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充分挖掘SiC FET的性能
性能是一個主觀術語，它可以用許多你喜歡的方式衡量，但是在功率轉換界，它歸結為兩個相互依賴的主要值，即效率和成本?，F在，作為半導體開關材料，硅在導電和動態損耗性能方面已經到達了極限，這已經是一個常識了，因此越來越多的人考慮采用碳化硅和氮化鎵寬帶隙技術來實現更好的性能。這兩種材料...
2022-03-10
SiC FET 性能
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BMS電池管理系統SOC算法
隨著電池性能的大幅提升，越來越多的應用使用電池包提供能量。在電池管理系統中，如何準確地估算電池的 SOC 是設計者需要考慮的重點與難點。
2022-03-10
BMS 電池管理系統 SOC算法
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如何為衛星應用選擇合適的LDO
耐輻射低壓降穩壓器 (LDO) 是許多航天級子系統（包括現場可編程門陣列 (FPGA)、數據轉換器和模擬電路）的重要電源元件。LDO 有助于確保為性能取決于干凈輸入的元件提供穩定的低噪聲和低紋波電源。
2022-03-10
衛星應用 LDO
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通過更高的輸出功率和H級控制打造身臨其境的汽車音頻體驗
隨著汽車油耗標準的不斷提高（根據美國環境保護署的規定，2026年每加侖汽油的行駛里程需提升至40英里），汽車音響設計人員面臨的挑戰是如何提供身臨其境的音頻體驗，同時減輕車輛重量并提高整體效率。
2022-03-10
輸出功率 H級控制 汽車音頻
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扛鼎之作 CITE 2022頂配來襲
?數以億萬計的電子元件蓬勃產出，精細化零部件精準組裝時刻進行，一條條機械手臂靈活運作，一件件電子產品走進千家萬戶……這是我國電子信息產業高質量發展新動能的縮影，也是我國產業規模世界第一的能力彰顯。
2022-03-09
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如何使用LTspice對復雜電路的統計容差分析進行建模
LTspice?可用于對復雜電路進行統計容差分析。本文介紹在LTspice中使用蒙特卡羅和高斯分布進行容差分析和最差情況分析的方法。為了證實該方法的有效性，我們在LTspice中對電壓調節示例電路進行建模，通過內部基準電壓和反饋電阻演示蒙特卡羅和高斯分布技術。然后，將得出的仿真結果與最差情況分析仿...
2022-03-09
LTspice 統計容差 建模
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如何避免功率MOSFET發生寄生導通?
該文描述了引起功率MOSFET發生寄生導通的機制，并進一步指出為了避免寄生導通，在選取MOSFET時應遵循什么準則。
2022-03-09
功率MOSFET 寄生導通
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