-
國產超強手機內存長鑫LPDDR5X來了
近日，長鑫存儲（CXMT）正式宣布，已成功實現LPDDR5X系列內存芯片的研發與量產，標志著我國在高端移動存儲技術領域實現關鍵突破。這一里程碑進展不僅填補了國產DRAM在旗艦級手機應用中的空白，也意味著國產高端智能手機正加速擺脫對美韓存儲芯片的長期依賴。
2025-10-27
-
華邦電子重新定義AI內存：為新一代運算打造高帶寬、低延遲解決方案
隨著高效能運算（HPC）工作負載日益復雜，生成式 AI 正加速整合進現代系統，推動先進內存解決方案的需求因此日益增加。為了應對這些快速演進的需求，業界正積極發展新一代內存架構，致力于提升帶寬、降低延遲，同時增加電源效能。DRAM、LPDDR 以及利基型內存技術的突破正重新定義運算效能，而專為 AI 優化的內存方案，則扮演了驅動效率與擴展性的關鍵角色。華邦的半定制化超高帶寬元件 (CUBE) 內存即是此進展的代表，提供高帶寬、低功耗的解決方案，支持 AI 驅動的工作負載。本文將探討內存技術的最新突破、AI 應用日益增長的影響力，以及華邦如何透過策略性布局響應市場不斷變化的需求。
2025-08-28
-
14.4Gbps 狂飆！Cadence 全球首發 LPDDR6/5X IP 點亮下一代 AI
楷登電子（Cadence，NASDAQ：CDNS）近日成功流片業界首款LPDDR6/5X內存IP系統解決方案，支持14.4Gbps超高速率，較前代LPDDR DRAM性能提升50%。該方案專為新一代AI基礎設施設計，可滿足大語言模型（LLM）、智能代理等計算密集型應用對內存帶寬與容量的嚴苛需求。目前，Cadence正與全球頭部AI、高性能計算（HPC）及數據中心客戶展開深度合作，共同推動AI算力架構的存儲升級。
2025-07-17
-
提高下一代DRAM器件的寄生電容性能
隨著傳統DRAM器件的持續縮小，較小尺寸下寄生電容的增加可能會對器件性能產生負面影響，未來可能需要新的DRAM結構來降低總電容，并使器件發揮出合格的性能。本研究比較了6F2蜂窩動態隨機存取存儲器 (DRAM) 器件與4F2垂直通道訪問晶體管 (VCAT) DRAM結構的寄生電容。結果表明，與6F2結構相比，4F2結構顯著降低了節點接觸 (NC) 與位線 (BL) 之間的寄生電容。盡管4F2器件其他組件之間的寄生電容相比6F2器件略有增加，但它們仍處于支持器件達成目標性能的合格水平。相比6F2器件，4F2 DRAM器件的總寄生電容得到有效降低，可能在器件尺寸較小的情況下提供更優的性能。
2024-11-20
-
DigiKey開售Kingston的內存產品和存儲解決方案
DigiKey 宣布與 Kingston Technology（金士頓）合作，向全球分銷其內存產品和存儲解決方案。作為全球最大的獨立存儲器產品制造商之一，Kingston 面向各種規模的工業和嵌入式 OEM 客戶，提供包括 eMMC、eMCP、ePoP、UFS 和 DRAM 組件在內的各種存儲產品。該公司還提供一系列專為系統設計師和制造者打造的工業級 SATA 和 NVMe 固態硬盤 (SSD)。
2024-07-27
-
以工藝窗口建模探索路徑：使用虛擬制造評估先進DRAM電容器圖形化的工藝窗口
持續的器件微縮導致特征尺寸變小，工藝步驟差異變大，工藝窗口也變得越來越窄[1]。半導體研發階段的關鍵任務之一就是尋找工藝窗口較大的優秀集成方案。如果晶圓測試數據不足，評估不同集成方案的工藝窗口會變得困難。為克服這一不足，我們將舉例說明如何借助虛擬制造評估 DRAM 電容器圖形化工藝的工藝窗口。
2023-11-29
-
DDR5 時代來臨，新挑戰不可忽視
在人工智能（AI）、機器學習（ML）和數據挖掘的狂潮中，我們對數據處理的渴求呈現出前所未有的指數級增長。面對這種前景，內存帶寬成了數字時代的關鍵“動脈”。其中，以雙倍數據傳輸速率和更高的帶寬而聞名的 DDR（Double Data Rate）技術作為動態隨機存取存儲器（DRAM）的重要演進，極大地推動了計算機性能的提升。從 2000 年第一代 DDR 技術誕生，到 2020 年 DDR5，每一代 DDR 技術在帶寬、性能和功耗等各個方面都實現了顯著的進步。
2023-10-20
-
為什么消費類DRAM無法滿足工業應用需求？
消費類DRAM廣泛普及，而且往往物美價廉。然而，這些表面上的好處掩蓋了消費類DRAM 在工業應用中的真正危險和缺陷。在本文中，我們將探討消費類DRAM和工業DRAM之間的差異，并揭示不正確使用DRAM的風險。
2023-09-25
-
為什么FeFET變得如此有趣？
隨著芯片制造商尋找新的選擇來維持驅動電流，鐵電體正在接受認真的重新考慮。鐵電材料可以提供非易失性存儲器，填補 DRAM 和閃存之間的重要功能空白。事實上，用于存儲器的鐵電體和用于晶體管的 2D 溝道是最近 IEEE 電子設備會議的兩個亮點。
2022-12-30
-
SPARC：用于先進邏輯和 DRAM 的全新沉積技術
泛林集團發明了一種名為 SPARC 的全新沉積技術，用于制造具有改進電絕緣性能的新型碳化硅薄膜。重要的是，它可以沉積超薄層，并且在高深寬比的結構中保持性能，還不受工藝集成的影響，可以經受進一步處理。SPARC 將泛林無與倫比的等離子技術與化學和工藝工程相結合，實現了先進邏輯和 DRAM 集成設計的進一步發展。
2022-10-09
-
貿澤電子與Innodisk簽訂全球分銷協議，提供工業級存儲產品
2022年6月6日 – 專注于引入新品的全球半導體和電子元器件授權分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與Innodisk簽訂新的分銷協議。Innodisk（宜鼎國際）是工業級嵌入式閃存與DRAM存儲產品和技術的知名供應商，專注于企事業單位以及工業、醫療與航空航天等行業。
2022-06-06
-
Xilinx FPGA DDR3設計（一）DDR3基礎掃盲
DDR3 SDRAM 全稱double-data-rate 3 synchronous dynamic RAM，即第三代雙倍速率同步動態隨機存儲器。雙倍速率（double-data-rate），是指時鐘的上升沿和下降沿都發生數據傳輸；同步，是指DDR3數據的讀取寫入是按時鐘同步的；動態，是指DDR3中的數據掉電無法保存，且需要周期性的刷新，才能保持數據；隨機，是指可以隨機操作任一地址的數據。
2022-05-12
- 國產濾波技術突破：金升陽FC-LxxM系列實現寬電壓全場景覆蓋
- 空間受限難題有解：Molex SideWize直角連接器重塑高壓布線架構
- 信號切換全能手：Pickering 125系列提供了從直流到射頻的完整舌簧繼電器解決方案
- 射頻供電新突破：Flex發布兩款高效DC/DC轉換器，專攻微波與通信應用
- 電源架構革新：多通道PMIC并聯實現大電流輸出的設計秘籍
- 重要發聲！意法半導體總裁格蘭迪亮相巴克萊全球科技年會
- 意法半導體與TSE達成15年太陽能供電協議，為法國工廠注入“陽光動力”
- 瞄準200mm GaN晶圓：安森美與英諾賽科簽署戰略協議，GaN市場競爭格局生變
- 規避常見“坑”：科學匹配EliteSiC柵極驅動，讓SiC器件發揮極致效能
- Spectrum推出全新多通道任意波形發生器，支持GHz級信號生成
- 車規與基于V2X的車輛協同主動避撞技術展望
- 數字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰
- 汽車模塊拋負載的解決方案
- 車用連接器的安全創新應用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
