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對(duì)過去質(zhì)量的評(píng)判——老百合花牌電磁爐拆解
在這個(gè)假冒偽劣成風(fēng)的時(shí)代，很少有質(zhì)量過硬，用料過硬的產(chǎn)品了。于是，大家都分外懷念過去的老產(chǎn)品，那時(shí)候雖然說功能不是很強(qiáng)大，但是做工用料還是很精細(xì)的。不過，真的是過去的老品牌都是值得信賴的嗎？讓我們親自拆解看一看！
2014-03-06
拆解 電磁爐
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安森美半導(dǎo)體的ASIC設(shè)計(jì)方法符合DO-254標(biāo)準(zhǔn)嚴(yán)格要求
推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN)宣布，公司使用的數(shù)字專用集成電路(ASIC)設(shè)計(jì)流程方法完全支持需要獲得DO-254認(rèn)證的商用飛機(jī)制造商的嚴(yán)格要求。
2014-03-05
安森美 半導(dǎo)體 ASIC設(shè)計(jì)方法 DO-254標(biāo)準(zhǔn)
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北高智攜手全球知名電源廠商Recom全力進(jìn)軍工業(yè)市場(chǎng)
2014年，北高智與全球知名電源廠商Recom正式簽訂代理協(xié)議。攜手共同推進(jìn)Recom產(chǎn)品在中國(guó)市場(chǎng)的推廣。Recom產(chǎn)品廣泛應(yīng)用自動(dòng)化、醫(yī)療、儀器儀表、電力、工控、航空、鐵路、公路、船舶、網(wǎng)絡(luò)通訊、 石油化工、照明系統(tǒng)等領(lǐng)域。
2014-03-05
北高智 Recom 代理協(xié)議
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技術(shù)達(dá)人：?jiǎn)纹瑱C(jī)應(yīng)用系統(tǒng)的可靠性設(shè)計(jì)
】 隨著單片機(jī)在國(guó)防、金融、工業(yè)控制等重要領(lǐng)域應(yīng)用越來越廣泛，單片機(jī)應(yīng)用系統(tǒng)的可靠性越來越成為人們關(guān)注的一個(gè)重要課題。單片機(jī)應(yīng)用系統(tǒng)的可靠性是由多種因素決定的，大體分為硬件系統(tǒng)可靠性設(shè)計(jì)和軟件系統(tǒng)可靠性設(shè)計(jì)。
2014-03-05
單片機(jī) 可靠性
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德州儀器在全美為聯(lián)合之路籌款 660 萬(wàn)美元
日前，德州儀器今年在全美范圍內(nèi)為聯(lián)合之路 活動(dòng)籌款 660 萬(wàn)美元，以解決公司所在社區(qū)的教育、收入及健康相關(guān)的重要問題。TI 慈善活動(dòng)總監(jiān) Andy Smith 表示：TI 聯(lián)合之路活動(dòng)的籌款工作可為當(dāng)?shù)厣鐓^(qū)帶來實(shí)實(shí)在在的積極影響。
2014-03-04
TI 聯(lián)合之路 籌款
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恩智浦與Android KitKat集成擴(kuò)大了NFC生態(tài)系統(tǒng)
恩智浦昨日宣布，與Android KitKat成功集成擴(kuò)大了NFC生態(tài)系統(tǒng)。PN547與Android 4.4集成為通過主機(jī)卡仿真實(shí)現(xiàn)近距離無線通信(NFC)交易提供新平臺(tái)支持。
2014-03-04
恩智浦 Android KitKat NFC生態(tài)系統(tǒng)
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霍尼韋爾半導(dǎo)體封裝新材料，顯著減少軟錯(cuò)誤故障頻率
霍尼韋爾最新推出半導(dǎo)體封裝新材料，它擁有專利技術(shù)的RadLo?低α粒子電鍍陽(yáng)極，顯著減少由α粒子引起的軟錯(cuò)誤故障頻率。新電鍍陽(yáng)極是RadLo產(chǎn)品系列的擴(kuò)充，它采用了霍尼韋爾專利的量測(cè)和精制技術(shù)，用于半導(dǎo)體封裝晶圓突塊工藝。
2014-03-04
霍尼韋爾 半導(dǎo)體封裝 軟錯(cuò)誤故障
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SGS上海實(shí)驗(yàn)室再度擴(kuò)建 提升多元化服務(wù)能力
2014年2月28日，SGS在上海成功舉辦電氣與電子產(chǎn)品實(shí)驗(yàn)中心擴(kuò)建開幕慶典。SGS上海實(shí)驗(yàn)室再度擴(kuò)建，提升多元化服務(wù)能力，將為整個(gè)華東及華北區(qū)域的眾多電子電氣出口商提供更靈活、快捷、高效、專業(yè)的一站式解決方案。
2014-03-04
SGS 上海實(shí)驗(yàn)室 多元化服務(wù)
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匯總常用IGBT及MOSFET器件隔離驅(qū)動(dòng)技術(shù)
MOSFET以及IGBT絕緣柵雙極性大功率管等器件的源極和柵極之間是絕緣的二氧化硅結(jié)構(gòu)，直流電不能通過，因而低頻的表態(tài)驅(qū)動(dòng)功率接近于零。但是柵極和源極之間構(gòu)成了一個(gè)柵極電容Cgs，因而在高頻率的交替開通和需要關(guān)斷時(shí)需要一定的動(dòng)態(tài)驅(qū)動(dòng)功率。本文匯總了一些常用IGBT及MOSFET器件隔離驅(qū)動(dòng)技術(shù)，給大...
2014-03-04
IGBT MOSFET器件 隔離驅(qū)動(dòng)
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