由7個(gè)原子在單晶硅表面構(gòu)成的一個(gè)“量子點(diǎn)”，標(biāo)志著我們向計(jì)算能力的新時(shí) 代邁出了重要一步。
2010-05-31
晶體管 原子
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Vishay推出6款用于消費(fèi)電子的FRED Pt超快恢復(fù)整流器
日前，Vishay推出6款用于消費(fèi)電子應(yīng)用的FRED Pt超快恢復(fù)整流器。新的600V、8A器件在額定電流下具有1V的超低典型壓降，在硬開關(guān)條件下的快速恢復(fù)時(shí)間只有16ns，在125℃下的典型泄漏電流低至30μA。
2010-05-31
整流器
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世健科技與首爾半導(dǎo)體簽署分銷協(xié)議，正式進(jìn)軍LED 市場(chǎng)
新加坡上市公司世健科技有限公司 ( 下稱“世健公司” 或 “世健” ) 今天宣布與首爾半導(dǎo)體達(dá)成分銷協(xié)議, 授權(quán)世健公司在中國、印度及東盟國家和地區(qū)銷售首爾半導(dǎo)體從最小的DC LED到世界首創(chuàng)的AC LED – Acriche 的全線產(chǎn)品。
2010-05-28
世健科技 首爾半導(dǎo)體 LED
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東京都市大學(xué)制作出嵌入鍺量子點(diǎn)的硅基LED
東京都市大學(xué)（原武蔵工業(yè)大學(xué)）宣布其制作出了采用鍺（Ge）量子點(diǎn)的硅發(fā)光元件，并在室溫下確認(rèn)了基于電流激勵(lì)的發(fā)光現(xiàn)象。由于可在CMOS工藝中使用具有兼容性的制造工藝、還有望實(shí)現(xiàn)激光振蕩，距離硅光子的實(shí)現(xiàn)更近了一步。
2010-05-28
東京都市大學(xué) 硅 LED CMOS 光開關(guān)
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