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iP2010/2011：IR率先推出行業首批商用氮化鎵集成功率級器件
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出行業首個商用集成功率級產品系列，采用了IR革命性的氮化鎵 (GaN) 功率器件技術平臺。嶄新的iP2010和iP2011系列器件是為多相和負載點 (POL) 應用設計的，包括服務器、路由器、交換機，以及通用POL DC-DC轉換器。
2010-03-10
iP2010 iP2011 氮化鎵
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任天堂超過三星 成為消費產品和手機MEMS的最大買家
據iSuppli公司，日本任天堂在2009年超越韓國的三星，成為用于消費電子產品和手機的微機電系統(MEMS)的全球最大買家。
2010-03-10
任天堂 三星 MEMS
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中大尺寸液晶電視最新LED背光方案
在規范標準及綠色營銷的壓力下，液晶電視的工作及待機能耗也越來越低。如“能源之星”4.0版規范及5.0版規范相繼將于2010年5月及2012年5月生效，其中5.0版要求可視屏幕對角尺寸為32英寸、42英寸和60英寸的平板電視平均工作能耗從4.0版的不超過78W、115W和210W下降到不超過55W、81W和108W，本文介紹中大...
2010-03-10
液晶電視 LED背光 CCFL 電源架構
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LED芯片封裝缺陷檢測方法
引腳式LED芯片封裝工藝中封裝缺陷不可避免?；趐-n結的光生伏特效應和電子隧穿效應，分析了一種封裝缺陷對LED支架回路光電流的影響。利用電磁感應定律對LED支架回路光電流進行非接觸檢測，得到LED芯片功能狀態及芯片電極與引線支架問的電氣連接情況，并對檢測精度的影響因素進行分析。
2010-03-10
LED芯片 缺陷檢測 電子隧穿效應 非金屬膜層
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2010中國IT領袖峰會將于3月底在深圳隆重舉行
記者是從近日召開的2010中國（深圳）IT領袖峰會新聞發布會上獲悉這一消息的。深圳市委常委、常務副市長許勤，數字中國聯合會主席吳鷹等出席了新聞發布會并回答了記者的提問
2010-03-09
2010 中國IT 領袖峰會 中國經濟
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臺灣LG電子表示今年將搶攻15%市場
臺灣樂金電子（LG）董事長白明源近日表示，LG去年在臺灣手機市場穩居第四名，市占率約一成，今年將進一步挑戰15%市占率的目標，推出約30多款新手機，帶給消費者全新品牌體驗。
2010-03-09
臺灣 LG 白明源 手機
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136D：Vishay推出新款鉭外殼液鉭電容器
近日，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出采用glass-to-tantalum新型密封的新系列鉭外殼液鉭電容器——136D。對于高可靠性應用，136D器件可在-55℃～+85℃溫度范圍內工作，在電壓降額的情況下可在+200℃下工作，在120Hz和+25℃條件下的ESR低至0.44Ω。
2010-03-09
136D Vishay 鉭 電容器
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