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VLRE31/VLRK31系列:Vishay新型高亮度SMD LED
為滿足日益增長的對AlInGaP技術的需求,日前,Vishay宣布推出兩種新系列的、采用倒立鷗翼式封裝的黃色和紅色SMD LED,這兩種系列的SMD LED具有高發光強度和低功耗的特點。
2008-05-09
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ACAS 0612 AT:Vishay新型汽車精密薄膜芯片電阻陣列
日前,Vishay宣布推出ACAS 0612 AT汽車精密薄膜芯片電阻陣列,該器件已通過AEC-Q200測試,并具有1000V額定電壓的ESD穩定性。該器件經優化可滿足汽車行業對溫度和濕度的新要求,同時可為工業、電信及消費電子提供較高的重復性和穩定的性能。
2008-05-09
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VAR:Vishay 新型超高精度、高分辯率 Z 箔音頻電阻
日前,Vishay宣布推出新型超高精度 Z 箔音頻電阻,該電阻采取特殊設計,可增加信號清晰度。當溫度范圍在 -55°C 至 +125°C 時,該器件具有 ±0.2 ppm/°C 的超低典型 TCR、在額定功率時 5ppm 的出色PCR(自身散熱產生的 ?R)、0.01% 的絕對容差且電流噪聲小于 -40dB。
2008-05-07
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Vishay榮獲EE Times評選的模擬集成電路類年度最佳產品獎
日前,Vishay宣布,該公司的SiP12510 和SiP12511白色LED驅動器榮獲2008年EE Times評選的年度電子產品創新 (ACE) 獎項中的模擬集成電路類最佳產品獎。ACE 獎褒獎電子工程業最具創新的公司及突破性技術。
2008-05-06
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TSFF5510:Vishay寬視角新型高功率高速紅外發射器
Vishay推出其首款寬視角、采用引腳封裝的紅外發射器,從而擴大了其光電子產品組合。通過其獨特設計的鏡頭,TSFF5510具有 ±38o 視角,與標準的 5 mm 發射器相比,可提供更優異的性能。
2008-04-30
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8STH06FP/8S2TH06FP/15STH06FP/15S2TH06FP:Vishay 四款高頻整流器
日前,Vishay推出四款新型 600V FRED Pt 超高速整流器,這些器件具有超快、超穩定的反向恢復時間及低正向壓降,可減少高效 PFC 及 SMPS 應用中的開關損失。
2008-04-25
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Vishay的電點火器芯片電阻器榮獲 EDN無源元器件和互聯欄目第18屆年度創新獎
Vishay日前宣布,在4月14日加利福尼亞州圣荷西舉辦的宴會和頒獎典禮上,其電點火器芯片電阻器(EPIC)榮獲無源元器件和互聯欄目的EDN創新獎。
2008-04-24
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Si8441DB/Si8451DB:Vishay超薄20V P通道功率MOSFET
日前,為滿足對便攜式設備中更小元件的需求,Vishay推出 20V p 通道 TrenchFET功率 MOSFET,該器件采用 MICRO FOOT芯片級封裝,具有超薄厚度及最低導通電阻。
2008-04-09
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VEMT系列:Vishay PLCC-2 封裝的新型硅NPN光電晶體管
日前,Vishay推出采用可與無鉛 (Pb) 焊接兼容的 PLCC-2 表面貼裝封裝的新系列寬角光電晶體管。VEMT 系列中的器件可作為當前 TEMT 系列光電晶體管的針腳對針腳及功能等同的器件,從而可實現快速輕松的替代,以滿足無鉛 (Pb) 焊接要求。
2008-04-04
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Vishay HE3 濕鉭高能電容器被今日電子雜志評為年度最佳產品
日前,Vishay宣布,其HE3 濕鉭高能電容器榮獲今日電子雜志“2007 年度最佳產品獎”。
2008-03-31
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Si7192DP:Vishay Siliconix TrenchFET功率MOSFET
日前,Vishay推出新型第三代 TrenchFET功率 MOSFET 系列中的首款器件,該器件具有破紀錄的導通電阻規格及導通電阻與柵極電荷乘積。
2008-03-26
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GA..系列:Vishay高額定電流的半橋600V 及1200V IGBT模塊
日前,Vishay宣布推出采用業界標準 Int-A-Pak 封裝的新系列半橋絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT)。該系列由八個 600V 及 1200V 器件組成,這些器件采用多種技術,可在標準及超快速度下實現高開關工作頻率。
2008-03-14
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