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基本半導體第三代碳化硅肖特基二極管性能詳解
追求更低損耗、更高可靠性、更高性價比是碳化硅功率器件行業的共同目標。為不斷提升產品核心競爭力，基本半導體成功研發第三代碳化硅肖特基二極管，這是基本半導體系列標準封裝碳化硅肖特基二極管家族中的新成員。相較于前兩代二極管，基本半導體第三代碳化硅肖特基二極管在沿用6英寸晶圓工藝基礎上...
2022-02-08
基本半導體 碳化硅肖特基二極管
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針對SiC串擾抑制方法的測試報告
近年來，以SiCMOSFET 為代表的寬禁帶半導體器件因其具有高開關頻率、高開關速度、高熱導率等優點，已成為高頻、高溫、高功率密度電力電子變換器的理想選擇。然而隨著SiC MOSFET開關速度加快，橋式電路受寄生參數影響加劇，串擾現象更加嚴重。由于SiC MOSFET 正向閾值電壓與負向安全電壓較小，串擾問...
2022-02-08
SiCMOSFET 串擾抑制
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焦耳偷竊電路
這是一個來自于網站 Circuits DIY[1] 中的一篇博文，名字很有趣：Simple Joule Thief Circuit[2] ，直譯為焦耳偷竊電路。這個電路允許使用一個低壓電池（比如1.5V的干電池）去點亮一個原本需要1.85V才能夠點亮的白色LED。在博文 幾種不同顏色LED的V-A曲線[3] 中，給出了不同顏色LED導通所需要的電...
2022-02-08
焦耳偷竊電路 原理圖
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Bourns宣布IsoMOV? 保護器榮獲 2021 年度電子產品無源產品獎
Bourns宣布，其 IsoMOV? 保護器贏得了2021 年度電子產品無源產品獎。Bourns? IsoMOV ? 混合保護組件被選為 MOV 設備設計的重大突破。完全集成的 GDT 和 MOV 混合設計提供了一種創新的保護解決方案，可解決 MOV 退化問題，同時顯著提高浪涌性能、使用壽命和設備可靠性。
2022-02-07
Bourns IsoMOV? 保護器 無源產品獎
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開關電源設計中的頻率選擇（下）
本文是深入研究開關頻率設計的系列文章之下篇。上篇回顧了如何計算開關頻率的關鍵指標，以及更高頻率設計的難點所在。本文將把這些開關頻率的概念應用到實際場景當中。
2022-02-07
開關電源 設計 頻率
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識別并消除次諧波振蕩
DC/DC的不穩定是由多種因素造成的，例如補償參數不當或布局不足。本文將主要討論次諧波振蕩，這是一種當電流模式開關穩壓器具有連續電感電流且占空比超過 50% 時可能產生的不穩定形式，而這種振蕩會導致不穩定的電源。
2022-02-07
消除 次諧波振蕩 開關穩壓器
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如何控制原邊振鈴
反激電源是最常用的拓撲之一。其變壓器漏感常會引起原邊振鈴，并導致會損壞 MOSFET 的電壓尖峰。因此，通過變壓器和MOSFET 組件的合理設計來控制振鈴非常重要。針對如何降低漏感，MPS 引入了一種 RCD 鉗位電路設計策略，下面我們將對此進行詳細地描述。
2022-02-07
控制 原邊 振鈴
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