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推動LED產業發展需加強國產MOCVD設備開發
第十一屆全國MOCVD學術會議于2010年1月12日在江蘇蘇州召開，為期2天，會議上跟許多專家和學者進行了交流，本次MOCVD探討的主要應用集中在LED，太陽能/激光器方面的應用也不少。國內MOCVD的總體感覺是：關注的人多，做的人少。
2010-01-27
LED MOCVD 設備
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采用PowerFill外延硅工藝的電源器件
ASM International推出了其PowerFill的外延硅（Epi Si）溝槽填充工藝。新工藝可使帶有摻雜物的外延硅深溝無縫隙填充。 PoweRFill是一個精湛的工藝技術，因為它是同類流程速度的3倍，降低制造成本，創造了為電源設備設計在設計程度上新的級別。
2010-01-27
ASM PowerFill 外延硅工藝 電源器件 Fairchild
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Vishay Siliconix 推出4款600V MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款新的600V MOSFET --- SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK)、SiHG22N60S(TO-247)和SiHB22N60S(TO-263)，將其Super Junction FET?技術延伸到TO-220、TO-220F、TO-247和TO-263封裝。
2010-01-27
Vishay MOSFET FET?技術
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罐式電容式電壓互感器研制成功
國網電科院研制的罐式結構特高壓電容式電壓互感器。其短時工頻耐受電壓達到1100kV/5min、雷電沖擊耐受電壓達到2400kV、操作沖擊耐受電壓達到1800kV，二次繞組準確級達到0.2/0.5/0.5(3P)/3P。
2010-01-27
罐式電容式 電壓互感器 研制成功
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江門建LED產業基地 2015年產值或達500億
昨天在江門市召開的2010年全國半導體照明電子行業標準發布及宣貫大會上，江門市常務副市長吳紫驪宣布，江門市將大力發展LED產業，到2015年實現500億元產業規模，建設中國重要的LED產業基地。
2010-01-27
江門 LED產業 基地 產值
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韓半導體產業宣告全面復蘇
韓國半導體產業的兩大支柱，三星電子和海力士去年第四季度均創造有史以來最高銷售業績，而且銷售利潤都超過了20％。
2010-01-27
韓國 半導體產業 全面復蘇
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“微型閃光”太陽能電池引領新方向
美國桑迪亞國家實驗室的科學家們宣布,他們發明了一種新型太陽能電池,這種被稱為“微型閃光”的太陽能電池將有可能完全改變目前太陽能收集和使用的方式
2010-01-27
微型閃光 太陽能 電池
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