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高速光通信模塊設計
COVID-19 讓我們不得不面對一個現實，那就是面對面的交流變得不那么常見了。伴隨著最新一波包含無數新技術的數字化與信息化浪潮，互聯網訪問成為我們精準、實時的社交與交流重要手段。
2022-06-16
光通信 模塊 設計
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SiC設計干貨分享（一）：SiC MOSFET驅動電壓的分析及探討
隨著制備技術的進步，在需求的不斷拉動下，碳化硅（SiC）器件與模塊的成本逐年降低。相關產品的研發與應用也得到了極大的加速。尤其在新能源汽車，可再生能源及儲能等應用領域的發展，更是不容小覷。
2022-06-15
SiC MOSFET 驅動電壓
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25kW SiC直流快充設計指南(第六部分)：用于電源模塊的柵極驅動系統
在本系列文章的第一至第五部分[1-5]中，我們從硬件角度和控制策略上廣泛介紹了25 kW電動汽車充電樁的開發。圖1代表到目前為止所討論的系統。
2022-06-15
直流快充 電源模塊 柵極驅動
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如何選取SiC MOSFET的Vgs門極電壓及其影響
在IGBT時代，門極電壓的選擇比較統一，無非Vge=+15V/-15V或+15V/-8V或+15V/0V這幾檔。而在新興的SiC MOSFET領域，還未有約定俗成的門極電壓規范。本文愿就SiC MOSFET的門極電壓選擇上的困惑，提供些有用的參考。
2022-06-15
SiC MOSFET 門極電壓
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性能出眾的1200V第四代SiC FET為高壓市場提供了優秀的SiC功率解決方案
UnitedSiC（現名Qorvo）擴充了其1200V產品系列，將其突破性的第四代SiC FET技術推廣到電壓更高的應用中。新UF4C/SC系列中的六款新產品的規格從23毫歐到70毫歐，現以TO247-4L（采用開爾文連接）封裝提供，而1200V的53毫歐和70毫歐SiC FET還以TO247-3L封裝提供。這些新發布的SiC FET具有不凡的性能，...
2022-06-15
SiC FET 高壓市場 解決方案
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適合工業應用的魯棒SPI/I2C通信
對于控制器和外設之間的短距離電路板內連接，串行外設接口(SPI)和Inter-Integrated Circuit (I2C)接口是流行的事實上的通信標準。由于存在廣泛的硬件和軟件支持，SPI和I2C已被傳感器、執行器和數據轉換器制造商廣泛采用。當控制器和外設位于同一電路板上、共享同一接地層且相距不遠（不大于1米）時...
2022-06-14
工業應用 SPI ADI
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新推出的同步SAR模數轉換器的片內校準優勢
本文評估在電阻模數轉換器(ADC)前面的外部電阻的影響。這些系列的同步采樣ADC包括一個高輸入阻抗電阻可編程增益放大器(PGA)，用于驅動ADC和縮放輸入信號，允許直接連接傳感器。但是，有幾個原因導致在設計期間，我們最終會在模擬輸入前面增加外部電阻。以下部分從理論上解釋預期的增益誤差，該誤差...
2022-06-14
SAR 模數轉換器 ADI
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