- 利用IDT專利的CrystalFree pMEMS諧振器技術
- 可在-40℃至85℃的廣泛工業溫度范圍內運行
- 以更低的成本實現更高的頻率而無需損耗關鍵性能
- 可在緊湊業界標準封裝中以遠低于1皮秒的相位抖動運行
- 高性能通信、消費、云和工業應用
擁有模擬和數字領域的優勢技術、提供領先的混合信號半導體解決方案的供應商IDT公司 (Integrated Device Technology, Inc.) 宣布，已推出全球首款針對高性能通信、消費、云和工業應用的CrystalFree壓電MEMS（pMEMS）LVDS/LVPECL振蕩器。IDT的新型振蕩器可在緊湊業界標準封裝中以遠低于1皮秒的相位抖動運行，使其成為傳統六管腳晶體振蕩器（XO）的理想替代。
IDT的4M系列高性能LVDS/LVPECL振蕩器利用IDT專利的CrystalFree pMEMS諧振器技術，讓IDT能夠迅速在出廠時編程所需的輸出頻率，無需微調昂貴的晶體。此外，由于pMEMS的本征諧振頻率遠高于石英晶體，4M振蕩器能夠以更低的成本實現更高的頻率而無需損耗關鍵性能。4M系列是IDT廣泛MEMS-based器件組合的首款產品，將為客戶提供便利、精確和低抖動的計時參考。
IDT公司副總裁兼計時與同步部門總經理Fred Zust表示：“作為計時領域的領導者，我們的客戶一直期望IDT的pMEMS技術能夠擴展至通信這樣的高性能應用，通信是40億美元頻率控制市場的重要細分市場。IDT專利的pMEMS諧振器技術將壓電材料的強機電耦合與單晶硅的穩定性和低阻尼相結合，允許我們憑借無與倫比的性能和可靠性實現便利且具有成本效益的XO替代。這些產品與我們屢獲殊榮的固態振蕩器相得益彰，可提供完整的頻率控制產品組合，從而在不斷增加的細分市場中替代石英器件。”
IDT的4M振蕩器可在-40℃至85℃的廣泛工業溫度范圍內以±50 ppm的頻率精度運行。器件支持低壓差分信號（LVDS）和低電壓正發射極耦合邏輯（LVPECL），頻率高達625 MHz，可滿足大多數通信、網絡和高性能計算應用的嚴格要求。除了7.0 x 5.0 mm（7050）尺寸，IDT的pMEMS振蕩器還提供5.0 x 3.2 mm（5032）小型標準塑料封裝，可節省成本并在高密度的應用領域將封裝尺寸降至最低。經過設計，它們與傳統的XO管腳兼容，使其成為理想的升級替代解決方案。
IDT的4M振蕩器已向合格客戶提供樣品，并提供基于頻率、電壓、輸出類型和工業標準封裝的多種配置。
