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放大器Vos失調(diào)電壓的產(chǎn)生與影響

發(fā)布時間:2020-09-11 責任編輯:lina

【導讀】放大器的失調(diào)電壓是工程師在直流耦合電路設(shè)計中,評估頻次極高的參數(shù),本篇通過一個案例介紹失調(diào)電壓的影響方式,以及探討產(chǎn)生原因。
 
放大器的失調(diào)電壓是工程師在直流耦合電路設(shè)計中,評估頻次極高的參數(shù),本篇通過一個案例介紹失調(diào)電壓的影響方式,以及探討產(chǎn)生原因。
 
01 由失調(diào)電壓導致故障的一則案例
2019 年 8 月 11 日(星期日)晚,筆者接到負責電源領(lǐng)域同事的信息,一家上市公司在汽車電子領(lǐng)域首款產(chǎn)品的小批量生產(chǎn)測試中出現(xiàn)異常,其中使用 ADI 放大器設(shè)計的電路發(fā)生“失效”問題,急需申請失效分析。8 月 12 日上午現(xiàn)場拜訪該企業(yè),工程師講述電路設(shè)計不存在問題,并且通過 ADI 官方指定渠道購買 15 片 ADA4851-1,其中 2 片芯片所在的板卡出現(xiàn)“失效”,將“失效”板卡中 ADA4851-1 芯片與正常工作板卡的 ADA4851-1 芯片進行互換,“失效”現(xiàn)象跟隨“異常芯片”繼續(xù)復現(xiàn),因此要求進行失效分析。
   
面對上述問題的現(xiàn)象描述,筆者無法定位問題的根源。與項目組負責人詳細了解電路圖和測試過程。如圖 2.7,使用 ADA4851-1 組建差動放大電路,電路由+5V 單電源供電,TP1000 網(wǎng)絡(luò)由參考電壓源提供。工作中在輸入端 TP1001 網(wǎng)絡(luò)與 TP1006 網(wǎng)絡(luò)連接到地時,如果 ADA4851-1 的輸出端(TP1011 網(wǎng)絡(luò))電壓超出±38.7mV 時,系統(tǒng)判定電路出現(xiàn)異常并終止工作,上述 2 片“異常芯片”的輸出電壓均超過±38.7mV。
 
 
 放大器Vos失調(diào)電壓的產(chǎn)生與影響
圖 2.7ADA4851-1 應(yīng)用電路
 
參考 ADA4851-1 的電氣參數(shù)進行分析,如圖 2.8。在 25℃環(huán)境中,+5V 供電,電路增益為 1 時,輸入失調(diào)電壓的典型值為 0.6mV ,最大值為 3.4mV。
 
  放大器Vos失調(diào)電壓的產(chǎn)生與影響
圖 2.8 ADA4851-1 輸入失調(diào)電壓
   
假定圖 2.7 中的比例電阻完全匹配,即 R1000 與 R1010 為 220Ω,R1001 與 R1011 為 12KΩ。該差動放大電路的增益為 54.4 倍。輸入失調(diào)電壓經(jīng)過放大后的輸出應(yīng)為 32.7mV(典型值)時電路正常工作,但是失調(diào)電壓最大值對應(yīng)的輸出值為 185.5mV,已經(jīng)超出判定故障的閾值電壓。并且在+5V 電壓供電時,ADA4851-1 失調(diào)電壓的分布如圖 2.9,輸入失調(diào)電壓為±1mV 的情況出現(xiàn)頻次較高,此時對應(yīng)的輸出電壓為±54.4mV,同樣超出系統(tǒng)判定的閾值電壓。
 
  放大器Vos失調(diào)電壓的產(chǎn)生與影響
圖 2.9 ADA4851-1 輸入失調(diào)電壓分布
   
所以筆者與工程師確認,現(xiàn)有 ADA4851-1 應(yīng)用電路的輸出電壓折算到輸入端,均在數(shù)據(jù)手冊參數(shù)范圍內(nèi),工作不存在失效問題,該電路的軟件判定閾值設(shè)計不合理,建議整改辦法包括:
 
(1)調(diào)整判定故障的閾值電壓。
 
(2)使用低失調(diào)電壓的放大器,并類比 ADA4528,在 25℃環(huán)境中,+5V 供電時,失調(diào)電壓最大值僅為 2.5uV 如圖 2.10。失調(diào)電壓的分布更為集中,如圖 2.11。
 
  放大器Vos失調(diào)電壓的產(chǎn)生與影響
圖 2.10 ADA4528-1 電調(diào)電壓
 
  放大器Vos失調(diào)電壓的產(chǎn)生與影響
圖 2.11 ADA4528-1 失調(diào)電壓分布
   
通過該案例可見,失調(diào)電壓的存在,導致電路輸出產(chǎn)生直流誤差。
 
02 失調(diào)電壓與漂移定義
如圖 2.12(a)為放大器模型,短路放大器的兩個輸入端(Vp、Vn),如果是理想放大器其輸出電壓 Vo 應(yīng)為 0V。但是,真實放大器內(nèi)部處理 Vp 與 Vn 的輸入級存在失配,導致放大器的輸出不為 0V。為了使真實放大器的輸出實現(xiàn) 0V,需要在輸入管腳之間增加適合的校正電壓,稱為失調(diào)電壓(Offset voltage,Vos)。
   
如圖 2.12(b),真實放大器的電壓傳遞曲線(VTC)不會過原點,它向左移還是右移由失配的方向決定。可以理解為在理想或無失調(diào)電壓放大器的一個輸入端串聯(lián)一個小電壓源 Vos,其電壓傳遞曲線如式 2-1。
 
  放大器Vos失調(diào)電壓的產(chǎn)生與影響
 
為了實現(xiàn)輸出電壓為 0V,需要滿足式 2-2。
 
  放大器Vos失調(diào)電壓的產(chǎn)生與影響
 
所以放大器的兩個輸入端電壓關(guān)系是近似相等,即“虛短”原則。Vos 的取值范圍在毫伏到微伏。
 
 放大器Vos失調(diào)電壓的產(chǎn)生與影響
圖 2.12 具有失調(diào)電壓的放大器模型和電壓傳遞曲線
   
對于某個放大器的失調(diào)電壓是確定值,但是放大器會因為溫度、工作時間變化,使輸入失調(diào)電壓產(chǎn)生隨其變化量比值的變化,該比值稱為失調(diào)電壓漂移(Offset Voltage Drift)。
   
(1)變量為溫度,單位是μV/℃,表示輸入失調(diào)電壓的變化量與導致該變化的溫度變化量的比值。數(shù)據(jù)手冊提供的參數(shù)為測量溫度范圍內(nèi)的平均值,符號為ΔVOS/ΔT,或者 dVOS/dT。
   
考慮溫度漂移的失調(diào)電壓,為式 2-3。
 
  放大器Vos失調(diào)電壓的產(chǎn)生與影響
 
如圖 2.2,以 ADA4077-1 SOIC 封裝 B 級芯片為例,在 25℃環(huán)境中,供電電壓為±15V,失調(diào)電壓最大值為 35μV,失調(diào)電壓漂移最大值為 0.25μV/℃。當芯片溫度上升到 75℃時,將參數(shù)代入式 2-3 計算失調(diào)電壓變化為 47.5μV。
 
  放大器Vos失調(diào)電壓的產(chǎn)生與影響
圖 2.2 ADA4077 失調(diào)電壓與溫漂
   
(2)變量為時間,單位是μV/Mo,表示失調(diào)電壓每月變化多少微伏。代表放大器在長期工作中失調(diào)電壓的穩(wěn)定性。
  
如圖 2.18,ADA4077 數(shù)據(jù)手冊提供實測 10000 小時失調(diào)電壓漂移。工程師以此模擬系統(tǒng)長期運行,可以評估在設(shè)備長期工作中放大器失調(diào)電壓的穩(wěn)定情況。
  
失調(diào)電壓漂移是放大器電路設(shè)計中難以處理的參數(shù),因為它的存在隨時會產(chǎn)生新的失調(diào)電壓,所以常見的處理方法是使用失調(diào)電壓漂移參數(shù)小的放大器。
 
  放大器Vos失調(diào)電壓的產(chǎn)生與影響
圖 2.18 ADA4077 實測 10000 小時的失調(diào)電壓長期漂移
 
03 失調(diào)電壓產(chǎn)生原因
 (1)輸入級的制造工藝
放大器輸入失調(diào)電壓的產(chǎn)生,主要由于輸入級對稱三極管晶圓的不匹配所導致。如圖 2.13,三極管(Q1,Q2)的匹配度,在一定范圍內(nèi)和晶圓面積的平方根成正比,就是說匹配度提高到原來的兩倍,晶圓面積就是原來的四倍。當達到一定水平后,增加晶圓面積也不能改善輸入失調(diào)電壓,另外增加面積會直接增加芯片的制造成本。所以,常用的方法是在放大器生產(chǎn)后再進行測試與校準,或者在輸出級使用斬波等技術(shù)改善放大器的失調(diào)電壓。
 
 放大器Vos失調(diào)電壓的產(chǎn)生與影響
圖 2.13 放大器輸入級電路
   
如表 2.1 為 ADI 不同種類放大器的失調(diào)電壓范圍,及代表型號。
 
  放大器Vos失調(diào)電壓的產(chǎn)生與影響
表 2.1 多類放大器的失調(diào)電壓范圍和代表型號
   
(2)芯片封裝技術(shù)
放大器的封裝類型,通常包括 SOIC、MSOP、LFCSP、SOT-23 幾種,大多數(shù)放大器的封裝不會影響失調(diào)電壓。如圖 2.14 所示 ADA4528-1 有 MSOP、LFCSP 封裝兩種,失調(diào)電壓的典型值,最大值、最小值沒有因為封裝而不同,如圖 2.10。
 
  放大器Vos失調(diào)電壓的產(chǎn)生與影響
圖 2.14 ADA4528-1 封裝示意圖
   
但是少數(shù)放大器的封裝技術(shù)會影響放大器的失調(diào)電壓。如圖 2.2,ADA4077-2 A 級的 MSOP 封裝芯片的失調(diào)電壓最大值為 90μV,典型值為 50μV。同等條件下 SOIC 封裝的 ADA4077-2 A 級芯片的失調(diào)電壓最大值為 50μV,典型值為 15μV。兩種封裝失調(diào)電壓的分布也存在明顯區(qū)別,其中 SOIC 封裝的失調(diào)電壓分布相對集中,如圖 2.15。
 
  放大器Vos失調(diào)電壓的產(chǎn)生與影響
圖 2.15 ADA4077-2MSOP 與 SOIC 封裝的失調(diào)電壓分布
 
注:芯片規(guī)格書中常見 A 級、B 級產(chǎn)品,在生產(chǎn)的原材料,制造過程完全一致,區(qū)別在封裝測試完成以后,將個別較好的參數(shù)進行標記。
 
綜上,由于半導體工藝所導致失調(diào)電壓是構(gòu)成電路直流誤差的重要影響因素之一。在穩(wěn)定的環(huán)境中,由失調(diào)電壓導致的直流誤差可以進行校準,但是失調(diào)電壓漂移所產(chǎn)生影響無法過校準完全消除。
 
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