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美國JME電容公司研制成由一組與底座垂直的超級電容
據(jù)了解，超級電容也稱雙電層電容器，是一種新型儲能裝置。通常能在幾秒鐘內(nèi)完成充電，此外還具有容量大、功率高、使用壽命長、經(jīng)濟(jì)環(huán)保等特點，在數(shù)碼相機(jī)、掌上電腦、新能源汽車等領(lǐng)域都有著廣泛的應(yīng)用價值。
2011-07-01
JME 電容 底座
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美國JME電容公司研制成由一組與底座垂直的超級電容
據(jù)了解，超級電容也稱雙電層電容器，是一種新型儲能裝置。通常能在幾秒鐘內(nèi)完成充電，此外還具有容量大、功率高、使用壽命長、經(jīng)濟(jì)環(huán)保等特點，在數(shù)碼相機(jī)、掌上電腦、新能源汽車等領(lǐng)域都有著廣泛的應(yīng)用價值。
2011-07-01
JME 電容 底座
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2011年功率電晶體市場將達(dá)131億美元
市場研究機(jī)構(gòu)IC Insights預(yù)測，全球功率電晶體(power transistors)市場2011年將達(dá)到131億美元營收規(guī)模，較2010年成長9%；該市場在 2010年的成長率為44%。IC Insights指出，功率電晶體市場的成長動力，來自汽車、可攜式產(chǎn)品、替代能源與省電設(shè)備等應(yīng)用領(lǐng)域。
2011-07-01
電晶體 IGBT 電源
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2011年功率電晶體市場將達(dá)131億美元
市場研究機(jī)構(gòu)IC Insights預(yù)測，全球功率電晶體(power transistors)市場2011年將達(dá)到131億美元營收規(guī)模，較2010年成長9%；該市場在 2010年的成長率為44%。IC Insights指出，功率電晶體市場的成長動力，來自汽車、可攜式產(chǎn)品、替代能源與省電設(shè)備等應(yīng)用領(lǐng)域。
2011-07-01
電晶體 IGBT 電源
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MT9D015：Aptina宣布推出手機(jī)圖像傳感器
CMOS成像解決方案的領(lǐng)先提供商Aptina日前宣布推出MT9D015手機(jī)圖像傳感器。該1/5英寸200萬像素圖像傳感器可以滿足手機(jī)市場中智能手機(jī)主攝像頭和前置攝像頭在拍攝照片和視頻方面日益增長的需求。
2011-06-30
MT9D015 Aptina 傳感器
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IR推出堅固可靠的高壓柵級驅(qū)動IC
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 擴(kuò)展其封裝系列，推出PQFN 4mm x 4mm封裝。IR最新的高壓柵級驅(qū)動IC采用該封裝，為家用電器、工業(yè)自動化、電動工具和替代能源等一系列應(yīng)用提供了超緊湊、高密度和高效率的解決方案。
2011-06-30
IR 高壓 驅(qū)動IC
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IR推出堅固可靠的高壓柵級驅(qū)動IC
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 擴(kuò)展其封裝系列，推出PQFN 4mm x 4mm封裝。IR最新的高壓柵級驅(qū)動IC采用該封裝，為家用電器、工業(yè)自動化、電動工具和替代能源等一系列應(yīng)用提供了超緊湊、高密度和高效率的解決方案。
2011-06-30
IR 高壓 驅(qū)動IC
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三星夏普率先量產(chǎn)氧化物TFT
IGZO為InGaZnO (銦鎵鋅氧化物)的縮寫，系備受關(guān)注的次世代TFT技術(shù)，屬氧化物TFT (Oxide TFT)的一種。DIGITIMES Research分析，與非晶硅(a-Si)TFT相較，氧化物TFT不僅電子移動度較高，且在TFT一致性、制造成本與制程溫度，亦均與非晶硅TFT同水平，有機(jī)會成為次世代TFT制程。
2011-06-30
氧化物TFT TFT 次世代TFT技術(shù)
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三星夏普率先量產(chǎn)氧化物TFT
IGZO為InGaZnO (銦鎵鋅氧化物)的縮寫，系備受關(guān)注的次世代TFT技術(shù)，屬氧化物TFT (Oxide TFT)的一種。DIGITIMES Research分析，與非晶硅(a-Si)TFT相較，氧化物TFT不僅電子移動度較高，且在TFT一致性、制造成本與制程溫度，亦均與非晶硅TFT同水平，有機(jī)會成為次世代TFT制程。
2011-06-30
氧化物TFT TFT 次世代TFT技術(shù)
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