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分析師紛紛提高2010年半導體市場預測
Semiconductor International 全球1月半導體的銷售額數據出籠，讓分析師們的眼睛一亮，紛紛提高2010年的預測。為什么如此迫不及待，值得思考。
2010-03-10
半導體 iSuppli Gartner 電子產業
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FAN3988：飛兆推出帶有檢測功能的過壓保護器件
飛兆半導體公司(Farichild Semiconductor) 為手機和手持移動產品設計人員提供一款帶有高集成度過電壓保護(OVP)和USB/充電器檢測功能的器件FAN3988。
2010-03-10
FAN3988 飛兆 保護器件 MOSFET
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聯網消費電子產品市場將劇增
In-Stat預計，2010年，在所有售出的數字電視中，大約40%將具備聯網功能。到2013年，全球使用中的這類聯網消費電子設備將達5億臺。在2008年至2013年間，此類產品的銷售額年均復合增長率接近64%。
2010-03-10
聯網 消費電子 市場 劇增
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恩智浦半導體推出新一代高效率低VCEsat晶體管
這些晶體管稱為突破性小信號(BISS)晶體管，正如其名，它們為減少打開導通電阻確立了新的基準，使開關時間減到絕對最小值。超低VCEsat 分支的晶體管在1 A時實現了50 mV的超低飽和電壓。4種新的高速開關晶體管使開關和存儲時間降低到125 ns。新型BISS-4產品表明，雙極晶體管技術為要求更高性能和降低...
2010-03-10
恩智浦 新一代 高效率 低VCEsat 晶體管
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IR推出行業首批商用氮化鎵集成功率級器件
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出行業首個商用集成功率級產品系列，采用了IR革命性的氮化鎵 (GaN) 功率器件技術平臺。嶄新的iP2010和iP2011系列器件是為多相和負載點 (POL) 應用設計的，包括服務器、路由器、交換機，以及通用POL DC-DC轉換器。
2010-03-10
IR 商用 集成 氮化鎵 功率級器件
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恩智浦推出新一代高效率低VCEsat 晶體管
恩智浦半導體（NXP Semiconductors）近日宣布推出新第四代低VCEsat (BISS)晶體管的前8種產品。該產品家族分成兩種優化的分支：超低VCEsat晶體管以及高速開關晶體管。其電壓范圍為20 V - 60 V，采用小型SMD封裝SOT23 (2.9 x 1.3 x 1 mm)和SOT457 (2.9 x 1.5 x 1 mm)。
2010-03-10
恩智浦 VCEsat 晶體管
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iP2010/2011：IR率先推出行業首批商用氮化鎵集成功率級器件
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出行業首個商用集成功率級產品系列，采用了IR革命性的氮化鎵 (GaN) 功率器件技術平臺。嶄新的iP2010和iP2011系列器件是為多相和負載點 (POL) 應用設計的，包括服務器、路由器、交換機，以及通用POL DC-DC轉換器。
2010-03-10
iP2010 iP2011 氮化鎵
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任天堂超過三星 成為消費產品和手機MEMS的最大買家
據iSuppli公司，日本任天堂在2009年超越韓國的三星，成為用于消費電子產品和手機的微機電系統(MEMS)的全球最大買家。
2010-03-10
任天堂 三星 MEMS
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2010中國IT領袖峰會將于3月底在深圳隆重舉行
記者是從近日召開的2010中國（深圳）IT領袖峰會新聞發布會上獲悉這一消息的。深圳市委常委、常務副市長許勤，數字中國聯合會主席吳鷹等出席了新聞發布會并回答了記者的提問
2010-03-09
2010 中國IT 領袖峰會 中國經濟
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